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  • 一种低电场下高储能密度的La/Ce/Ni/Ga/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法
    一种低电场下高储能密度的La/Ce/Ni/Ga/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法_景德镇陶瓷大学_202511507732.4
    本发明公开了一种低电场下高储能密度的La/Ce/Ni/Ga/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法，针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、...
    2026-04-10
  • 一种低电场下高储能密度的Sm/Ce/Ni/Fe/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法
    一种低电场下高储能密度的Sm/Ce/Ni/Fe/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法_景德镇陶瓷大学_202511507770.X
    本发明公开了一种低电场下高储能密度的Sm/Ce/Ni/Fe/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法，针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、...
    2026-04-10
  • 一种低电场下高储能密度的Y/Ce/Co/Sc/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法
    一种低电场下高储能密度的Y/Ce/Co/Sc/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法_景德镇陶瓷大学_202511507814.9
    本发明公开了一种低电场下高储能密度的Y/Ce/Co/Sc/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法，针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、N...
    2026-04-10
  • 一种低电场下高储能密度的Y/La/Zn/Sc/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法
    一种低电场下高储能密度的Y/La/Zn/Sc/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法_景德镇陶瓷大学_202511507878.9
    本发明公开了一种低电场下高储能密度的Y/La/Zn/Sc/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法，针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、N...
    2026-04-10
  • 一种钽酸镁大尺寸、高比重空心管及其高温致密化烧结制备方法
    一种钽酸镁大尺寸、高比重空心管及其高温致密化烧结制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511730732.0
    本发明涉及一种钽酸镁大尺寸、高比重空心管及其高温致密化烧结制备方法。所述钽酸镁大尺寸、高比重空心管的化学组成包括正钽酸镁Mg55Ta44O1515与偏钽酸镁MgTa22O66的复合相；优选地，所述所述钽酸镁大尺寸、高比重空心管的外径为120...
    2026-04-10
  • 一种氧化铈靶材及其制备方法
    一种氧化铈靶材及其制备方法_有研资源环境技术研究院(北京)有限公司_202511655888.7
    本申请提供的一种氧化铈靶材及其制备方法，将粒径为10~500µm的氧化铈粉末置于模具中，并转移至无压烧结环境中进行无压烧结处理，获得氧化铈靶材；其中，所述无压烧结处理采用多阶段阶梯式升温，包括：低温升温阶段：从室温升温至300~400℃，保...
    2026-04-10
  • 一种基于焦耳热热压烧结的高纯氧化钇靶材的制备方法
    一种基于焦耳热热压烧结的高纯氧化钇靶材的制备方法_河北高冶新材料有限公司_202511989595.2
    本发明一种基于焦耳热热压烧结的高纯氧化钇靶材的制备方法，属于特种陶瓷制备技术领域，首先采用高活性亚微米尺度的近球形氧化钇粉末，通过真空、氧气气氛切换的方式干燥，然后采用石墨模具、BN涂层的扩散阻挡组合制备冷压素坯；最后通过三阶段焦耳热热压烧...
    2026-04-10
  • 一种原位合成HfB2晶须增强碳基复合材料及其制备方法
    一种原位合成HfB2晶须增强碳基复合材料及其制备方法_西北工业大学_202511721908.6
    本发明公开了一种原位合成HfB22晶须增强碳基复合材料及其制备方法，属于碳基复合材料制备技术领域，方法包括：将低密度碳基复合材料预处理后，浸渍于装有混合浆料的罐体中并抽真空，重复浸渍及烘干后，经保温反应，得到基体表面及内部含有HfB22晶须...
    2026-04-10
  • 一种基于压力焙烧的超细颗粒等静压石墨的制备方法
    一种基于压力焙烧的超细颗粒等静压石墨的制备方法_因达孚先进材料(苏州)股份有限公司_202511794818.X
    本发明提供一种基于压力焙烧的超细颗粒等静压石墨制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1. 原料准备：选取石墨化焦粉、石油焦粉、沥青焦粉一种或多种配比为碳质原料和沥青；S2. 预混与加压混捏：在高温条件下加入沥青和碳质原料，预混后在加压的条件...
    2026-04-10
  • 可溶性、高陶瓷产率SiZrBC陶瓷前驱体及其制备方法
    可溶性、高陶瓷产率SiZrBC陶瓷前驱体及其制备方法_西安理工大学_202511419086.6
    本发明公开了可溶性、高陶瓷产率SiZrBC陶瓷前驱体，本发明还公开了该陶瓷前驱体的制备方法，包括：将ZrCl44加入乙醇中，搅拌进行有机化处理，然后加入乙酰丙酮，高温下搅拌反应，得到Zr前驱体溶液；将硼酸溶于乙醇中，升温后加入醋酸进行酯化处...
    2026-04-10
  • 一种硬质合金制品的制备方法
    一种硬质合金制品的制备方法_苏州新锐合金工具股份有限公司_202511463922.0
    本发明涉及硬质合金制备技术领域，具体涉及一种硬质合金制品的制备方法，包括：步骤一、将粉末原料、ZrC粉末、SiC粉末和WO33粉末混合，得到混合粉末；粉末原料为WC或TiC；ZrC粉末、SiC粉末与WO33粉末占混合粉末的质量百分比依次为0...
    2026-04-10
  • 一种低成本制备粒径可调控的球形ZrC粉体的方法及其应用
    一种低成本制备粒径可调控的球形ZrC粉体的方法及其应用_哈尔滨工业大学_202511661271.6
    一种低成本制备粒径可调控的球形ZrC粉体的方法及其应用，本发明是要解决现有制备ZrC粉体的方法成本高、无法有效控制ZrC粉体形貌粒径的技术问题。制备方法：一、将去离子水、水溶性糖类和ZrOCl22·8H22O搅拌混合；二、在140~200℃...
    2026-04-10
  • 一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用
    一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用_联瑞新材(连云港)有限公司_202511684277.5
    本发明涉及无机材料技术领域，尤其涉及一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用。本发明提供的低介电SiOC陶瓷粉体具备低介电特性以及高绝缘性，介电损耗角正切值＜0.0010，表面电阻＞4×101414Ω，体积电阻＞5×101212Ω，电导...
    2026-04-10
  • 基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法
    基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511529128.1
    本发明涉及基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法。所述基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅的组成包括：重结晶碳化硅基体材料，位于所述重结晶碳化硅基体材料表面的改性层，以及填充于所述重结晶碳化硅基体材料的多孔中的硅；优选地，...
    2026-04-10
  • 一种高导热Cf/C-SiC复合材料的快速制备方法
    一种高导热Cf/C-SiC复合材料的快速制备方法_哈尔滨工业大学_202511531219.9
    本发明涉及Cff/C‑SiC复合材料相关领域，尤其涉及一种高导热Cff/C‑SiC复合材料的快速制备方法，该方法主要使用先驱体浸渍热解法，先将纤维定向均匀分散于特制的模具中，然后将酚醛树脂缓慢倒入模具中，在真空环境下进行均匀浸渍，通过烘箱固...
    2026-04-10
  • 一种碳化硅陶瓷3D打印浆料及其制备方法和应用
    一种碳化硅陶瓷3D打印浆料及其制备方法和应用_西安国宏天易智能科技有限公司_202511571977.3
    本发明公开了一种碳化硅陶瓷3D打印浆料及其制备方法和应用，按体积比包括：36％～53％vt碳化硅粉末、36％～53％vt光敏树脂、3％～7％vt复合分散稳定剂、1.5％～4.5％vt固化引发剂和5％～8％vt溶剂，浆料的固含量可提高约5vo...
    2026-04-10
  • 一种高纯度碳陶复合内衬及其制备方法
    一种高纯度碳陶复合内衬及其制备方法_宁波伏尔肯科技股份有限公司_202511581717.4
    本发明公开了一种高纯度碳陶复合内衬及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、配制高纯度的陶瓷浆料；S2、在碳纤维布表面涂覆所述陶瓷浆料，并采用二维缠绕方式将所述碳纤维布缠绕于石墨芯模上，得到预制体；S3、将所述预制体进行加热固化，得到生坯；...
    2026-04-10
  • 一种垃圾高温裂解炉用微孔碳化硅耐磨砖及制备方法
    一种垃圾高温裂解炉用微孔碳化硅耐磨砖及制备方法_宜兴市海科窑炉工程有限公司_202511590571.X
    本发明涉及耐火砖技术领域，具体涉及一种垃圾高温裂解炉用微孔碳化硅耐磨砖，按重量百分比计，包括：莫来石：10~20%；红柱石：10~15%；α‑Al22O33微粉：3~5%；高岭石：8~12%；铝矾土：7~9%；改性磷尾矿陶粒：4~6%；结合...
    2026-04-10
  • 反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷
    反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷_季华实验室_202511974728.9
    本发明公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷，属于碳化硅陶瓷技术领域。本发明的修复方法包括：碳化硅陶瓷导电化烧结处理和微小孔缺陷修复步骤，首先将金属硅填充到碳化硅晶粒之间形成一种SiC/Si复合的反应烧结碳化...
    2026-04-10
  • 一种利用大颗粒碳化硅快速制备高导热陶瓷的方法及制成的高导热陶瓷和应用
    一种利用大颗粒碳化硅快速制备高导热陶瓷的方法及制成的高导热陶瓷和应用_广东工业大学_202511685505.0
    本发明属于功能材料技术领域，公开了一种利用大颗粒碳化硅快速制备高导热陶瓷的方法及制成的高导热陶瓷和应用。该方法包括以下步骤：S1、将粒径为30nm的碳化硅粉和烧结助剂粉末称量装罐，添加酒精和磨球，进行20~28h球磨，然后在300 ℃下进行...
    2026-04-10
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