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  • 本发明公开了一种陶瓷砖超白胚的制备方法,属于陶瓷砖技术领域,包括以下步骤:1)优化白料胚体配方,制备白料胚体胚料;2)制备普通胚料;3)使用智能布料车,先布一层白料胚体胚料,再布一层普通胚料,然后压制成型;4)采用高温慢烧工艺,使胚体完全瓷...
  • 本发明提供了一种基于筛余料的陶瓷坯体、陶瓷砖及其制备方法,所述陶瓷坯体的原料按质量百分比计,包括:筛余料4.5~6%、铝矿7~10%、青砂8~12%、强泥18~25%、膨润土6~10%、镁质泥2~4%、青川浆28~30%、瓷粉4~5%、抛光...
  • 本发明公开一种利用含铝含硅原料制备莫来石耐火材料的方法及所得材料,属于耐火材料制备领域。该方法先选天然矿物和/或经预处理的工业固体废弃物为主料,按配方控制坯料中Al22O33与SiO22摩尔比;再经湿法均化细磨、真空练泥成形、干燥后,通过两...
  • 本发明公开了一种利用硅矿尾矿富集氧化铝并制备莫来石耐火材料的方法。该方法首先将硅矿尾矿球磨至‑74μm粒级含量为60%–70%,再经泡沫浮选处理,通过调节矿浆pH值、矿浆浓度、捕收剂用量、空气量和泡沫层厚度等工艺参数,实现含铝矿物与脉石的高...
  • 本发明公开了一种梯度热膨胀补偿的四元复合陶瓷材料的制备方法,包括如下步骤:1)将堇青石、莫来石粉体、40‑60%Y‑La‑ZrO22粉体和复合助剂球磨混合均匀;2)加入剩余20‑30%Y‑La‑ZrO22粉体,机械搅拌分散均匀;3)将浆料通...
  • 一种具有高磁导率低铁磁共振线宽的微波铁氧体材料及其制备方法,属于电子信息材料及微纳电子领域。所述的具有高磁导率低铁磁共振线宽的微波铁氧体为尖晶石结构;具体提供了一种通过Zn2+2+离子占据A位提升磁导率、In3+3+离子改性铁磁共振线宽的方...
  • 本发明公开了一种多掺杂Z型六角铁氧体磁电耦合陶瓷及其制备方法,属于功能陶瓷技术领域。本发明要解决现有Z型六角铁氧体陶瓷磁电耦合系数低、磁电耦合温度不高的问题。本发明的磁电耦合陶瓷的化学式为Ba1.51.5Sr1.51.5Co1.251.25...
  • 本发明涉及无机非金属功能陶瓷材料技术领域,公开了一种位错诱导极性漩涡结构弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法和应用,该材料化学式为(1‑x)Ba0.50.5Bi0.50.5Ti0.50.5Fe0.50.5O33‑xCa0.70.7La0.20.2Z...
  • 本发明公开了一种新型高温隐身材料及制备方法,属于电磁隐身材料技术领域;所述材料为M1212Al1414O3333,其中M为Be、Mg、Ca、Sr或Ba;制备方法以Al(NO33)33·9H22O和M(NO33)22·4H22O为Al源和M源...
  • 本发明公开了一种两步烧结制备YAG透明陶瓷的方法,包括以下步骤:1)按化学计量比称量氧化钇及氧化铝粉体,混合后进行固相反应合成YAG粉体;2)将所得YAG粉体进行干磨、湿磨,得混合浆料;3)将所得混合浆料进行干燥获得粉体,再经压制成型,冷等...
  • 本发明涉及炼钢用耐火材料技术领域,尤其涉及一种长寿命精炼钢包砖及其制备方法。本发明提供的长寿命精炼钢包砖由混合料和结合剂组成;混合料包括如下重量份数的原料:粒度≤8mm的RH镁铝尖晶石砖回收料55‑84份、粒度≤1mm的电熔镁砂5‑9份、大...
  • 本发明涉属于压敏陶瓷材料制备技术领域,尤其涉及一种多元素掺杂ZnO压敏陶瓷及其制备方法和应用。该制备方法包括(1)镓源、镍源、锆源、硝酸铝与溶剂混合后,调pH至7‑8,得到混合液;镓源包括硝酸镓和/或醋酸镓;镍源包括硝酸镍和/或醋酸镍;锆源...
  • 本发明涉及一种PTC加热陶瓷,尤其是一种无铅、低阻、高耐压的PTC加热陶瓷及其制备方法。PTC加热陶瓷,包括主料、配料、烧结助剂,所述主料包括ZnO、NiO、TiO22,所述配料包括Nb22O55、La22O33、Sb22O33中的一种或多...
  • 本发明涉及钙钛矿结构二维材料技术领域,提供了一种沿<001>择优取向片状钛酸钙微晶材料及其制备方法和应用。本发明基于钙钛矿结构CaTiO33氧化物,在A位掺杂稀土元素La或Nd或Sm,以Bi44Ti33O1212为前驱体,通过原位拓扑微晶转...
  • 本发明公开了一种低电场下高储能密度的Nd/Ce/Co/Al/Mn掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法,针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、...
  • 本发明公开了一种低电场下高储能密度的Nd/Sm/Co/Sc/Sn掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法,针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、...
  • 本发明公开了一种低电场下高储能密度的La/Sm/Zn/Ga/Sn掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法,针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、...
  • 本发明公开了一种热障涂层粉体及其制备方法,属于镀覆材料技术领域。所述制备方法包括:将碳酸锆与碳酸钇加入水中混合均匀,加入表面活性剂和亲水多羟基小分子并加热反应,得到前驱体溶液;将所述前驱体溶液与纳米氧化锆热障涂层粉体混合均匀,得到反应混合体...
  • 本发明公开了一种基于双成分强化5Y‑PSZ牙用陶瓷材料及其制备方法,涉及陶瓷材料制备技术领域。该方法包括以下步骤:将ZrCl44和去离子水混合,滴入氨水溶液,制得m‑ZrO22纳米陶瓷粉体;将ZrOCl22·8H22O、Y(NO33)33·...
  • 本发明公开了一种低电场下高储能密度的La/Ce/Ni/Ga/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法,针对(Bi0.50.5Na0.50.5)0.60.6(Ba0.30.3Sr0.70.7)0.40.4TiO33陶瓷材料A位的Bi3+3+、...
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