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最新专利技术
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202511001932.2
    提供了显示装置和电子装置。该显示装置包括：显示面板，包括：显示单元；以及封装层，在显示单元上，其中，显示面板包括折叠区域和非折叠区域，显示单元包括：基板；晶体管，在基板上；第一电极，在晶体管上；分隔壁，在第一电极上并且包括限定发光区域和非发...
    2026-01-27
  • 显示面板及其制作方法和显示装置
    显示面板及其制作方法和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202511528192.8
    本公开是关于一种显示面板及其制作方法和显示装置，属于显示器领域。显示面板包括：基板，基板具有显示区域、外围区域和焊盘区域；第一挡墙，位于外围区域且围绕显示区域的四周；平坦化层，位于第一挡墙内，第一挡墙与平坦化层之间具有第一凹槽，沿平坦化层的...
    2026-01-27
  • 显示面板的制备方法及显示面板
    显示面板的制备方法及显示面板_惠科股份有限公司_202511936441.7
    本申请属于显示技术领域，具体涉及显示面板的制备方法及显示面板，制备方法包括如下步骤：提供衬底基板，衬底基板具有阵列排布的多个像素区域，每个像素区域内形成有机发光单元，有机发光单元上覆盖有封装层；在封装层上形成光学调节层，光学调节层用于调控入...
    2026-01-27
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202410975720.3
    本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明公开的制备方法，将包含添加剂的钙钛矿前驱体溶液涂敷到带有第一电荷传输层的导电基底上，制备钙钛矿吸光层，TBMA‑TFSI的应用，可有效降低钙钛矿表面电阻，促进...
    2026-01-27
  • 一种钙钛矿薄膜及其钙钛矿太阳能电池和制备方法
    一种钙钛矿薄膜及其钙钛矿太阳能电池和制备方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202410975722.2
    本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其钙钛矿太阳能电池和制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明公开的制备方法，添加剂二氢左旋葡萄糖酮在钙钛矿结晶过程中，通过与有机阳离子作用，改变钙钛矿薄膜的结晶中间相过程，提高钙钛矿薄膜的结晶性，实现调控结...
    2026-01-27
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510991007.2
    本申请提供了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件，钙钛矿太阳电池的制备方法包括钝化层的制备，钝化层的制备包括以下步骤：在钙钛矿吸光层的表面施加钝化溶液，退火处理形成钝化层；其中，钝化溶液中包括溶剂和溶解于溶剂中的双胍盐，溶剂包括全氟叔丁...
    2026-01-27
  • 一种图案化有机单晶本征线性偏振发光器件制备方法及器件
    一种图案化有机单晶本征线性偏振发光器件制备方法及器件_苏州大学_202511214830.9
    本发明公开了一种图案化有机单晶本征线性偏振发光器件制备方法，涉及偏振光学技术领域，制备方法包括包括制备大面积有机单晶层、形成阵列的发光区域、电连接有机单晶层和发光区域；偏振发光器件包括基底、有机单晶层、绝缘层、功能层和电极，本发明采用液面辅...
    2026-01-27
  • 一种基于电解质栅介质的N型聚合物晶体管的制备方法
    一种基于电解质栅介质的N型聚合物晶体管的制备方法_无锡职业技术学院_202511488089.5
    本发明涉及电子信息技术领域，具体涉及一种基于电解质栅介质的N型聚合物晶体管的制备方法。包括以下步骤：半导体溶液和栅介质溶液的配制，栅介质溶液由聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物P(VDF‑co‑TrFE)、离子液体与聚合物基质共同溶解于溶剂配制。采...
    2026-01-27
  • 一种基于钛/铝/钛叠层接触电极的N型聚合物晶体管的制备方法
    一种基于钛/铝/钛叠层接触电极的N型聚合物晶体管的制备方法_无锡职业技术学院_202511488090.8
    本发明涉及电子信息技术领域，具体涉及一种基于钛/铝/钛叠层接触电极的N型聚合物晶体管的制备方法。包括以下步骤：半导体溶液和栅介质溶液的配制，栅介质溶液由丙烯酸正丁酯溶解于溶剂配制。采用真空蒸镀的方式，分别使用钛、铝、钛金属颗粒，在衬底上叠层...
    2026-01-27
  • 一种通过化学竞争配位提升钙钛矿材料热稳定性的方法
    一种通过化学竞争配位提升钙钛矿材料热稳定性的方法_贵州大学_202511369555.8
    本发明涉及一种通过化学竞争配位提升钙钛矿材料热稳定性的方法，属于光电材料与器件稳定性技术领域。本发明提出通过向碘化铅前驱体溶液中引入双位点添加剂盐酸乙哌立松(EH)，在钙钛矿器件制备过程中实现与残留溶剂DMSO的竞争配位，从而有效促进DMS...
    2026-01-27
  • 电子装置制造方法
    电子装置制造方法_三星显示有限公司_202510902619.X
    公开是一种电子装置制造方法，其包括：形成基础层；形成电路元件层；以及形成显示元件层。形成显示元件层包括：在第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中的每个中形成第一阳极；在第一阳极上形成第一蚀刻停止层；在第一蚀刻停止层上形成第一绝缘层；形成...
    2026-01-27
  • 一种梯度掺杂钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构及其制备方法
    一种梯度掺杂钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构及其制备方法_东南大学成贤学院_202511881417.8
    本发明公开了一种梯度掺杂钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构及其制备方法，在电子传输层和空穴传输层中间的钙钛矿层分为两层，接近电子传输层的钙钛矿层为富含溴离子的钙钛矿底层，在所述富含溴离子的钙钛矿底层与空穴传输层之间为富含碘离子的钙钛矿顶层；所述...
    2026-01-27
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_石家庄诚志永华显示材料有限公司_202410971551.6
    本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的第一有机层和第二有机层，其中，所述第一有机层包含结构通式如式I所示的第一化合物，第二有机层包含结构通式如式II所示的第二化合物，W选自O或S。本发明...
    2026-01-27
  • 组合物及其制备方法、光电器件、显示装置
    组合物及其制备方法、光电器件、显示装置_广东聚华新型显示研究院_202410980532.X
    本申请公开了一种组合物及其制备方法、光电器件、显示装置，涉及显示技术领域。组合物包括P型半导体材料和超分子化合物，超分子化合物包括主体分子和客体分子，主体分子包括心环烯及心环烯衍生物中的一种或几种，客体分子包括富勒烯及富勒烯衍生物中的一种或...
    2026-01-27
  • 压电薄膜传感器及压电薄膜传感器的制造方法
    压电薄膜传感器及压电薄膜传感器的制造方法_株式会社村田制作所_202510775935.5
    本发明提供一种在粘贴于被粘物的曲面部分的情况下也能够抑制回弹的压电薄膜传感器及压电薄膜传感器的制造方法。压电薄膜传感器是层叠有压电薄膜、第1电极、第2电极以及第1基材的层叠体构造，所述压电薄膜具有第1主表面及第2主表面，所述第1电极配置于所...
    2026-01-27
  • 磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410973755.3
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法，其中磁阻式随机存取存储器包含一底电极、一自旋轨道转矩层、一磁隧穿结以及一顶电极。自旋轨道转矩层设置于底电极上，磁隧穿结设置于自旋轨道转矩层上，顶电极设置于磁隧穿结上，其中顶电极包含一金属碳...
    2026-01-27
  • 一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法
    一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法_复旦大学_202511535394.5
    本申请公开了一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法，属于存储技术领域，该器件包括：衬底、牺牲层和自卷曲管状结构；自卷曲管状结构的第一端设置在牺牲层表面，自卷曲管状结构的第二端向内卷曲；自卷曲管状结构自外向内依次设置有绝缘保护层、应变驱动层、图...
    2026-01-27
  • 磁传感器及其制造方法
    磁传感器及其制造方法_TDK株式会社_202510986220.4
    本发明涉及磁传感器及其制造方法。磁传感器具备多个磁轭、多个MR元件、以及多个桥接电路。多个磁轭包含在第一方向上配置于相同位置的多个第一磁轭。多个桥接电路包含在第一方向上配置于互不相同的位置且被配置为夹着多个第一磁轭的第一桥接电路及第二桥接电...
    2026-01-27
  • 电子设备、磁阻器件及其制备方法
    电子设备、磁阻器件及其制备方法_苏州凌存科技有限公司_202511942883.2
    本申请公开了一种电子设备、磁阻器件及其制备方法。该磁阻器件包括：衬底；磁响应器件，设于所述衬底的一侧，且包括磁性功能层；电感线圈，与所述磁响应器件位于所述衬底的同一侧；所述电感线圈包括第一走线和第二走线，所述第二走线位于所述第一走线背向所述...
    2026-01-27
  • 基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用
    基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用_西安电子科技大学_202511661407.3
    本发明公开了一种基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用，以二氧化碲为蒸发源，将TiN/HZO的衬底置于真空蒸镀设备中蒸镀二氧化碲薄膜，最后在二氧化碲薄膜上蒸镀金属电极并进行空气退火得到所述自整流忆阻器，其表现出良好的开关特性和...
    2026-01-27
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