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最新专利技术
  • 一种SiC开关器件及制备方法
    一种SiC开关器件及制备方法_深圳方正微电子有限公司_202511335703.4
    本申请提供一种SiC开关器件及制备方法，该制备方法包括提供一衬底层；在衬底层上设置外延层；在外延层上采用中温工艺制备过渡膜层，在过渡膜层上设置掩蔽层，掩蔽层暴露出部分过渡膜层；其中，中温工艺制备过渡膜层的制备温度为300℃至800℃；在掩蔽...
    2026-04-29
  • 具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法
    具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511352078.4
    本申请提供一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法，其中在制造方法中，在屏蔽栅上的隔离介质层表面以及沟槽上半部分侧壁上形成TEOS层，然后进行热退火处理，接着通过湿法刻蚀工艺去除沟槽侧壁上的TEOS层和隔离介质层上靠近沟槽中间的TEO...
    2026-04-29
  • 一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法
    一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法_复旦大学_202511391446.6
    本发明公开一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法。该集成高热导介质碳化硅场效应晶体管包括：碳化硅外延片；第二掺杂类型阱区，形成在碳化硅外延层的上部；第一掺杂类型JFET区，形成在第二掺杂类型阱区下方；第一掺杂类型源区和形成在第一...
    2026-04-29
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406372.9
    本申请提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中在制备方法中，通过在在第一导电类型的主外延层中的沟槽中依次形成第一内芯结构、第一子外延层、第二内芯结构、第二子外延层、第N内芯结构和第N子外延层直至填充满整个沟槽，其中，N为大于等于2的整数。本...
    2026-04-29
  • 应用于SGT器件制作中的工艺方法
    应用于SGT器件制作中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406447.3
    本申请公开了一种应用于SGT器件制作中的工艺方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有深沟槽，衬底和深沟槽表面形成有第一氧化物层，深沟槽的深度和宽度的比值大于6；在第一氧化物层上形成第一多晶硅层，第一多晶硅层填充深沟槽；进行各向同性刻蚀，去除深沟...
    2026-04-29
  • 一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构
    一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构_粤芯半导体技术股份有限公司_202511478389.5
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构。目前VDMOS器件的沟槽深宽比过大使得在屏蔽栅多晶硅间隙填充过程中，容易出现底填充孔隙及贯穿沟槽的缝隙，该缝隙导致在后续刻蚀工艺中，屏蔽栅多晶硅顶部常...
    2026-04-29
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管
    屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管_芯联集成电路制造股份有限公司_202511513621.4
    本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管，方法包括：提供半导体材料层，半导体材料层内形成有从上表面延伸至内部的沟槽；形成覆盖沟槽的内壁的介质层；在被介质层覆盖后的沟槽中填充多晶硅层，多晶硅层的顶部具有凹陷；形成填充凹陷...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511527840.8
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底上形成栅极；形成覆盖与栅极邻接的半导体衬底表面和栅极侧壁的第一氧化层；形成覆盖半导体衬底表面、栅极表面和第一氧化层表面的叠层结构，叠层结构包括第一介质层和第二氧化层，并进行刻蚀...
    2026-04-29
  • 具有抑制Fe掺杂尾迹效应的GaN HEMT及其制备方法
    具有抑制Fe掺杂尾迹效应的GaN HEMT及其制备方法_西安电子科技大学_202511657458.9
    本申请提供了一种具有抑制Fe掺杂尾迹效应的GaN HEMT及其制备方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、Fe掺杂的GaN缓冲层；在GaN缓冲层上交替多次生长单层AlN和单层GaN得到AlN/GaN超晶格叠层；在AlN/GaN超晶格叠层上依...
    2026-04-29
  • 一种栅槽形貌精确可控的T型栅及其制备方法
    一种栅槽形貌精确可控的T型栅及其制备方法_西安电子科技大学_202511657484.1
    本发明公开了一种栅槽形貌精确可控的T型栅及其制备方法，该方法包括：获取外延基片，并在其表面沉积钝化层；在钝化层的上表面旋涂热回流光刻胶，并进行曝光和显影，形成第一光刻胶图案；对样品进行热回流处理，使第一光刻胶图案转变为第二光刻胶图案；以第二...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511367763.4
    本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域。该结构包括衬底、外延层、源漏区及栅极。其特征在于，在贯穿介电层的源极接触孔内部，设置有从源极区向下贯穿外延层并延伸至衬底的源极通孔；导电材料填充所述通孔和接触孔，实现源极区与衬底的...
    2026-04-29
  • 高电子迁移率晶体管及其制备方法
    高电子迁移率晶体管及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511877721.5
    本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，利用石墨烯场板采代替传统的金属场板，石墨烯材料相对于金属材料，其载流子迁移率更高，其电阻尤其在高频状态下远低于金属材料，可以降低器件的电阻损耗，金属场板因表面粗糙度和应力的关系，对于场板下方的介...
    2026-04-29
  • 一种具有高阈值电压的常关型的晶体管及其制作方法
    一种具有高阈值电压的常关型的晶体管及其制作方法_北京纳米能源与系统研究所_202511893071.3
    本申请公开了一种具有高阈值电压的常关型的晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底、以及依次叠层设于衬底之上的缓冲层、沟道层、势垒层和栅极；沟道层包括GaN，势垒层包括AlGaN，沟道层和势垒层形成二维电子气层；栅极包括p‑GaN和原子插层，原子插...
    2026-04-29
  • 一种具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaN HEMT器件
    一种具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaN HEMT器件_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511924945.7
    本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaN HEMT器件，包括衬底、氮化镓结构和场效应晶体管；所述氮化镓结构包括缓冲层、氮化镓通道层、铝镓氮势垒层、漏极一、源极一、P型氮化镓层和栅极一；所述场效应...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410940556.2
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于提高半导体器件的电学性能。半导体器件包括：基底，以及位于基底上的第一极、第二极、多个沟道层和栅极结构。多个沟道层位于第一极和第二极之间，沟道层的一端与第一极连接，沟...
    2026-04-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510802265.1
    一种半导体装置，包括：下层间绝缘层；位于下层间绝缘层的上表面上的绝缘图案；位于绝缘图案上的多个底部纳米片；位于多个底部纳米片上的纳米片隔离层，纳米片隔离层包括绝缘材料；位于纳米片隔离层的上表面上的多个上纳米片；位于绝缘图案上的栅电极，栅电极...
    2026-04-29
  • 屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法
    屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511924995.5
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：半导体衬底；外延层；多个沟槽，形成在外延层中；源介质层，设置于沟槽的下部；第一多晶硅层，填充于沟槽的下部；栅介质层，设置于沟槽的上部；第二多晶硅层，设置于沟槽的上部，第一多晶硅层与第...
    2026-04-29
  • 一种高电子迁移率氧化镓基环栅鳍式晶体管及制作方法
    一种高电子迁移率氧化镓基环栅鳍式晶体管及制作方法_西安电子科技大学_202511405167.0
    本发明公开了一种高电子迁移率氧化镓基环栅鳍式晶体管及制作方法，主要解决现有同类器件沟道迁移率小，导通电阻大和电流拥挤效应的问题。其包括衬底(1)、阻挡层(2)、沟道层(3)、沟道层外环和中心区域的源漏电极(4, 5)、源漏电极之间的栅介质层...
    2026-04-29
  • 一种低导通电阻的氧化镓基场效应晶体管及制作方法
    一种低导通电阻的氧化镓基场效应晶体管及制作方法_西安电子科技大学_202511405168.5
    本发明公开了一种低导通电阻的氧化镓基功率场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有技术沟道导通电阻大、击穿电压低的问题。其自下而上包括衬底、阻挡层、导电沟道层，该导电沟道层和阻挡层的一端贯穿有沿着栅宽方向分布的若干凹槽，凹槽内设有铁电极化层，相...
    2026-04-29
  • 高电子迁移率氧化镓基横向FinFET器件及制备方法
    高电子迁移率氧化镓基横向FinFET器件及制备方法_西安电子科技大学_202511405172.1
    本发明公开了一种高电子迁移率氧化镓基横向FinFET器件，主要解决现有同类器件沟道迁移率小，导通电阻和热阻效应大的问题。其自下而上包括衬底(1)、阻挡层(2)、沟道层(3)，该沟道层(3)采用Fin结构，其两端分别为源电极(4)和漏电极(5...
    2026-04-29
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