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最新专利技术
  • 一种半导体器件的制备方法以及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法以及半导体器件_苏州华太电子技术股份有限公司_202511379001.6
    本申请实施例提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底一侧形成外延层，所述衬底与所述外延层的掺杂类型不同；对所述外延层进行掺杂处理，形成堆叠的体区、沟道区和栅极；所述栅极位于所述沟道区远离所述衬底的一侧；...
    2026-01-25
  • 基于湿法工艺顺序抑制VDMOS产品漏源漏电方法
    基于湿法工艺顺序抑制VDMOS产品漏源漏电方法_西安龙威半导体有限公司_202511426051.5
    本发明公开了一种基于湿法工艺顺序抑制VDMOS产品漏源漏电方法，解决了传统固定顺序工艺存在的清洗不彻底、栅氧损伤大及二次污染风险高等问题。该方法首先采用稀氢氟酸溶液对晶圆进行初次弱腐蚀，去除自然氧化层并松动表层聚合物；随后使用硫酸‑过氧化氢...
    2026-01-25
  • 半导体器件及其形成方法和电子设备
    半导体器件及其形成方法和电子设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511431138.1
    本申请提供一种半导体器件及其形成方法和电子设备，能够有效优化了不同尺寸的栅极开口内功函数金属层的刻蚀工艺，提高半导体器件的电学性能与制程良率。形成半导体器件的方法包括：提供基体，基体上具有层间介电层，层间介电层的第一栅极开口与第二栅极开口的...
    2026-01-25
  • 一种分裂栅半导体器件及其制备方法
    一种分裂栅半导体器件及其制备方法_安建科技(深圳)有限公司_202511462049.3
    一种分裂栅半导体器件及其制备方法，为克服目前在制备分裂栅半导体器件过程中存在的问题，本发明的采用沉积方式控制分裂栅结构的厚度，该方法不依赖于光刻工艺的对准精度，且无需额外增加掩膜版，能确保左右两侧分裂栅厚度的一致性，避免出现单侧栅极缺失或分...
    2026-01-25
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511471709.4
    一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有外延层，外延层中形成有沟槽，沟槽的侧壁上形成有牺牲侧墙；刻蚀位于沟槽底部的外延层，以增加沟槽的深度；执行热氧化工艺，使位于沟槽底部的外延层氧化形成底部屏蔽介质层；...
    2026-01-25
  • 一种基于TMD纳米管的高迁移率电学器件及其制备方法
    一种基于TMD纳米管的高迁移率电学器件及其制备方法_西北工业大学_202511474349.3
    本发明提供了一种基于TMD纳米管的高迁移率电学器件及其制备方法，该电学器件采用高度掺杂Si/SiO22衬底结构，以SiO22作为全局底栅，Si作为栅介质，制备时通过机械剥离结合PMMA支撑层，将结构完整、表面洁净的纳米管阵列转移至SiO22...
    2026-01-25
  • 一种材料级的正向抗辐照加固氧化镓MOSFET及制备方法
    一种材料级的正向抗辐照加固氧化镓MOSFET及制备方法_西安电子科技大学_202511474369.0
    本发明公开了一种材料级的正向抗辐照加固氧化镓MOSFET及制备方法，包括：在铁掺氧化镓半绝缘衬底层上生长氧化镓缓冲层和沟道层；对其进行电离辐射调控，生成优化的β‑Ga22O33外延材料；在氧化镓沟道层两端制备源极和漏极电极；在斜鳍栅区域沿栅...
    2026-01-25
  • 一种半导体工艺方法及半导体器件
    一种半导体工艺方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511676182.9
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体器件，方法包括：第一、第二阻挡层依次覆盖半导体结构表面，第一阻挡层薄于第二阻挡层；形成侧壁的第二阻挡层得到栅极结构侧壁及第二阻挡层底部的第一阻挡层；去除第二阻挡层；LDD离子注入形成阶梯型浅掺杂分布；漏极...
    2026-01-25
  • 高压半导体器件及其制造方法
    高压半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511834633.7
    本发明提供一种高压半导体器件及其制造方法，通过在传统有源区刻蚀步骤中同步于漂移区内刻蚀出场板条形槽，并在后续工艺中于槽内填充掺杂多晶硅形成嵌入式场板结构。与现有技术相比，彻底解决了大尺寸接触孔导致的工艺可靠性问题，且在提升器件性能的同时大幅...
    2026-01-25
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511850942.3
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，所述衬底上具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成侧墙氧化层；在所述侧墙氧化层上形成应力记忆层并进行第一退火工艺；去除所述应力记忆层及部分厚度的所述侧墙氧化层；对剩余的所述侧墙氧化层进...
    2026-01-25
  • 一种半导体器件及制造方法
    一种半导体器件及制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861595.4
    本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现在较长的多晶硅沟道上形成凹槽结构后，针对凹槽结构两侧的侧壁氧化层的回刻工艺会在凹槽结构的肩部区域形成深宽比极高的高深宽比区域，该高深宽比区域的深宽比远超高密度等离子体氧化物沉...
    2026-01-25
  • 一种氮化镓器件、制备方法和芯片
    一种氮化镓器件、制备方法和芯片_中兴通讯股份有限公司_202410872681.4
    本申请实施例提供了一种氮化镓器件、制备方法和芯片，氮化镓器件包括外延层和形成于外延层上的源极、漏极和栅极；漏极与外延层形成肖特基接触和阵列化间隔分布的欧姆接触，改善了漏极一侧的电场分布并降低了氮化镓器件的输出电容，提高了氮化镓器件的击穿电压...
    2026-01-25
  • 氮化镓基增强型功率器件及其制备方法
    氮化镓基增强型功率器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410879903.5
    本申请提出一种氮化镓基增强型功率器件及其制备方法，该氮化镓基增强型功率器件可以包括衬底；异质结构，异质结构包括在衬底上沿远离衬底的方向依次形成的氮化镓缓冲层、Al(In，Ga)N势垒层及(In)GaN欧姆接触层；Al(In，Ga)N势垒层的...
    2026-01-25
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410909907.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的金刚石衬底、SiC中间层以及器件层；其中，金刚石衬底靠近SiC中间层一侧包括多个间隔分布的第一凹槽，SiC中间层靠近金刚石衬底一侧包括多个间隔分布的第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽...
    2026-01-25
  • 一种高质量氮化镓外延层及其生长方法
    一种高质量氮化镓外延层及其生长方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511297616.4
    本发明涉及一种高质量氮化镓外延层及其生长方法。其中高质量氮化镓外延层由下至上依次包括衬底；形成于所述衬底上的纳米锥阵列；形成于所述纳米锥阵列上和未覆盖纳米锥阵列的衬底上的BN/石墨烯层；形成于所述BN/石墨烯层上的AlN量子点成核层；形成于...
    2026-01-25
  • 一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法
    一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法_复旦大学_202511391439.6
    本发明公开一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法。该MOSFET结构包括：P++型掺杂的金刚石衬底；P‑‑漂移层，形成在P++型掺杂的金刚石衬底上；N型阻挡层，形成在P‑‑漂移层上；沟槽，其贯穿N型阻挡层，延伸至P‑‑漂...
    2026-01-25
  • 一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法
    一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511426054.9
    本发明公开了一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层与势垒层叠层结构、以及钝化层；源极和漏极，分别位于钝化层和沟道层与势垒层叠层结构的两侧，且延伸至缓冲层；栅极，...
    2026-01-25
  • 氮化镓双向器件及其制作方法
    氮化镓双向器件及其制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511428127.8
    本申请提供了一种氮化镓双向器件，包括外延结构、形成在所述外延结构上的第一源极、第二源极、第一栅极以及第二栅极；所述第一源极和所述第二源极位于所述第一栅极和所述第二栅极的外侧，所述第一栅极位于所述第一源极和第二栅极之间；所述第一源极包括第一源...
    2026-01-25
  • 一种阶梯状刻蚀多通道P-GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法
    一种阶梯状刻蚀多通道P-GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法_西安电子科技大学_202511505497.7
    本发明涉及一种阶梯状刻蚀多通道P‑GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法，属于氮化镓半导体器件技术领域。该阶梯状刻蚀多通道P‑GaN栅控常关型氮化镓功率器件，从下至上依次设置有衬底层、缓冲层、第一组异质结层、第二组异质结层……第n组异质结...
    2026-01-25
  • 一种HEMT器件
    一种HEMT器件_厦门市三安集成电路有限公司_202511625734.3
    本发明公开了一种HEMT器件，包括衬底以及设置于衬底上的外延层，所述外延层上间隔设置有源极和漏极，所述源极和所述漏极之间设置有栅极，所述外延层上还设置有位于所述栅极至少一侧的导热件，所述衬底背离所述外延层的一侧设置有接地金属层，在器件的有源...
    2026-01-25
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