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最新专利技术
  • 一种基于相变散热的机箱结构及传热热阻计算方法
    一种基于相变散热的机箱结构及传热热阻计算方法_中国船舶集团有限公司第七二四研究所_202511818805.1
    本发明公开一种基于相变散热的机箱结构及传热热阻计算方法，通过进液流道、上冷板和下冷板内部的冷却通道、回气流道的设计，形成了完整的气液两相流道；上冷板和下冷板上设置的导热翅片与板卡接触，实现换热；解决机柜散热时风冷机箱高度依赖风道布局且噪声较...
    2026-01-26
  • 可折叠均温板及其制备工艺
    可折叠均温板及其制备工艺_日善电脑配件(嘉善)有限公司_202511855470.0
    本发明属于3C配件技术领域，尤其涉及一种可折叠均温板及其制备工艺。它解决了现有技术设计不合理等缺陷。本可折叠均温板包括至少两均温板体，所述可折叠均温板还包括连接相邻两所述均温板体并且由柔性结构层和金属材料层复合得到的柔性复合结构件，所述均温...
    2026-01-26
  • 服务器散热装置和服务器散热控制方法
    服务器散热装置和服务器散热控制方法_苏州元脑智能科技有限公司_202511864194.4
    本申请公开了一种服务器散热装置和服务器散热控制方法，其中服务器散热装置，包括散热回路、用于与散热回路换热的换热回路、冷却组件、换热箱，散热回路具有沿第一冷却介质的流动方向依次连通的第一散热段、第一换热段、冷却件，冷却件用于与负载换热；换热回...
    2026-01-26
  • 一种复合型聚合物基电磁屏蔽材料及其制备方法和应用
    一种复合型聚合物基电磁屏蔽材料及其制备方法和应用_荆楚理工学院_202511356163.8
    本发明提供了一种复合型聚合物基电磁屏蔽材料及其制备方法和应用，属于电磁屏蔽材料技术领域，其中，复合型聚合物基电磁屏蔽材料，包括依次叠设的导电层和磁性层；导电层包括第一纤维素基膜和分散在第一纤维素基膜中的MXene和MWCNT；磁性层包括第二...
    2026-01-26
  • 一种用于椭球空间磁场屏蔽的三轴屏蔽线圈
    一种用于椭球空间磁场屏蔽的三轴屏蔽线圈_北京航空航天大学_202511656160.6
    本发明公开了一种用于椭球空间磁场屏蔽的三轴屏蔽线圈，属于磁屏蔽技术领域，包括：椭球形磁屏蔽空间，X轴线圈，Z轴线圈以及Y轴线圈，椭球形磁屏蔽空间包络在X轴线圈，Z轴线圈以及Y轴线的外部；磁屏蔽有效区位于X轴、Z轴及Y轴线圈的内部；X轴线圈的...
    2026-01-26
  • 一种用于人体磁共振检查的防眩晕磁场屏蔽装置
    一种用于人体磁共振检查的防眩晕磁场屏蔽装置_四川省肿瘤医院_202511767915.X
    本发明公开了一种用于人体磁共振检查的防眩晕磁场屏蔽装置，涉及磁共振检查技术领域。本发明具体包括罩体和磁屏蔽层，所述罩体为筒状结构，所述筒状结构内部设置有用于容纳头部的空间，所述磁屏蔽层设置于筒状结构内侧面和/或外侧面，所述磁屏蔽层由磁场定向...
    2026-01-26
  • 一种集成电路加工用贴片装置
    一种集成电路加工用贴片装置_东莞长盛塑胶电子有限公司_202511657735.6
    本发明属于集成电路加工技术领域，具体公开了一种集成电路加工用贴片装置，包括机箱，所述机箱上方中部设置有贴片设备，所述机箱上端两侧设置有输送机构，所述输送机构包括支撑块，多个所述支撑块一侧上部设置有液压缸，其中两个所述液压缸一侧与另外两个液压...
    2026-01-26
  • 一种适用小批量生产的半自动多芯贴片机
    一种适用小批量生产的半自动多芯贴片机_翼龙半导体设备(无锡)有限公司_202511725430.4
    本发明公开了一种适用小批量生产的半自动多芯贴片机，涉及芯片贴片技术领域，一种适用小批量生产的半自动多芯贴片机，包括用于芯片贴片处理的机体，所述机体上设置有多组用于物料输送的飞达，所述机体的内部承载放置有用于贴片处理的基板及芯片。本发明通过清...
    2026-01-26
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411421234.3
    本发明提供一种半导体装置的制造方法。方法包括以下步骤：在基板的主动区中形成第一沟槽，并在基板的隔离区中形成第二沟槽，其中第二沟槽的第二深度深于第一沟槽的第一深度。在第一沟槽与第二沟槽中形成底部导电层。在底部导电层上形成顶部导电层。在第一沟槽...
    2026-01-26
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510373014.6
    一种半导体装置包括：第一数据存储图案和第二数据存储图案；第一存储接触件和第二存储接触件，第一存储接触件在第一数据存储图案上，第二存储接触件在第二数据存储图案上；第一沟道图案和第二沟道图案，第一沟道图案在第一存储接触件上，第二沟道图案在第二存...
    2026-01-26
  • 半导体存储器装置以及制造半导体存储器装置的方法
    半导体存储器装置以及制造半导体存储器装置的方法_三星电子株式会社_202510709535.4
    提供了半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：分离绝缘层；在分离绝缘层上沿第一方向延伸的半导体图案，其中，半导体图案沿第二方向和第三方向彼此分离，其中，半导体图案中的每一个包括沟道区、第一杂质区和第二杂质区；字线...
    2026-01-26
  • 半导体装置及字线的制造方法
    半导体装置及字线的制造方法_南亚科技股份有限公司_202511499177.5
    一种半导体装置包括基板、第一字线结构、第一介电结构、掺杂区域及第一绝缘帽盖。第一字线结构设置于基板中。第一介电结构呈筒状并设置于基板与第一字线结构之间。掺杂区域设置于基板中，并毗邻第一字线结构。第一绝缘帽盖设置于第一字线结构之上，其中第一绝...
    2026-01-26
  • OTP器件的制造方法
    OTP器件的制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429855.0
    本发明提供一种OTP器件的制造方法，在衬底中形成浅沟槽隔离结构之后，先形成隔离层，隔离层覆盖衬底的表面；然后，对衬底执行退火工艺，退火工艺的气体包括氮气；接着，去除隔离层，以暴露出浅沟槽隔离结构及衬底；之后，形成浮栅介质层，浮栅介质层覆盖浅...
    2026-01-26
  • OTP器件的形成方法
    OTP器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429860.1
    本发明提供一种OTP器件的形成方法，在形成第一介质层和第二介质层之后；形成底部抗反射层，底部抗反射层覆盖选择栅区域的第二介质层，并暴露出浮栅上的部分厚度的第二介质层；以底部抗反射层为掩膜，刻蚀暴露出的第二介质层，以去除浮栅上的部分厚度的第二...
    2026-01-26
  • 闪存存储器及其制造方法
    闪存存储器及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394172.6
    本发明提供一种闪存存储器的制造方法，回刻字线材料层，字线材料层的顶表面高于第二侧墙的顶表面且低于第一侧墙的顶表面；执行快速热氧化工艺，将字线材料层的顶部氧化形成第一氧化层，以使字线材料层的顶表面不高于第二侧墙的顶表面；形成第二氧化层，第二氧...
    2026-01-26
  • 具有锐角的半导体结构及其制作方法
    具有锐角的半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410951453.6
    本发明公开一种具有锐角的半导体结构及其制作方法，其中具有锐角的半导体结构包含一半导体基底，一第一绝缘层覆盖并接触半导体基底，一第一导电元件设置于第一绝缘层上，第一导电元件包含一底面和一侧壁，底面接触第一绝缘层，底面和侧壁之间形成一锐角，锐角...
    2026-01-26
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411736638.1
    本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：源极结构；栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；第一沟道层，其包括延伸穿过栅极结构的第一穿透部分和宽度小于第一穿透部分并且突出到源极结构中的第一末端；第二沟道层，其包括延伸...
    2026-01-26
  • 三维半导体装置叠层、具有其的系统，及其操作方法
    三维半导体装置叠层、具有其的系统，及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410990295.5
    本发明提供一种三维半导体装置叠层、具有其的系统，及该三维半导体装置叠层的操作方法。三维半导体装置叠层包含第一与第二非易失性存储器阵列装置，以及功能性装置。第一与第二非易失性存储器阵列装置分别包含多个区块。功能性装置电性连接第一与第二非易失性...
    2026-01-26
  • 三维存储器及其制造方法
    三维存储器及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202511329809.3
    本发明提供一种三维存储器及其制造方法，所述制造方法包括：在衬底上形成第一区，所述第一区包括设置在所述衬底上的第一堆叠结构及第一沟道结构，所述第一沟道结构贯穿所述第一堆叠结构；在所述第一区上形成阵列共源极，所述第一沟道结构与所述阵列共源极连接...
    2026-01-26
  • 三维存储器装置及其形成方法
    三维存储器装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511826359.9
    在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第二半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括存储器单元阵列和与NAND存...
    2026-01-26
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