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  • 本发明公开了一种基于软模板法的颈状空心碳电极材料及其制备方法与应用,所述颈状空心碳电极材料以葡萄糖为碳源,油酸钠聚和环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物为双软模板,通过水热反应和高温活化制得颈部开口的空心碳材料,颈状空心碳电极材料具...
  • 本发明公开了一种金针菇基活性炭复合材料的制备方法及其应用,属于活性炭制备技术领域。所述金针菇基活性炭复合材料的制备方法包括以下步骤:将干燥的金针菇与磷酸溶液混合浸渍,烘干,在氮气气氛下碳化,得到活性炭GNKACs‑5;将活性炭GNKACs‑...
  • 本申请属于多孔碳材料技术领域,更具体地,涉及一种利用多元混合碱体系制备氮掺杂多孔碳材料的方法。通过采用极性溶剂萃取氧化沥青中的大分子重组分,然后与多元混合碱体系混合进行梯度刻蚀,其中采用第一活化剂进行相对低温的预活化,形成结构稳定的三维交联...
  • 本发明公开了一种高温湿氨‑氩混合气改性椰壳活性炭的方法,其技术方案包括以下步骤:S1:将活性炭加入去离子水中加热搅拌,搅拌后进行抽滤,然后收集样品进行干燥得到活性炭AC:S2:将样品放入管式炉中,通入氩气进行升温;S3:达到目标温度后,将氩...
  • 本发明属于二维材料制备技术领域,具体涉及一种催化法直接合成NbxTa2‑xS2C材料的方法。该方法使用铌粉、钽粉、硫粉和碳粉为原料,密封在安瓿瓶中隔绝空气,以卤素化合物或卤素单质为催化剂,在高温下直接合成NbxTa2‑xS2C。该方法在抽去...
  • 本发明属于半导体光电子技术领域,具体涉及一种Nb2CTx‑Mxene纳米片空穴注入层材料的制备方法,是将Nb2CTx‑Mxene纳米片分散于分散介质中形成分散液,涂覆于透明导电基底表面,经退火处理去除分散介质形成薄膜,再对薄膜进行紫外臭氧处...
  • 本发明涉及电石安装操作技术领域,具体涉及一种低耗能、高效率电石生产线模块化安装工艺,包括,炉体安装、原料贮运模块、炭材干燥模块、筛分配料模块、炉气净化模块、原料输送模块、电炉进料模块、电极糊加料模块和电石生产模块;所述原料贮运模块:石灰通过...
  • 本申请公开了碳化硅的提纯方法和碳化硅,碳化硅的提纯方法包括:采用强酸‑螯合酸复合溶液对碳化硅粗粉进行提纯,得到第一碳化硅固体;采用络合剂‑助溶剂复合溶液对所述第一碳化硅固体进行提纯,得到第二碳化硅固体;在真空条件下,对所述第二碳化硅固体进行...
  • 本发明公开了一种碳化硅纳米纤维与微球形貌碳化硅材料的制备方法;以有机硅为原材料,既作为硅源又作为碳源,在后续制备过程中不再加入任何原材料,通过调节原料内硅氧碳元素的比例,通过一次煅烧法可制备得到形貌可控的碳化硅纳米纤维材料。进一步地,也可以...
  • 本发明公开了一种变气氛处理光伏硅泥制备6H‑SiC粉体的方法,属于光伏硅泥高值化利用技术领域。光伏硅泥滤饼通过弱酸性动态洗涤除杂、打浆配料均化造粒制备二次团粒,控制烧结炉内低温段为氧化气氛使硅泥中有机物和造粒添加的有机粘结剂充分分解逸出,抽...
  • 本发明提供了一种减小硅颗粒尺寸得到纳米硅的制备方法,主要是通过轻稀土金属氧化物的催化作用断开了部分Si‑Si键,在高温熔盐的作用下断开的键使得大尺寸硅颗粒尺寸分裂开,变成了纳米尺寸的纳米硅颗粒。该方法制备简单,易规模化生产。
  • 本发明公开了一种废旧石英坩埚高效高值利用方法,属于二次资源高效利用及高值球形硅微粉制备技术领域。该方法是以废旧石英坩埚为原料采用闭路破磨工艺分别进行粗碎至20~50mm、中碎至5~15mm及细磨至<3mm后,再经过酸洗除杂、超细磨分级和高温...
  • 本发明公开了一种适用于小型实验装置的高纯硅烷制备方法,通过依次连接布设的主反应器、第二反应器、冷凝器、硅烷缓冲罐、增压泵和硅烷钢瓶,且氢气、氮气、四氟化硅物料经过同一质量流量控制器后注入主反应器,随后物料经过主反应器顶部气相出口管线进入第二...
  • 本申请涉及氟化工技术领域,具体公开了一种四氟化硅与氯化氢混合气体的分离方法。包括有步骤1、气体吸收准备:向气体吸收装置中充填有醇类吸收剂,并将气体吸收装置和活性炭纤维膜填充柱串联;步骤2、纯化:将氟硅酸法生产无水氟化氢的中间产物SiF4/H...
  • 本发明公开一种多段控温真空固相制备氧化亚硅同步原位改性的方法,属于氧化亚硅制备技术领域。本发明将废硅粉与二氧化硅的预制块在升温区进行分段升温,使废硅粉得到充分活化,促进硅与二氧化硅之间的固相反应充分进行,生成氧化亚硅气体;氧化亚硅进入挥发区...
  • 本发明公开了一种生产高纯石英砂的氯化工艺,涉及石英砂提纯技术领域。本发明第一阶段采用特定配比的含氯气体与非氯气体混合氛围,非氯气体引入微量CO;配合分段高温,采用前高后低的反应温度,保障了石英砂基体的完整性。第二阶段,无缝直接进入以HCl为...
  • 本发明涉及二氧化硅制备技术领域,尤其涉及一种低表面羟基浓度的沉淀法二氧化硅及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤:向容器内加入水和第一硅酸钠溶液,加热至55‑75℃后搅拌,滴加稀硫酸溶液,控制反应终点的pH在9.5‑11.0;升温至75...
  • 本发明提供了一种以稻壳灰为硅源制备二氧化硅的方法,及应用该二氧化硅制备的抛光液。通过酸洗过程提高二氧化硅的纯度,在液化过程中添加嵌段共聚物控制水玻璃的结构以及二氧化硅的球形度和分散性,找到了一种以稻壳灰为硅源制备抛光液磨料的方法,所制备的二...
  • 本发明涉及一种不含小颗粒的二氧化硅溶胶的制备方法。在一定温度下,将烷氧基硅烷溶液以变加入速度的方式滴加到碱性底液中,期间向底液中添加碱性溶液,来控制小颗粒的生成;最后,加水稀释,采用减压蒸馏的方式制备得到质量分数为15%‑20%、不含小颗粒...
  • 本发明公开了一种通过陶瓷膜进行硅溶胶浓缩的方法,属于陶瓷膜应用技术领域。该方法将低浓度硅溶胶原料液泵入陶瓷膜组件进行错流循环过滤,水分子等透过膜形成渗透液,被截留的二氧化硅粒子形成浓缩液并循环回流,使原料液浓度不断升高。为保证最终产品品质,...
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