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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、半导体器件阵列及激光雷达
    半导体器件及其制造方法、半导体器件阵列及激光雷达_上海禾赛科技有限公司_202410799371.4
    半导体器件及其制造方法、半导体器件阵列及激光雷达被公开。半导体器件包括衬底、光电转换结构、电阻层、第一金属结构，和第二金属结构。光电转换结构形成于衬底内；电阻层、第一金属结构，和第二金属结构形成于衬底上。第一金属结构与电阻层的第一端电连接，...
    2026-01-02
  • 雪崩光电探测器外延结构
    雪崩光电探测器外延结构_湖北九峰山实验室_202511729406.8
    本发明提供了一种雪崩光电探测器外延结构，包括依次叠设的衬底，缓冲层，吸收层，过渡层，电荷控制层，扩散停止层，帽层，欧姆接触层，所述扩散停止层为本征InP外延层。本发明通过插入合适厚度的扩散停止层，可以在相同的扩散条件下形成两层浓度与深度不同...
    2026-01-02
  • 基于氧化镓的偏振信号放大光电探测器及其制备方法
    基于氧化镓的偏振信号放大光电探测器及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511378137.5
    本发明提供了一种基于氧化镓的偏振信号放大光电探测器及其制备方法。基于氧化镓的偏振信号放大光电探测器包括：氧化镓单晶衬底；氧化镓光电探测器，设于氧化镓单晶衬底上，氧化镓光电探测器被配置为利用氧化镓材料的面内各向异性，对不同偏振方向的日盲紫外光...
    2026-01-02
  • 图像传感器的相位对焦像素结构及其形成方法
    图像传感器的相位对焦像素结构及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202410790639.8
    本发明公开了一种图像传感器的相位对焦像素结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底第一面形成第一沟槽隔离结构；通过对所述衬底第一面进行离子注入形成离子掺杂的光电二极管隔离结构；在与所述衬底第一面相对的第二面形成第二沟槽隔离结构；通过...
    2026-01-02
  • 传感器封装件、传感器模块及用于制造传感器模块的方法
    传感器封装件、传感器模块及用于制造传感器模块的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411048101.6
    本申请涉及一种传感器封装件、传感器模块及用于制造传感器模块的方法。一种传感器封装件可包括辐射透射衬底。传感器封装件可包括传感器模块，该传感器模块经由将该辐射透射衬底定位成远离该辐射透射衬底的有源区域的材料耦接到该辐射透射衬底。该传感器模块包...
    2026-01-02
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_三星电子株式会社_202510671522.2
    提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。图像传感器包括：包括第一表面和第二表面的第一衬底区域；与第二表面相邻的焊盘凹槽；在焊盘凹槽中的第一导电焊盘；在第一导电焊盘上并在焊盘凹槽内的第二导电焊盘；以及与第一导电焊盘电联接并至少部分地穿透第一衬...
    2026-01-02
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411475038.4
    本公开的一实施方式提供了一种影像感测器，包含第一四象限相位感测(quad phase detection，QPD)单元，包含四光电二极管、深沟槽隔离结构、格栅、彩色滤光器以及光学元件。光电二极管设置成两列乘两行的阵列。深沟槽隔离结构包含外墙...
    2026-01-02
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510830151.8
    本公开的各种实施例涉及一种半导体结构，其中半导体结构的电路组件分摊在各种IC管芯之中，这些IC管芯被配置为接收不同的电压以降低噪声和/或增强性能。例如，第一集成电路(IC)管芯包括第一半导体衬底，第二IC管芯包括第二半导体衬底。像素包括第一...
    2026-01-02
  • 光耦合单芯片结构及其制造方法
    光耦合单芯片结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411632802.4
    本发明提供一种光耦合单芯片结构及其制造方法，其中光耦合单芯片结构包含一外延衬底、一发光单元、一电性隔绝层及一收光单元。发光单元设置于外延衬底上，电性隔绝层设置于发光单元上，收光单元设置于电性隔绝层上。发光单元可因应一输入信号形成一光信号后，...
    2026-01-02
  • 一种局域结电池结构及其制备方法
    一种局域结电池结构及其制备方法_常州时创能源股份有限公司_202410744467.0
    本发明提供了一种局域结电池结构及其制备方法，包括以下步骤：S1、制绒；S2、涂膜；S3、开膜；S4、扩散；S5、后处理，形成具有局域结结构的光伏电池片。本发明的局域结电池结构，可以打破现有技术中传输电阻的限制，提升开路电压的同时，减小传输电...
    2026-01-02
  • 一种局域结电池结构及其制备工艺
    一种局域结电池结构及其制备工艺_常州时创能源股份有限公司_202410744605.5
    本发明提供了一种局域结电池结构及其制备工艺，包括以下步骤：S1、制绒；S2、硼扩；S3、碱抛；S4、背面生长；S5、磷扩；S6、开膜；S7、结构化；S8、后处理，形成具有局域结结构的光伏电池片。本发明的局域结电池结构，可以打破现有技术中传输...
    2026-01-02
  • 一种柔性光伏组件生产处理设备
    一种柔性光伏组件生产处理设备_长江三峡集团江苏能源投资有限公司_202511093999.3
    本申请涉及光伏组件生产技术领域，且公开了一种柔性光伏组件生产处理设备，包括底座，底座的两侧固定安装有两个伸缩杆，多个伸缩杆的上端固定连接有连接板，连接板的下表面固定连接有筒套，筒套的内部固定连接有滑杆，多个滑杆的底端固定连接有推板。本发明通...
    2026-01-02
  • 一种CZTSSe吸收层薄膜及其制备方法和应用
    一种CZTSSe吸收层薄膜及其制备方法和应用_鄂尔多斯应用技术学院_202511114628.9
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种CZTSSe吸收层薄膜及其制备方法和应用，包括如下步骤：S1、制备DMF溶液体系的CZTS前驱体溶液；S2、采用溶胶凝胶法制备CZTS前驱体薄膜；S3、将浓度在0‑0.2mol/L之间的NaF溶液涂...
    2026-01-02
  • 一种高压太阳电池净磁设计方法及其装置
    一种高压太阳电池净磁设计方法及其装置_中国电子科技集团公司第十八研究所_202511214932.0
    本发明提供一种高压太阳电池净磁设计方法，包括将太阳电池串以第一设定值为间距平行排布组成太阳电池组，太阳电池组固定设为四组，每组太阳电池组包含数量相同的太阳电池串；统一太阳电池串的正极和负极方向并绞合；对太阳电池组进行布局调整；对太阳电池组进...
    2026-01-02
  • TOPCon电池片等离子体电荷注入抗UV方法和TOPCon电池片
    TOPCon电池片等离子体电荷注入抗UV方法和TOPCon电池片_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511251862.6
    本申请涉及一种TOPCon电池片等离子体电荷注入抗UV方法和TOPCon电池片，该方法包括：对ALD后的电池片进行氮气和/或氩气电离，电离的气体流量为2000‑8000sccm，温度为150‑500℃，时间为200‑600s，对电离后的电池...
    2026-01-02
  • 一种具有光转化功能的柔性透明电极及其制备方法与应用
    一种具有光转化功能的柔性透明电极及其制备方法与应用_苏州大学_202511264864.9
    本发明公开了一种具有光转化功能的柔性透明电极及其制备方法与应用，制备方法包括如下步骤：将三溴合铅酸铯量子点胶体溶液、聚甲基丙烯酸甲酯、二甲基甲酰胺、甲苯混合，得到光转化溶液；将银纳米线溶液旋涂在玻璃上，热退火处理，再旋涂聚二甲基硅氧烷，固化...
    2026-01-02
  • 多晶硅沉积动态匹配方法及Topcon电池
    多晶硅沉积动态匹配方法及Topcon电池_天合光能(东台)光电有限公司_202511280726.X
    本申请涉及电池制造技术领域，具体提供一种多晶硅沉积动态匹配方法及Topcon电池，旨在解决电池量产车间臭氧浓度、湿度导致硅片自然氧化层差异较大、隧穿氧化层沉积不均匀的技术问题。为此目的，本申请的多晶硅沉积动态匹配方法包括：实时采集碱抛下料区...
    2026-01-02
  • 光伏电池及其制造方法、光伏组件
    光伏电池及其制造方法、光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511292876.2
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件，制造方法包括：提供基底；在基底的表面形成氧化铝层；对氧化铝层依次进行第一预处理、第二预处理和第三预处理；第一预处理包括向氧化铝层远离基底的表面通入笑气，且对笑气进行等离子处理...
    2026-01-02
  • 一种低温沉积二氧化硅钝化层的制备方法
    一种低温沉积二氧化硅钝化层的制备方法_隆基绿能科技股份有限公司_202511328844.3
    一种低温沉积二氧化硅钝化层的制备方法，包括以下步骤：首先：选用刻蚀有金字塔结构的n型硅片，经清洗去除n型硅片表面污染物；并采用体积比为2 : 50的H2SO4与H2O混合形成5％稀硫酸水溶液；其次，将预处理后的n型硅片为工作电极、铂为对电极...
    2026-01-02
  • 一种TBC电池及其制备方法
    一种TBC电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511358150.4
    本发明公开了一种TBC电池及其制备方法，属于光伏电池技术领域，包括以下步骤：以N或P型硅片为衬底进行抛光；在硅片背面依次制备隧穿氧化层和多晶硅层；在多晶硅层上通过印刷硼浆料和磷浆料形成P区掺杂源和N区掺杂源；使用激光对印刷区域进行激光掺杂，...
    2026-01-02
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