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最新专利技术
  • 边缘刻蚀设备和上电极组件位置的控制方法
    边缘刻蚀设备和上电极组件位置的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410760826.1
    本申请公开一种边缘刻蚀设备和上电极组件位置的控制方法，属于半导体技术领域。边缘刻蚀设备中，上电极组件和下电极组件均安装于腔体；下电极组件包括基座，基座用于与射频电源连接，基座包括用以承载晶圆的承载面，且基座与上电极组件相对且间隔设置；电抗测...
    2026-02-03
  • 下电极组件及其等离子体处理装置
    下电极组件及其等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410764878.6
    一种下电极组件及其等离子体处理装置，其中，下电极组件包括：基座；若干个导热气体供给孔，贯穿所述基座，用于向所述基片的背面供给导热气体；插入件，设置于所述导热气体供给孔内的上方，所述插入件包括第一插入件和由第一插入件向所述导热气体供给孔内壁延...
    2026-02-03
  • 用于衬底处理系统的具有介电窗的蜂窝式喷射器
    用于衬底处理系统的具有介电窗的蜂窝式喷射器_朗姆研究公司_202511033159.8
    一种用于衬底处理室的组件包含：构造成布置在该衬底处理室的上表面中的石英介电窗；石英介电窗中的凹部，该凹部包括延伸穿过该石英介电窗的第一开口；以及包含气体喷射器的气体喷射器组件。该气体喷射器组件布置在该凹部内，使得该气体喷射器延伸穿过该第一开...
    2026-02-03
  • 等离子体处理方法及等离子体处理装置
    等离子体处理方法及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202511311790.X
    本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接...
    2026-02-03
  • 电压脉冲的时域复用
    电压脉冲的时域复用_应用材料公司_202511532460.3
    本文提供的实施例总体包括用于产生对处理腔室中的基板进行等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统和方法。一个实施例包括波形产生器，所述波形产生器具有电压源电路系统、耦合在电压源电路系统与波形产生器的第一输出节点之间的第一开关、以及耦合在第一...
    2026-02-03
  • 一种化学电离装置、质谱分析仪器及其控制方法
    一种化学电离装置、质谱分析仪器及其控制方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511275900.1
    本发明公开了一种化学电离装置、质谱分析仪器及其控制方法，通过至少二级气压腔室设计，实现反应气压从大气压到低真空环境的大范围气压调节，满足不同物种的最优特异性检测需求；能够在秒级内实现各种反应气压的程序化快速切换，从而快速得到高时间分辨率的不...
    2026-02-03
  • 一种电感耦合等离子体质谱仪用碰撞反应池
    一种电感耦合等离子体质谱仪用碰撞反应池_中国地质调查局军民融合地质调查中心_202511676577.9
    本发明涉及应用于质谱仪领域的一种电感耦合等离子体质谱仪用碰撞反应池，包括外壳，外壳的两端均开设有通孔，外壳两端的内壁均固定连接有不完全轨道，不完全轨道上设置有八个滑块，本发明的碰撞反应池中采用可变数量极杆结构，最大的好处是能够灵活控制电场形...
    2026-02-03
  • 卤素灯
    卤素灯_瑞尔斯科技股份有限公司_202510470675.0
    本发明涉及一种卤素灯，包含：插座、透明壳、第一导电件、第二导电件、螺旋灯丝、第一绝缘棒、第二绝缘棒与支撑机构，第一导电件被组接在透明壳的连接部与第一导电片之间，第二导电件被组接在第二导电片，螺旋灯丝的两引线段分别连接第一导电件与第二导电件，...
    2026-02-03
  • 局部晶圆减薄的系统及其方法
    局部晶圆减薄的系统及其方法_鼎极科技股份有限公司_202510777281.X
    本发明公开一种局部晶圆减薄的系统及其方法，所述方法包括以下步骤：提供包括多个晶粒的一晶圆；为多个晶粒的每一者决定至少一关注特征以及依据至少一关注特征决定至少一待减薄起始区域，至少一关注特征与形成于晶圆的一上表面之上的至少一元件相关；撷取多个...
    2026-02-03
  • 一种氮掺杂直立石墨烯异质结、制备方法、应用、信号编码装置、图像生成装置及图像生成方法
    一种氮掺杂直立石墨烯异质结、制备方法、应用、信号编码装置、图像生成装置及图像生成方法_宁波石墨烯创新中心有限公司_202511091183.7
    本发明提供了一种氮掺杂直立石墨烯异质结、制备方法、应用、信号编码装置、图像生成装置及图像生成方法，包括：将SOI基底置于生长室内；对生长室内抽真空；对SOI基底加热；向生长室内通入甲烷和氨气，以PECVD工艺在SOI基底表面生长氮掺杂直立石...
    2026-02-03
  • 外延生长工艺
    外延生长工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511224939.0
    本申请公开了一种外延生长工艺，包括：将晶圆传送至外延机台的反应腔体的基座上；旋转基座并向反应腔体通入反应气体，在晶圆上生长外延层；其中，从俯视角度观察，晶圆的旋转方向为顺时针方向，反应腔体中设置有多个进气口以通入反应气体，多个进气口设置于所...
    2026-02-03
  • 一种用于高压光谱测试的二维异质结及其制备方法
    一种用于高压光谱测试的二维异质结及其制备方法_深圳技术大学_202511274266.X
    本发明公开一种用于高压光谱测试的二维异质结及其制备方法，涉及二维材料高压转移技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1.在多个硅片衬底上分别制备h‑BN层和单层MoS2；S2.制备PC转移膜；S3.将第一h‑BN层转移到PC转移膜上；S4.将单...
    2026-02-03
  • 一种双层混合集成电路上下层焊接合体后的清洗方法
    一种双层混合集成电路上下层焊接合体后的清洗方法_西安微电子技术研究所_202511283042.5
    本发明提供一种双层混合集成电路上下层焊接合体后的清洗方法，属于混合集成电路封装技术领域，将电路上下层焊接合体后，将电路倒置进行清洗，通过将电路倒置于单独的容器，于容器中添加清洗液并精准控制其浸没高度，确保清洗液不接触下层电路已有的键合丝表面...
    2026-02-03
  • 一种碳化硅晶片的清洗方法
    一种碳化硅晶片的清洗方法_宁波阿尔法半导体有限公司_202511697018.6
    本申请公开了一种碳化硅晶片的清洗方法，清洗方法包括步骤：S100、提供自旋转的待清洁碳化硅晶片，使用水气二流体对待清洁碳化硅晶片进行喷射清洗，得到第一晶片；S200、使用第一清洁溶液对第一晶片进行清洗，得到第二晶片，第一清洁溶液的溶质包括聚...
    2026-02-03
  • 改善硬掩模刻蚀中顶部收口问题的方法
    改善硬掩模刻蚀中顶部收口问题的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511102009.8
    本发明公开了一种改善硬掩模刻蚀中顶部收口问题的方法。该方法在通过硬掩模于衬底中刻蚀形成具有顶部收口轮廓的凹槽结构后，包括：对硬掩模进行湿法刻蚀回缩，以精确暴露凹槽结构在衬底顶面的尖角部分；对该暴露的尖角部分进行化学干法刻蚀，利用该刻蚀工艺在...
    2026-02-03
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511676224.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底；形成于衬底上的图形化光刻胶层；其中，图形化光刻胶层使得部分衬底暴露，图形化光刻胶层包括第一子图形化光刻胶层和第二子图形化光刻胶层；第一子图形化光刻胶层包括第一光刻胶图形结...
    2026-02-03
  • 抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法
    抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511315106.5
    本发明涉及超分辨成像技术领域，特别涉及抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法。本发明抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构包括硅衬底，所述硅衬底上依次设置有硬掩模层、金属阻挡层、贵金属膜层。所述金属阻挡层包括Si3N4、TiN、Al2O...
    2026-02-03
  • 功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用
    功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用_深圳市先进连接科技有限公司_202511687776.X
    本发明公开了一种功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用，涉及功率半导体连接技术领域，其中方法包括：将金属烧结材料涂覆在功率半导体芯片或晶圆的顶部，接着进行烧结处理；当烧结处理为有压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第一...
    2026-02-03
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510735016.5
    本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行第一...
    2026-02-03
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510735017.X
    本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够控制在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行第一...
    2026-02-03
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