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最新专利技术
  • 一种MLED阵列检测探针卡及制备方法
    一种MLED阵列检测探针卡及制备方法_湖北光谷实验室_202511227263.0
    本发明属于探针卡领域，公开了一种MLED阵列检测探针卡及制备方法。其制备方法包括：(1)选用带有绝缘层的硅基衬底，在绝缘层表面制备预设图案的光刻胶掩膜；在光刻胶掩膜上进行绝缘层的图形转移，随后进行深硅刻蚀，形成目标图案的刻蚀结构；在刻蚀结构...
    2026-01-26
  • 一种封装后半导体芯片双面快速检测设备
    一种封装后半导体芯片双面快速检测设备_深圳市弘辽科技有限公司_202511286521.2
    本发明涉及芯片检测领域，尤其涉及一种封装后半导体芯片双面快速检测设备。本发明提供一种能够自动输送并夹持芯片翻面连续进行双面检测，无需停机上料，提高检测的稳定性和效率的封装后半导体芯片双面快速检测设备。一种封装后半导体芯片双面快速检测设备，包...
    2026-01-26
  • 部分地布置到沟槽中的栅极层
    部分地布置到沟槽中的栅极层_德克萨斯仪器股份有限公司_202511303102.5
    本申请公开了一种部分地布置到沟槽中的栅极层。根据一些示例，一种系统包括具有外表面(100)的衬底层(65)。该系统包括多个沟槽(90、92、94、96)，该多个沟槽从外表面延伸进入衬底层。该系统然后包括多个有源区(102、104、106)，...
    2026-01-26
  • 激光退火系统、激光退火方法及曝光设备
    激光退火系统、激光退火方法及曝光设备_上海芯上微装科技股份有限公司_202410705122.4
    本发明提供一种激光退火系统、激光退火方法及曝光设备。在激光退火系统中，晶圆本体加热单元将晶圆加热至初始温度，第二辐照单元提供调制波形激光对晶圆的局部退火区域进行预加热，第一辐照单元提供脉冲激光对所述晶圆进行快速加热退火。晶圆本体加热单元提供...
    2026-01-26
  • 一种调度方法及相关装置
    一种调度方法及相关装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202410718727.7
    本说明书实施例提供了一种调度方法，该调度方法在当前调度序列违反目标设备模块的时间约束时，并没有直接丢弃当前调度序列，延迟晶圆出片重新规划当前调度序列并再次判断是否违反目标设备模块的时间约束，而是在所述当前调度序列中，确定所述目标设备模块对应...
    2026-01-26
  • 一种半导体处理设备及键合方法
    一种半导体处理设备及键合方法_华为技术有限公司_202410735712.1
    本申请提供一种半导体处理设备及键合方法，在两个待键合对象键合的过程中，图像采集设备可以对每个采集组中的各个采集点采集对位图像，通过识别对位图像内对位标记组中两个对位标记的坐标偏差，可以确定出每个采集组对应的偏移量；在偏移量大于阈值时，说明在...
    2026-01-26
  • 晶片居中监控
    晶片居中监控_德州仪器公司_202410741005.3
    本申请案的实施例涉及晶片居中监控。一种与半导体处理工具(105)相关联的晶片居中监控系统(100)。在一个示例中，所述半导体处理工具(105)可以包含晶片台(107)以及成像系统(102)，所述成像系统经配置以确定所述晶片台(107)上的半...
    2026-01-26
  • 半导体设备
    半导体设备_长江存储科技有限责任公司_202410747195.X
    本申请实施例提供了一种半导体设备。该半导体设备包括：基座；壳体，位于基座在第一方向上的一侧，并与基座连接，其中，壳体和基座构成腔室；第一进气口，开设于壳体的顶部；以及排气口，开设于壳体的下部。
    2026-01-26
  • 半导体测温装置
    半导体测温装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510405375.4
    本公开实施例公开了一种半导体测温装置，包括：堆叠设置的第一晶圆以及第二晶圆；测温组件，至少部分位于所述第一晶圆与所述第二晶圆之间；所述测温组件包括通过互连电路耦接的测温器件、电源以及主控；电容结构，至少部分位于所述第一晶圆与所述第二晶圆之间...
    2026-01-26
  • 半导体测温装置及其制造方法
    半导体测温装置及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510406108.9
    本公开实施例公开了一种半导体测温装置及其制造方法，该半导体测温装置包括：沿第一方向堆叠设置的第一晶圆和第二晶圆；测温组件，位于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间；所述测温组件包括互连电路、通过所述互连电路耦接的测温器件、电源以及主控；屏蔽结构，...
    2026-01-26
  • 半导体测温装置
    半导体测温装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510406163.8
    本公开实施例公开了一种半导体测温装置，包括：堆叠设置的第一晶圆以及第二晶圆；测温组件，至少部分位于所述第一晶圆与所述第二晶圆之间；所述测温组件包括通过互连电路耦接的电源、主控以及多个测温电路；各个所述测温电路包括：稳压器；多个测温器件，与所...
    2026-01-26
  • 半导体测温装置
    半导体测温装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510413231.3
    本公开实施例公开了一种半导体测温装置，包括：堆叠设置的第一晶圆以及第二晶圆；测温组件，至少部分位于所述第一晶圆与所述第二晶圆之间；所述测温组件包括通过互连电路耦接的测温器件、电源以及主控；多个导电柱，位于所述第一晶圆与所述第二晶圆之间，所述...
    2026-01-26
  • 半导体测温装置及其制造方法
    半导体测温装置及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510420988.5
    本公开实施例公开了一种半导体测温装置及其制造方法，该半导体测温装置包括：沿第一方向堆叠设置的第一晶圆和第二晶圆；测温组件，位于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间；所述测温组件包括互连电路、通过所述互连电路耦接的测温器件、电源以及主控；屏蔽结构，...
    2026-01-26
  • 基于图像分析的设备前端模块以及设备前端检测方法
    基于图像分析的设备前端模块以及设备前端检测方法_由田新技股份有限公司_202510683801.0
    本发明公开了一种基于图像分析的设备前端模块以及设备前端检测方法。基于图像分析的设备前端模块连接外部的一收纳装置，且包括一移载装置、一校准载台、一图像捕获装置以及一图像处理装置。移载装置用于移动收纳装置内的一待测物。校准载台承载并校准待测物。...
    2026-01-26
  • 基板处理装置和基板处理方法
    基板处理装置和基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202510704060.X
    本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够高精度地计算混合流体的密度与超临界流体的密度的密度差。该基板处理装置具备处理容器、排出线路、以及分别检测在排出线路中流动的流体的密度、温度及压力的密度检测部、温度检测部、压力检测部及控制部。控制...
    2026-01-26
  • 工件处理用装载锁定室
    工件处理用装载锁定室_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202510731864.9
    提供了一种工件处理设备的装载锁定室。装载锁定室包括工件处理机器人，工件处理机器人包括第一臂，第一臂被配置为沿第一平面将工件传入或传出被限定在装载锁定室中的热处理区域。装载锁定室还包括热处理组件，热处理组件被配置为当工件位于被限定在装载锁定室...
    2026-01-26
  • 用于快速建立稳态真空腔室压力的系统和方法
    用于快速建立稳态真空腔室压力的系统和方法_上海原子启智半导体设备有限公司_202510758881.1
    本发明涉及一种用于快速建立稳态真空腔室压力的系统和方法。该系统能够通过固定真空阀的设定值，并利用MFC电磁阀的驱动电流来调节腔室压力，从而实现更快速的稳压。该系统能够以训练模式和推理模式运行。在训练模式中，利用PID控制器确定MFC和真空阀...
    2026-01-26
  • 一种单片式全自动铜钛刻蚀机
    一种单片式全自动铜钛刻蚀机_昆山蕴鼎自动化科技有限公司_202510990411.8
    本发明涉及一种单片式全自动铜钛刻蚀机，本发明包括刻蚀腔体；刻蚀台，其活动设置于刻蚀腔体内，刻蚀台设有吸附件；分流导向板，其水平设置于刻蚀腔体内且位于刻蚀台的下方；多个抽气管道，其设置于刻蚀腔体内且位于分流导向板的下方，多个抽气管道围绕分流导...
    2026-01-26
  • 薄膜的制备方法及应用
    薄膜的制备方法及应用_甬江实验室_202510990535.6
    本申请公开了一种薄膜的制备方法及应用，该制备方法包括：在样片的表面匀胶形成胶层；在衬片的表面刻蚀形成具有中空部的下凹结构；使衬片带有下凹结构的一面朝上，在中空部中注入解胶剂，以及使样片带有胶层的一面朝下与衬片临时键合得到临时键合片；将临时键...
    2026-01-26
  • 激光划片装置及其调平方法
    激光划片装置及其调平方法_三一硅能(朔州)有限公司_202511013011.8
    本发明提供了一种激光划片装置及其调平方法，激光划片装置包括：载台，具有承载面和开槽通道，开槽通道沿垂直于承载面的方向贯穿载台；电池片，置于承载面上，并覆盖开槽通道；激光装置，位于载台远离承载面的一侧，并与开槽通道对应设置；激光装置透过开槽通...
    2026-01-26
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