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最新专利技术
  • 等离子体处理装置和终点检测方法
    等离子体处理装置和终点检测方法_东京毅力科创株式会社_202480026054.7
    一种等离子体处理装置，其具备测定发光强度的分光计，基于由上述分光计计测的计测结果，控制蚀刻的终点检测的控制部，上述控制部在将包含硅和氧的第1层与包含硅和氮的第2层交替层叠的层叠膜利用等离子体蚀刻时，执行以下步骤：(a)由上述分光计取得上述氧...
    2025-11-21
  • 选择性蚀刻氮化硅的方法
    选择性蚀刻氮化硅的方法_应用材料公司_202480026950.3
    本公开内容的实施例针对选择性蚀刻工艺。工艺包括使前驱物流入含有基板的半导体处理腔室中，前驱物包括卤素间化合物、含卤素物质、伪卤素物质中的一者或多者、卤素间化合物、含卤素物质或伪卤素物质中的一者或多者与胺或膦的混合物，或卤素间化合物、含卤素物...
    2025-11-21
  • 选择性蚀刻氮化硅的方法
    选择性蚀刻氮化硅的方法_应用材料公司_202480027260.X
    本发明的实施例关于选择性蚀刻处理。处理包括蚀刻化学(含氟前驱物与第一气体混合物的等离子体)，及钝化化学(含硫前驱物与第二气体混合物的等离子体)。在一实施例中，含硫前驱物与第二气体混合物以含硫前驱物与第二气体混合物的比例在从0.01至5的范围...
    2025-11-21
  • 绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置
    绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置_艾曲迪微系统股份有限公司_202480026473.0
    一种具有感光性的绝缘膜形成材料，其为包含(A)聚酰亚胺前体、(B)溶剂和(C)填料的绝缘膜形成材料，将所述绝缘膜形成材料成型而成的绝缘膜的i线透射率为5%~40%。
    2025-11-21
  • 外延膜缺陷确定
    外延膜缺陷确定_应用材料公司_202480027568.4
    一种方法包括以下步骤：由处理设备获得包括外延膜的基板的第一图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：向所述第一图像数据应用频域过滤器以获得经过滤的图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：通过对所述经过滤的图像数据执行特征检测，确定所述第一图像数据...
    2025-11-21
  • 巨量转移装置及其巨量转移方法
    巨量转移装置及其巨量转移方法_深超光电(深圳)有限公司_202480021370.5
    提供一种巨量转移装置(100)及其巨量转移方法。所述巨量转移装置(100)包含承载部(110)、取放部(120)、检测部(130)以及控制部(140)。承载部(110)用以固定第一基板(SUB1)及第二基板(SUB2)至少其中之一。取放部(...
    2025-11-21
  • 用于基板处理设备的气化设备以及基板处理设备
    用于基板处理设备的气化设备以及基板处理设备_周星工程股份有限公司_202480025014.0
    本发明涉及一种用于基板处理设备的气化设备以及基板处理设备，用于基板处理设备的气化设备包括：第一流入单元，第一流入单元被供应液体或固体的前体和第一载气；扩散单元，扩散单元包括比第一流入单元宽的扩散空间，并且前体在扩散空间中扩散；第二流入单元，...
    2025-11-21
  • 用于预测和监测腔室元件的温度的虚拟感测器
    用于预测和监测腔室元件的温度的虚拟感测器_应用材料公司_202480026963.0
    公开了一种用于虚拟感测半导体处理腔室的硬件元件的温度的方法及装置。在一或多个实施例中，一种适用于半导体制造的处理腔室的操作方法包括接收用于制造工艺的工艺配方，及使用感测器监测处理腔室的第一硬件元件的第一温度。该方法进一步包括基于接收到的工艺...
    2025-11-21
  • 包括能带间隙材料的测量系统、处理系统以及相关设备与方法
    包括能带间隙材料的测量系统、处理系统以及相关设备与方法_应用材料公司_202480027261.4
    本案的实施例系关于包括用于温度测量校准的能带间隙材料的测量系统、处理系统以及相关设备及方法。在一或多个实施例中，测量系统包括基板支撑组件，该基板支撑组件包括内部部分及外部部分。内部部分包括第一面、与第一面相对的第二面、形成于第一面中的一或多...
    2025-11-21
  • 组合设备
    组合设备_东京毅力科创株式会社_202480020778.0
    本发明的组合设备具有等离子体处理装置和移动式更换装置，等离子体处理装置具有：具有第一面和第二面的等离子体处理模块；和在第一面与等离子体处理模块连接的真空运送模块，等离子体处理模块具有支承部件和消耗环，移动式更换装置具有：环保管部；环更换机器...
    2025-11-21
  • 处理装置以及处理方法
    处理装置以及处理方法_松下知识产权经营株式会社_202480025935.7
    处理装置(100)具备定位装置(10)、头(5)和载台(6)。定位装置(10)具备摄像机(1)、具有第1反射面(31)和第2反射面(32)的棱镜(3)、和运算装置(8)。在棱镜(3)配置于头(5)与载台(6)之间时，第1反射面(31)使从头...
    2025-11-21
  • 晶片载放台
    晶片载放台_日本碍子株式会社_202380010627.2
    晶片载放台10具备：陶瓷板20，其具有晶片载放面22a；冷却板30，其具有冷媒流路32；第一贯通部51和第二贯通部52，它们沿上下方向贯穿陶瓷板20；第一通路61，其至少设置于冷却板30的内部且与第一贯通部51连通；以及第二通路62，其至少...
    2025-11-21
  • 具有先进远边缘电极、静电夹盘和嵌入式接地电极的高温可偏压加热器
    具有先进远边缘电极、静电夹盘和嵌入式接地电极的高温可偏压加热器_应用材料公司_202480025838.8
    于此提供了基板支撑件的示例。在一些示例中，一种基板支撑件具有陶瓷静电夹盘，所述陶瓷静电夹盘具有主体。所述主体具有第一侧和第二侧，所述第一侧配置为支撑基板，所述第二侧与所述第一侧相对。所述主体具有夹持电极；主动边缘电极，所述主动边缘电极邻近所...
    2025-11-21
  • 用于低电阻率半导体应用的混合钼填充方案
    用于低电阻率半导体应用的混合钼填充方案_应用材料公司_202480026988.0
    提供了半导体装置及在半导体装置中进行钼填充的方法。在一个方面，提供了一种处理半导体装置基板的方法。该方法包括将在介电层中形成的至少一个特征暴露于晶粒改性层沉积工艺，以在至少一个特征的部分上沉积晶粒改性层。该至少一个特征由介电层中形成的侧壁表...
    2025-11-21
  • 铜焊盘金属化系统和相关方法
    铜焊盘金属化系统和相关方法_半导体元件工业有限责任公司_202480023267.4
    本公开涉及铜焊盘金属化系统和相关方法。一种形成互连器的方法的具体实施可以包括在多个焊盘(6)上方形成籽粒层(10)；图案化具有暴露该多个焊盘(6)的多个开口(14)的光刻胶层(12)；通过将多个铜互连器(18)中的每个铜互连器电镀到该多个开...
    2025-11-21
  • 用于可调谐混合键合互连电阻的方法和材料系统
    用于可调谐混合键合互连电阻的方法和材料系统_应用材料公司_202480027573.5
    可以控制并且设计混合键合结构中的互连电阻。每个互连的电阻可以藉由过孔的宽度、过孔的数量、及过孔内的衬垫的厚度来控制。尽管在相同的晶片或芯片上，混合键合结构的第一互连及第二互连可以具有不同的互连电阻。本文描述的技术包括设计互连及形成具有特定电...
    2025-11-21
  • 包括偏移互连的集成器件
    包括偏移互连的集成器件_高通股份有限公司_202480025799.1
    一种器件包括集成器件。该集成器件包括至少部分地被封装的管芯。管芯包括导电焊盘。该器件还包括耦合到管芯的第一表面的第一钝化层。该器件包括偏移互连，该偏移互连沿着第一钝化层的表面延伸并且包括延伸穿过第一钝化层中的开口以接触导电焊盘的部分。该器件...
    2025-11-21
  • 布线基板、电子模块以及布线基板的制造方法
    布线基板、电子模块以及布线基板的制造方法_株式会社村田制作所_202480020692.8
    在第1绝缘膜设有在厚度方向上贯通的贯通孔。在作为第1绝缘膜的一个面的第1面配置有第1导体图案。第1导体图案堵塞贯通孔的第1面侧的开口部。在贯通孔中配置有第1连接导体。第1连接导体与第1导体图案连接，第1连接导体的厚度方向的尺寸比第1绝缘膜的...
    2025-11-21
  • 半导体元件搭载用基板
    半导体元件搭载用基板_日本特殊陶业株式会社_202480021448.3
    半导体元件搭载用基板具备：基材，其由金属构成；电极，其与半导体元件连接；以及绝缘层，其配置于基材与电极之间，该绝缘层的基材侧的表面的由ISO 25178规定的最大高度Sz(μm)为绝缘层自身的厚度以下。
    2025-11-21
  • 采用金属芯以改进电屏蔽和结构强度的用于集成电路(IC)封装件的基板以及相关IC封装件和制造方法
    采用金属芯以改进电屏蔽和结构强度的用于集成电路(IC)封装件的基板以及相关IC封装件和制造方法_高通股份有限公司_202480024661.X
    一种用于集成电路(IC)封装件的基板，该基板采用金属芯以用于实现改进的电屏蔽和结构强度。在一个方面，基板包括芯层。该芯层包括金属芯，该金属芯具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面。芯层还包括位于第一表面上的第一绝缘层和位于第二表面上的第二...
    2025-11-21
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