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一种红外成像仪
本公开涉及一种红外成像仪, 涉及红外探测技术领域, 该红外成像仪通过设置隔离电阻来减小串扰的影响;红外成像仪包括:衬底基板和多个探测单元, 多个探测单元阵列排布在所述衬底基板的一侧;单个探测单元包括薄膜晶体管、二极管探测器和隔离电阻;薄膜晶...
太阳能光电转换系统及形成方法
本发明提供了一种太阳能光电转换系统及形成方法, 包括:提供太阳能硅片和若干功能芯片, 太阳能硅片包括相对的正面和背面, 各若干功能芯片均包括相对的正面和背面;将各功能芯片通过塑封层固定, 相邻功能芯片之间具有一定的距离;在各功能芯片的正面和...
电池片及其制备方法
本申请公开了一种电池片及其制备方法, 涉及光伏电池技术领域;电池片的制备方法的步骤包括:对电池片进行栅线制备, 并采用LECO进行激光辅助烧结, 在惰性气体环境下, 采用紫外光对电池片进行照射。本申请通过紫外光照射与LECO工艺协同, 有效...
一种太阳能电池及其生产方法
本发明实施例提供了一种太阳能电池及其生产方法, 其中, 本发明实施例所提供的生产方法, 在形成减反层之前, 通过钝化层的图像数据中黑斑区域, 筛选可引起UV衰减的电池片, 将能引起UV衰减的电池片筛选出来, 从而完成非接触的PL筛选测试, ...
太阳能电池及其制备方法
本申请实施例涉及光伏技术领域, 提供一种太阳能电池及其制备方法, 可以有效降低铜电极的电阻, 进而提高太阳能电池的光电转换效率。该制备方法包括:在所述基底的第一表面印刷铜浆, 以得到待烧结基底, 其中, 所述基底的第一表面为所述基底的正面和...
一种晶硅太阳能电池的制备方法及晶硅太阳能电池
本发明公开一种晶硅太阳能电池制备方法及晶硅太阳能电池。该制备方法可包括:第一次硼扩散, 在N型硅基体形成第一硼掺杂扩散层和层叠于第一硼掺杂扩散层外侧的第一硼硅玻璃层;通过刻蚀胶局部刻蚀处理和氧化处理相配合, 第一硼掺杂扩散层转换为第二硼掺杂...
一种基于表面能梯度调控的晶圆级金属电极动态转印方法及其应用
本发明公开了一种基于表面能梯度调控的晶圆级金属电极动态转印方法及其应用, 包括以下步骤:在低表面能处理后的基底①表面制备图案化的晶圆级金属电极;在晶圆级金属电极表面涂布预聚物, 并干燥固化成聚合物膜;采用滚筒转动进行转轴转移, 使含有晶圆级...
太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件
本申请公开了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件, 制备方法包括:提供一电池片, 所述电池片上形成有钝化层;对所述电池片进行紫外光辐照处理。本申请对经过钝化的电池片进行紫外光辐照处理, 能够打断硅中弱键合的Si‑H键以及H2+等H...
一种背接触异质结太阳能电池的制备方法
本发明提供一种背接触异质结太阳能电池的制备方法。所述方法包括以下步骤:对硅片双面抛光清洗后, 在背面依次沉积钝化层i层、掺杂层n层、氮化硅隔离层及牺牲层;通过皮秒激光刻蚀牺牲层图形, HF酸腐蚀暴露掺杂层n层;采用碱液同步刻蚀背面开口区的钝...
太阳能电池的烧结方法及由其得到的太阳能电池
本发明提供了一种太阳能电池的烧结方法及由其得到的太阳能电池, 涉及太阳能电池技术领域。所述太阳能电池的烧结方法包括先对电池片印刷P细栅浆料, 进行第一次烧结;再印刷N细栅浆料, 进行第二次烧结;最后印刷主栅浆料, 进行第三次烧结, 得到太阳...
倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法
本发明提供了一种倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法, 涉及太阳能电池的技术领域, 所述倒金字塔结构的背接触电池的制备方法, 包括:(a)提供硅衬底, 所述硅衬底具有相对的第一表面和第二表面, 在硅衬底叠层制备第一隧穿氧化层和第一半导体层,...
太阳能电池及其制造方法
本公开提供了一种太阳能电池及其制造方法。制造方法包括:提供半导体衬底, 半导体衬底包括第一表面和第二表面, 第二表面包括第一区域、第二区域和在第一区域与第二区域之间的第三区域;在第二区域上形成隔离层;去除第一区域和第三区域对应的第一厚度的半...
一种平面交叉式透明导电薄膜及其制备方法、电池
本发明涉及太阳能电池制备技术领域, 具体为一种平面交叉式透明导电薄膜及其制备方法、电池, 制备方法包括以下步骤:步骤1、将N型单晶硅片进行制绒清洗处理形成硅片表面具有金字塔绒面结构的硅衬底层;步骤2、在硅衬底层正面依次沉积本征非晶硅层和N型...
一种用于电池片浆料的热压设备
本发明公开了一种用于电池片浆料的热压设备, 包括依次设置的进片传动单元、热压单元和出片传动单元, 所述热压单元包括上辊组件和下辊组件;所述上辊组件具有第一前辊热压模块和第一后辊模块, 所述上辊组件具有与所述第一前辊热压模块和所述第一后辊模块...
一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池
本发明公开一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。该制备方法可包括:在电池基体主表面上制备本征非晶硅膜层和/或掺杂含硅膜层;在N2O气氛下, 利用微波等离子体设备处理本征非晶硅膜层和/或掺杂含硅膜层, 使本征非晶硅膜层和/或掺杂含...
一种阶梯温度循环推进的硼扩散工艺及其应用
本发明属于太阳能电池制造技术领域, 提供一种阶梯温度循环推进的硼扩散工艺及其应用。该硼扩散工艺包括:将硅片放入硼扩散设备中, 对硅片依次进行预氧化、预沉积及阶梯温度循环硼扩推进, 该阶梯温度循环硼扩推进工序包括依次进行的初始阶段、中期阶段及...
背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件
本公开实施例涉及光伏领域, 提供一种背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件, 制造方法包括:提供具有相对的第一、二表面侧的基底;至少对第二表面侧进行包括至少两个制绒阶段的第一制绒处理以形成第一绒面;第一绒面包括沿第二方向交替排布的第一、...
异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件
本申请涉及太阳电池领域, 公开异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件, 制备方法包括以下步骤:印刷, 在太阳电池半成品的第一表面印刷第一电极浆料;其中, 太阳电池半成品的材料包括硅材料和透明导电材料, 所述太阳电池半成品包括相背设置的第一表面...
一种分子调控的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明提出了一种分子调控的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法, 该方法利用O, O‑二乙基硫代磷酸钾盐分子修饰无机钙钛矿结晶, 通过高温使分子融化并流动至晶界缺陷处, 形成表面平整的钙钛矿薄膜, 提高钙钛矿吸光层表界面处电荷的运输和交换效率,...
一种TBC电池、其制备方法和光伏组件
本发明公开了一种TBC电池、其制备方法和光伏组件, 涉及光伏技术领域。本发明通过在P型掺杂区域的P‑PolySi层中掺杂镓(Ga), Si的原子半径约为0.117nm, Ga的原子半径约为0.135nm, Ga在Si中引起的形变量小。Ga具...
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