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最新专利技术
  • 一种基于MoS2的薄膜晶体管MOSFET结构及其制备方法
    一种基于MoS2的薄膜晶体管MOSFET结构及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511233896.2
    本发明公开了一种基于MoS2的薄膜晶体管MOSFET结构及其制备方法， 属于半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成， 单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层， 并配合两侧弧形侧...
    2025-11-20
  • 垂直超结结构氮化镓功率晶体管器件及其制备方法
    垂直超结结构氮化镓功率晶体管器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410356530.3
    本发明涉及一种垂直超结结构氮化镓功率晶体管器件及其制备方法， 属于微电子技术领域， 解决了目前超结器件对导通电流密度的升高以及导通电阻的降低有限， 制约了超结器件在更高功率密度下使用的问题。所述晶体管器件的漂移区包括处于中间位置的一个AlG...
    2025-11-20
  • 一种鱼骨状纳米片半导体器件及其制备方法
    一种鱼骨状纳米片半导体器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410360594.0
    本发明公开一种鱼骨状纳米片半导体器件及其制备方法， 涉及半导体材料领域， 所述鱼骨状纳米半导体器件， 包括：衬底、从所述衬底延伸出的鱼骨状结构；所述鱼骨状结构， 包括与所述衬底垂直的主干， 主干包括至少一个堆叠的硅锗层和硅层， 其中硅层在硅...
    2025-11-20
  • 浅沟槽隔离结构及其形成方法
    浅沟槽隔离结构及其形成方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410357655.8
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法， 浅沟槽隔离结构包括形成于衬底的第一浅沟槽中的第一隔离层， 第一隔离层中具有第二浅沟槽， 且第一隔离层对衬底的应力为拉应力；第二隔离层填充第二浅沟槽， 第二隔离层用于提供压应力， 以平衡和缓解第一隔...
    2025-11-20
  • 一种功率开关器件及其制备方法
    一种功率开关器件及其制备方法_上海溪赛德微电子有限公司_202410385798.X
    本发明提供了一种功率开关器件及其制备方法， 通过在第一导电类型漂移区中间隔设置器件沟槽结构和边缘沟槽结构， 且器件沟槽结构和边缘沟槽结构中设置的多晶硅层相对应， 相对应的多晶硅层通过电连接层实现电连接。本发明可以通过边缘沟槽结构中的每个多晶...
    2025-11-20
  • 功率开关器件结构及其制备方法
    功率开关器件结构及其制备方法_上海溪赛德微电子有限公司_202410385845.0
    本发明提供了一种功率开关器件结构及其制备方法， 其中功率开关器件结构包括：漏极金属层；半导体衬底， 位于漏极金属层上；第一导电类型漂移区， 位于半导体衬底上；沟槽结构， 位于第一导电类型漂移区中；至少两个多晶硅层， 沿着垂直于半导体衬底方向...
    2025-11-20
  • 半导体终端结构、其制造方法和具有其的功率器件
    半导体终端结构、其制造方法和具有其的功率器件_比亚迪半导体股份有限公司_202410388108.6
    本发明涉及一种半导体终端结构、其制造方法和具有其的功率器件。半导体终端结构， 包括：第一导电类型的衬底；和外延层， 外延层与衬底在第一方向上依次设置， 外延层中设有至少一个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区， 第二掺杂区和第一掺杂区沿着所述第一...
    2025-11-20
  • 智能超结半导体结构
    智能超结半导体结构_无锡旷通半导体有限公司_202510937211.6
    本发明涉及一种智能超结半导体结构， 其包括集成设置的主半导体和至少一个功能半导体， 功能半导体包括功能隔离区以及设置在所述功能隔离区内部的功能有源区， 功能有源区包括若干个平行设置的第一导电类型功能柱和第二导电类型功能柱， 功能隔离区包括设...
    2025-11-20
  • 碳化硅功率器件及其制作方法
    碳化硅功率器件及其制作方法_深圳平湖实验室_202511197030.0
    本发明涉及半导体器件技术领域， 公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法， 该碳化硅功率器件的终端结构包括碳化硅衬底层， 具有第一表面和第二表面， 第一表面和第二表面在碳化硅衬底层的厚度方向上相对；外延层， 设置于碳化硅衬底层的第一表面；终端部...
    2025-11-20
  • 半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件
    半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511216766.8
    本申请提供了一种半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件， 元胞结构包括：基底， 多个第一注入区， 沿第一方向间隔的位于第一表面下方的基底中， 并沿第二方向延伸， 第一注入区具有第二掺杂类型；多个第二注入区， 沿第二方向间隔的位于第一表面...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510804337.6
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件， 该半导体器件的制备方法包括：提供预设基底；其中， 预设基底包括有源区、位于有源区上方的栅电极及栅电极两侧的侧墙；对栅电极进行回刻蚀， 形成凹槽；向凹槽填充可分解牺牲材料形成牺牲层；沉积屏蔽...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511143685.X
    本发明公开了一种半导体器件的制作方法， 属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底， 在衬底上形成伪栅极， 伪栅极上形成有硬掩膜层；在伪栅极两侧形成侧墙结构；在衬底、侧墙结构和伪栅极上形成接触孔刻蚀停止层， 接触孔刻蚀停止层的材料与硬...
    2025-11-20
  • 一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511250325.X
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、一种用于屏蔽栅沟槽型功率器件的半导体结构以及一种屏蔽栅沟槽型功率器件， 该方法包括：提供半导体衬底， 半导体衬底形成有沟槽， 在衬底表面及沟槽侧壁形成有第一氧化层；在沟槽中填充多晶硅， 且多晶...
    2025-11-20
  • 一种功率器件
    一种功率器件_湖南三安半导体有限责任公司_202510648573.3
    本申请提供一种功率器件， 包括半导体外延片、阳极金属层、中间金属层以及引线金属层。其中， 阳极金属层设置于半导体外延片的第一表面， 且与半导体外延片形成肖特基接触；中间金属层设置于阳极金属层背离半导体外延片的表面；引线金属层设置于中间金属层...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202511122387.2
    半导体装置具有至少一个端子， 该端子包括具有导电性的筒状的支架以及插入到上述支架的金属销。另外， 上述半导体装置具备支撑上述支架的端子支撑体、以及覆盖上述支架的一部分及上述端子支撑体的封固树脂。上述封固树脂具有朝向厚度方向的一方侧的树脂主面...
    2025-11-20
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511124731.1
    半导体装置及制造半导体装置的方法。一种电子装置结构包含衬底， 衬底有邻近于表面的导电结构。导电结构包含多个导电衬垫。第一和第二电子装置安置成邻近于顶表面。第一电子装置插置于第一与第二导电衬垫之间， 且第二电子装置插置于第二与第三导电衬垫之间...
    2025-11-20
  • 垂直微镜结构的光计算芯片及其晶圆级智能制造方法
    垂直微镜结构的光计算芯片及其晶圆级智能制造方法_之江实验室_202511187709.1
    本发明公开了垂直微镜结构的光计算芯片及其晶圆级智能制造方法， 该光计算芯片包括若干光调制器和若干量子逻辑门， 基于垂直微镜设置光调制器中的干涉光路， 从而实现光调制；量子逻辑门通过垂直微镜设置的反射镜构建稳定光路， 利用分束器实现干涉， 并...
    2025-11-20
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410354627.0
    一种半导体结构形成方法， 包括：提供基底， 形成位于所述基底上的多个牺牲半导体鳍；形成填充于所述牺牲半导体鳍之间的隔离层；去除部分高度的所述牺牲半导体鳍， 形成位于隔离层中的半导体鳍沟槽；在所述半导体鳍沟槽中形成第一半导体层和第二半导体层交...
    2025-11-20
  • 形成半导体结构的方法、半导体结构及电子装置
    形成半导体结构的方法、半导体结构及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410355044.X
    本申请公开了形成半导体结构的方法、半导体结构及电子装置， 该方法采用第一湿法刻蚀工艺从第二鳍结构去除部分厚度的第二半导体材料， 并在第一鳍结构表面形成第一氧化层， 接着对该第一鳍结构表面的第一氧化层的厚度进行调整， 并采用第二湿法刻蚀工艺从...
    2025-11-20
  • 氮化镓基温度传感器、制备方法及应用
    氮化镓基温度传感器、制备方法及应用_江西省纳米技术研究院_202510885431.9
    本发明公开了一种氮化镓基温度传感器、制备方法及应用， 属于传感器技术领域。氮化镓基温度传感器包括：半导体功能层， 具有相互电学隔离的晶体管功能区和电阻功能区， 晶体管功能区和所述电阻功能区内均分布有二维电子气；源极、漏极和栅极， 设置于晶体...
    2025-11-20
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