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最新专利技术
  • 一种泡沫Ni-高熵合金催化剂及其制备方法与应用
    一种泡沫Ni-高熵合金催化剂及其制备方法与应用_中石油深圳新能源研究院有限公司_202311811812.X
    本发明属于新能源及电解水制氢领域，涉及一种泡沫Ni‑高熵合金催化剂及其制备方法和应用。所述泡沫Ni‑高熵合金催化剂包括泡沫Ni、高熵合金和金属Ni；其中，所述高熵合金和金属Ni负载在泡沫Ni表面，所述泡沫Ni‑高熵合金催化剂通过金属Ni使泡...
    2025-08-18
  • 一种NiTiCeFeMoSx阴极催化电极及其制备方法与应用
    一种NiTiCeFeMoS<Sub>x</Sub>阴极催化电极及其制备方法与应用_中石油深圳新能源研究院有限公司_202311805447.1
    本发明涉及新能源及电解水制氢领域，尤其涉及一种NiTiCeFeMoSx阴极催化电极及其制备方法与应用。该NiTiCeFeMoSx阴极催化电极包括不锈钢基体和负载在所述不锈钢基体上的经硫化处理的Ni...
    2025-08-18
  • 一种磷化钴自支撑材料及其制备方法和应用
    一种磷化钴自支撑材料及其制备方法和应用_中石油深圳新能源研究院有限公司_202311813118.1
    本发明属于新能源及电解水制氢领域，涉及一种磷化钴自支撑材料及其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：1)将水、有机醇和表面活性剂混合，形成溶液A；将水、有机醇和钴盐混合，形成溶液B；然后将溶液A、溶液B与有机溶剂混合后静置混合液，待混合液...
    2025-08-18
  • 析氧电极材料及其制备方法、电解装置及其电极
    析氧电极材料及其制备方法、电解装置及其电极_中石油深圳新能源研究院有限公司_202311828112.1
    本发明提供了一种析氧电极材料及其制备方法、电解装置及其电极。析氧电极材料包括以泡沫镍为基底的金属镍、金属铁、金属钴、金属铬及硫元素的复合材料，其结构式为NiFeCoCrS/NF，其中，金属镍、金属铁、金属钴及金属铬与硫元素的质量比为(0.0...
    2025-08-18
  • 固体氧化物电解制氢装置
    固体氧化物电解制氢装置_中石油深圳新能源研究院有限公司_202311805454.1
    本发明涉及电解水制氢技术领域，旨在解决高温高压伴生气中的能量没有得到充分的利用，导致浪费能源的技术问题，本发明提供的固体氧化物电解制氢装置包括燃烧器、加热组件和电解模块，燃烧器用于加热水并生成水蒸气，加热组件用于对水蒸气进一步加热，加热后的...
    2025-08-18
  • 一种槽内式间接电氧化2-甲基萘合成甲萘醌的方法
    一种槽内式间接电氧化2-甲基萘合成甲萘醌的方法_万华化学集团股份有限公司_202311799392.8
    本发明涉及一种槽内式间接电氧化2‑甲基萘合成甲萘醌的方法。使用金属钛作为基体，采用涂覆法制备了掺杂Sn‑Ir的钛基PbO2电极作为电解阳极，阴极采用Pb电极。将2‑甲基萘、溶剂、硫酸钴、硫酸、硫酸铵、电催化剂以及水按一...
    2025-08-18
  • 一种固体氧化物电解制氢装置
    一种固体氧化物电解制氢装置_中石油深圳新能源研究院有限公司_202311813104.X
    本发明提出一种固体氧化物电解制氢装置，涉及电解水制氢技术领域，旨在解决油田中的能量没有得到充分的利用，导致浪费能源的技术问题，固体氧化物电解制氢装置包括：第一换热器，包括第一流路和第二流路，第一流路包括注水口和出水口，第二流路包括预热介质入...
    2025-08-18
  • 用于高炉煤气管系统中的腐蚀抑制剂
    用于高炉煤气管系统中的腐蚀抑制剂_埃科莱布美国股份有限公司_202311815045.X
    本发明提供了用于高炉煤气管系统中的腐蚀抑制剂，具体提供了使用包含三唑和溶剂的腐蚀抑制剂组合物来减少、抑制或防止装备表面腐蚀的组合物和方法。优选地，该腐蚀抑制剂组合物降低与高炉煤气管中可能存在的高炉煤气冷凝物接触的装备的腐蚀速率。
    2025-08-18
  • 芯片散热的涂料涂抹方法
    芯片散热的涂料涂抹方法_歌尔科技有限公司_202311818943.0
    本发明公开了一种应用于芯片散热的涂料涂抹方法，该涂料涂抹方法的步骤包括将指定量的涂料全部封装入容纳槽内，移动安装座至容纳槽的槽口朝向涂抹区域，再解除对容纳槽的槽口的密封，向下移动安装座，使安装座的底面与待涂件的顶面贴合，以使涂料位于涂抹区域...
    2025-08-18
  • 平衡组件及基板处理装置
    平衡组件及基板处理装置_奥恒科技股份有限公司_202311813372.1
    本发明提供一种平衡组件及包含其的基板处理装置，所述平衡组件包括承载平台、设置在承载平台上的轴安装盘、设置在承载平台上并抵靠轴安装盘的第一调整单元以及相邻于第一调整单元设置在轴安装盘上的第二调整单元。本发明所提供的平衡组件能在基板处理装置的处...
    2025-08-18
  • 液态源存放装置
    液态源存放装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202311801421.X
    本发明提供一种液态源存放装置，用于存放并向半导体工艺腔室供应液态源，包括存放主体、输气结构和切换结构，其中，存放主体用于存放液态源；输气结构用于与载气源连通且具有第一出气口和第二出气口，第一出气口和第二出气口位于存放主体内的不同水平位置；切...
    2025-08-18
  • 一种高导电性的DLC膜的制备方法
    一种高导电性的DLC膜的制备方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311813622.1
    本发明公开了一种高导电性的DLC膜的制备方法，包括：制备原始DLC膜；将所述原始DLC膜暴露在低气压和/或高功率的电离气体中；制备硼化物涂层；对所述硼化物涂层进行热处理，获得高导电性硼化物涂层；将所述原始DLC膜与所述高导电性硼化物涂层进行...
    2025-08-18
  • 柔性印刷电路板的表面处理方法
    柔性印刷电路板的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804332.0
    本发明的柔性印刷电路板的表面处理方法包括：在柔性印刷电路板的表面形成氟化物；以及在所述氟化物的表面沉积类金刚石碳薄膜；其中，所述沉积中，在反应腔室中通入前驱体气体以及异辛基三甲基硅烷，在预定温度下进行化学气相沉积形成所述类金刚石碳薄膜。该方...
    2025-08-18
  • 镀膜设备及镀膜方法
    镀膜设备及镀膜方法_武汉锐晶激光芯片技术有限公司_202311812880.8
    本申请公开了一种镀膜设备及镀膜方法。镀膜设备的转动件在镀膜腔内，动力组件的驱动件与转动件连接，驱动件可以驱动动力组件中升降件升降，升降件相对转动件的位置可以发生变化。将基片安装至载具上，载具再可翻转地转动连接于升降件。镀膜腔内镀膜源转化为基...
    2025-08-18
  • 一种基于钪掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管的制备方法和应用
    一种基于钪掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管的制备方法和应用_复旦大学_202311797673.X
    本发明属于微电子领域，具体涉及一种基于钪掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管的制备方法和应用，通过如下步骤制备：S1：在衬底上通过磁控溅射生长粘附层；S2：在粘附层上通过磁控溅射生长底电极；S3：室温下，在底电极上通过磁控共溅射生长铁电薄膜；S4：在...
    2025-08-18
  • 一种掩膜版及其制备方法
    一种掩膜版及其制备方法_歌尔科技有限公司_202311808519.8
    本发明公开了一种掩膜版及其制备方法，掩膜版用于在目标面蒸镀形成预设功能层，其包括基片，基片包括第一硅层、氧化层和第二硅层，氧化层位于第一硅层和第二硅层之间。基片包括蒸镀区，蒸镀区至少保留第一硅层，蒸镀区设置有孔，使得预设材料通过孔附着于目标...
    2025-08-18
  • 柔性基底的表面处理方法
    柔性基底的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311801588.6
    本发明的柔性基底的表面处理方法包括：清洗柔性基底；在所述柔性基底上通过离子束沉积形成类金刚石碳层；在所述类金刚石碳层上进行等离子体氟化处理；以及对所述类金刚石碳层进行测试。该方法可将柔性基底和类金刚石碳层结合在一起，类金刚石碳层具有良好的机...
    2025-08-18
  • 金刚石粉的加工方法
    金刚石粉的加工方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804495.9
    本发明的金刚石粉的加工方法包括：清洗金刚石粉；在所述金刚石粉的表面溅射形成第一金属层；以及在所述第一金属层上溅射形成第二金属层，其中，第一金属层为铬，所述第二金属层为锡。本发明可对受损的金刚石粉进行修复，使其表面的批锋钝化，修复划痕，从而提...
    2025-08-18
  • 类金刚石碳膜的处理方法
    类金刚石碳膜的处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311801589.0
    本发明的类金刚石碳膜的处理方法包括：在类金刚石碳膜上形成纳米孔洞结构；在所述纳米孔洞结构上形成金属层；以及在所述金属层上形成金属氧化物层或金属氢氧化物层。该方法简单高效，能够有效改变类金刚石碳膜表面形貌和化学性质，从而提高其延展性，提高化学...
    2025-08-18
  • 一种采用离子束沉积制备IGZO改性薄膜的方法
    一种采用离子束沉积制备IGZO改性薄膜的方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311808876.4
    本发明提供了离子束沉积制备物理改性的IGZO薄膜中的应用。本发明还提供了采用离子束沉积制备改性IGZO薄膜的方法。本发明制备的IGZO薄膜不会受到等离子体的损伤、不存在有机物残留，制备的薄膜可以避免后退火步骤，获得更优异的电学性能，制备的I...
    2025-08-18
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