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五金工具产品及配附件制造技术
一种磁控溅射阴极及镀膜设备
本发明提出了一种磁控溅射阴极,包括:阴极组件和阳极层离子源;阴极组件包括可旋转的靶材及设置在靶材内部的磁棒;阳极层离子源通过具有伸缩调节功能的伸缩部件吊装在靶材的侧部,阳极层离子源的等离子体出口朝向靶材。本发明提出的一种镀膜设备,包括:所述...
一种送丝方法及真空蒸发镀膜装置
本公开提供了一种送丝方法及真空蒸发镀膜装置;送丝方法应用于真空蒸发镀膜,其包括:对蒸发舟进行预热;在蒸发舟处于第一功率的加热下,以第一速度进行送丝;当蒸发舟内的靶材处于熔融状态且形成熔池;在蒸发舟处于第二功率的加热下,以第二速度进行送丝;其...
一种柔性高分子基材连续卷绕磁控溅射镀膜设备
本实用新型提供了一种柔性高分子基材连续卷绕磁控溅射镀膜设备,涉及物理气相沉积镀膜技术领域,包括放卷室、收卷室以及真空镀膜室,所述真空镀膜室内设有磁控溅射镀膜机构、放卷缓冲机构以及收卷缓冲机构,所述缓冲机构至少包括一组固定辊和移动辊,所述放卷...
一种真空光学玻璃镀膜设备
本实用新型涉及镀膜加工技术领域,尤其是一种真空光学玻璃镀膜设备,包括箱体,所述箱体的顶部固定连接有集尘箱,所述箱体内腔的后侧固定连接有静电吸尘板,所述箱体的右侧固定连接有电机,所述电机的输出端贯穿至箱体的内腔并设置有限位机构,所述箱体的底部...
一种镀膜设备
本申请提供一种镀膜设备,属于镀膜技术领域。镀膜设备包括箱体、反应器、供料装置、电击棒、气体分析仪和控制器;反应器包括第一容器、第二容器和搅拌组件,第一容器具有第一容纳腔,第二容器收容于第一容纳腔,并与第一容器转动连接,第二容器具有与第一容纳...
溅射装置
本发明提供能够实现在成膜面上具有凹凸的基板的膜厚的均匀化的溅射装置。所述溅射装置具备:移动机构,其移动基板;靶材,其使溅射粒子朝向所述基板飞散;磁铁,其以使来自所述靶材的溅射粒子的主飞散方向成为从所述基板的法线方向倾斜的斜入射方向的方式配置...
球形滚珠镀膜机构及球形滚珠镀膜装置
本实用新型提供了一种球形滚珠镀膜机构及球形滚珠镀膜装置,镀膜机构包括转动件、导向结构以及用于放置滚珠的托盘组件,所述托盘组件具有供所述滚珠滚动的滚动面,所述转动件与所述托盘组件活动连接,驱动所述托盘组件绕第一方向转动,所述托盘组件由所述导向...
一种光伏焊带用风刀
本发明公开了一种光伏焊带用风刀,涉及风刀技术领域,包括上壳体和下壳体,所述上壳体和下壳体同圆心处设置穿过焊带的模具孔,所述上壳体和下壳体连接后形成气体流通的腔体,所述上壳体和下壳体的模具孔处形成吹风口,腔体包括水平段、竖直段、斜向段,所述下...
一种氮化硅薄膜及其制备方法与半导体器件
本发明属于半导体技术领域,涉及一种氮化硅薄膜及其制备方法与半导体器件。所述氮化硅薄膜的制备方法包括:(1)向抽至真空的腔体中通入前驱体气体,同时预热晶片至沉积温度;(2)在晶片表面沉积氮化硅薄膜;(3)将腔体抽至真空,通入氮气,对所述氮化硅...
一种气体控制结构
本公开提供一种气体控制结构,属于半导体技术领域,气体控制结构包括:第一进气管路,所述第一进气管路上设置有第一流量控制结构,用于控制通入所述第一进气管路中的制程气体的流量;第二进气管路,所述第二进气管路上设置有第二流量控制结构,用于控制通入所...
真空中转室及磁控溅射镀膜系统
本申请公开一种真空中转室及磁控溅射镀膜系统。真空中转室包括由顶壁、底壁和侧壁围成的真空腔室,以及可绕一竖直轴线转动安装在所述真空腔室内的换向架,所述换向架与所述顶壁和底壁枢转连接,所述侧壁上设置有对准所述换向架的工件转移口,所述真空腔室的外...
一种砂浆泵泵轴表面处理工艺
本发明涉及砂浆泵技术领域,且公开了一种砂浆泵泵轴表面处理工艺,包括以下步骤:(1)表面打磨处理;(2)清洗;(3)磷化液预处理;(4)磷化处理;本发明工艺在砂浆泵泵轴表面形成了一层均匀致密的磷化膜,并且形成的磷化膜表面无贯穿性的裂缝,成膜质...
一种制备低残余应力SiC耐高温防护涂层的化学气相渗透方法
本发明属于半导体高温防护涂层制备技术领域,具体涉及一种制备低残余应力SiC耐高温防护涂层的化学气相渗透方法。采用正压化学气相渗透技术,选择MTS‑H
2
体系作为前驱体并控制其摩尔比例(MTS:H
2
=...
一种调平装置及应用其的薄膜沉积设备
本实用新型公开了一种调平装置及应用其的薄膜沉积设备,调平装置包括第一调整块、第二调整块、固定组件以及调整组件,固定组件穿过第一调整块和第二调整块后形成固定点,调整组件穿过第一调整块和第二调整块后形成调整点;调整组件能够使得第一调整块在调整点...
一种多离子源同步溅射镀膜装置及工艺
本发明涉及溅射镀膜技术领域,具体涉及一种多离子源同步溅射镀膜装置及工艺,多离子源同步溅射镀膜工艺包括采用多离子源同步溅射镀膜装置进行镀膜;多离子源同步溅射镀膜装置包括壳体和多个均插装在壳体内的阴极射头,阴极射头包括连接臂、靶座、压接部、屏蔽...
一种Fe基薄膜材料用前驱体α-二亚胺基二甲基Fe(III)化合物
本发明公开了一种Fe基薄膜材料用前驱体α‑二亚胺基二甲基Fe(III)化合物,属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的α‑二亚胺基二甲基Fe(III)化合物,该化合物有良好的挥发性、热稳定性、耐氧气稳定性,以及良好的成膜性能...
一种具有高温抗氧化性能的纳米TiO
2
复合Ni
2
Al
3
涂层及其制备方法
本发明涉及Ni
2
Al
3
涂层制备技术领域,具体公开一种具有高温抗氧化性能的纳米TiO
2
复合Ni
2
Al
3
涂层及其制备方法,其中,制备方...
一种液晶面板镀膜夹持机构
本实用新型公开了一种液晶面板镀膜夹持机构,包括:吸附件、驱动件以及两个定位件,吸附件包括真空吸盘以及安装板,真空吸盘安装于安装板,并连接真空泵,真空吸盘的一侧形成有一夹持区;驱动件连接安装板,用于驱动真空吸盘相对夹持区运动;两个定位件分别设...
一种真空镀膜机用充气装置
本实用新型公开了一种真空镀膜机用充气装置,属于真空镀膜技术领域,包括箱体,所述箱体内部设置有隔板,隔板一侧设置有镀膜腔,镀膜腔内部下侧设置有电机一,电机一输出端设置有基片放置架,基片放置架上端设置有夹持机构,箱体上端设置有加压泵,本实用新型...
一种改善磁控溅射薄膜膜厚均匀性的工艺方法、磁控溅射薄膜和磁控溅射设备
本发明提供一种改善磁控溅射薄膜膜厚均匀性的工艺方法、磁控溅射薄膜和磁控溅射设备,属于半导体制造领域。该工艺方法包括以下步骤:提供晶圆,设定磁控溅射设备中的靶磁间距为TM
0
,靶基距为TW
0
,然后在所...
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