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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明涉及涂镀技术领域,提出一种热镀基板的镀层均匀性控制的方法。方法包括:步骤a、确定热镀基板的尺寸规格以及镀层的重量规格;步骤b、将热镀基板进行热浸镀锌处理;步骤c、根据尺寸规格及重量规格控制气刀对热镀基板进行平整处理的运行参数,使镀层的...
  • 本发明公开了一种微波等离子体化学气相高效沉积装置,包括主体,所述主体的上方设置有微波发生器,所述主体的内侧底部安装有转轴,所述转轴上固定有锥齿一。本发明通过设置可旋转倾斜的环形样品台,在沉积过程中,通过驱动机构带动转轴、立杆、十字形固定架以...
  • 本发明公开了一种分气调节机构及其薄膜沉积设备、方法,调节机构包括:分气管道、流量调节件以及压力检测件;所述流量调节件活动连接于所述分气管道,所述分气管道内设有流体通道,调节所述流量调节件可改变所述分气管道的流通截面大小;所述压力检测件连接于...
  • 本发明公开了一种APCVD法LTO膜厚均一性优化方法,具体涉及半导体制造技术领域,包括以下步骤:S1、预制硅片;S2、选择钨丝环;S3、钨丝环安装;S4、沉积LTO薄膜;S5、硅片LTO薄膜膜厚测定S6、确认钨丝环使用寿命。本发明所述的一种...
  • 本发明涉及一种中心抽气的等离子体薄膜沉积设备,包括反应腔室、热台、热台底座、升降机、抽气装置以及第一、第二弹性管路;热台分为承载部和垂直设置于承载部底面中部的支撑部;承载部与反应腔室内侧具有第一间隙;支撑部底端伸出反应腔室底部与热台底座固接...
  • 本发明属于半导体高温防护涂层制备技术领域,具体涉及一种半导体用重结晶碳化硅烧结体的化学气相渗透表面封孔方法。针对多孔的重结晶碳化硅烧结体基体在1250℃高温环境中易引发杂质挥发污染与涂层粗糙度超标的技术瓶颈,本发明创新性地采用分阶段CVI工...
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜设备,包括坩埚、自动送丝机构和设置于所述坩埚上的送丝管,所述自动送丝机构持续输送蒸镀材料并经所述送丝管进入所述坩埚,所述坩埚上设置有供所述送丝管安装的送丝孔,所述送丝管倾斜设置于所述送丝孔并伸入所述坩埚的内部,以...
  • 本实用新型涉及光伏电池领域,具体公开了一种应用于光伏电池LPCVD的进气管、管式炉及拉普拉斯机台,所述应用于光伏电池LPCVD的进气管包括管体,管体一端为敞口的出气端,管体另一端为封闭的进气端,管体的管壁上设有临近进气端的若干个第一进气口。...
  • 本发明涉及永磁材料领域,公开了一种高质量柱状晶铝镍钴磁性材料的制备方法,包括:1)将涂层材料等离子喷涂于结晶器面板表面,形成均匀涂层;2)将原料熔融后浇铸至砂模内,冷却结晶后取下砂模,静置冷却,拆除砂模,得到毛坯;3)形状加工;4)对毛坯固...
  • 本实用新型提供的一种真空蒸镀装置的抽真空系统,包括真空腔体、上抽真空组和下抽真空组,上抽真空组与真空腔体的上部连接,下抽真空组与真空腔体的下部连接,下抽真空组包括机械泵和罗茨泵,机械泵与罗茨泵连通,罗茨泵与真空腔体的下部连通;上真空组包括机...
  • 本公开提供了一种送丝方法及真空蒸发镀膜装置;送丝方法应用于真空蒸发镀膜,其包括:对蒸发舟进行预热;在蒸发舟处于第一功率的加热下,以第一速度进行送丝;当蒸发舟内的靶材处于熔融状态且形成熔池;在蒸发舟处于第二功率的加热下,以第二速度进行送丝;其...
  • 本实用新型提供了一种柔性高分子基材连续卷绕磁控溅射镀膜设备,涉及物理气相沉积镀膜技术领域,包括放卷室、收卷室以及真空镀膜室,所述真空镀膜室内设有磁控溅射镀膜机构、放卷缓冲机构以及收卷缓冲机构,所述缓冲机构至少包括一组固定辊和移动辊,所述放卷...
  • 本发明提出了一种磁控溅射阴极,包括:阴极组件和阳极层离子源;阴极组件包括可旋转的靶材及设置在靶材内部的磁棒;阳极层离子源通过具有伸缩调节功能的伸缩部件吊装在靶材的侧部,阳极层离子源的等离子体出口朝向靶材。本发明提出的一种镀膜设备,包括:所述...
  • 本发明提供一种透明塑料基材选择性金属化的方法,属透明塑料材料金属化领域;该方法是利用刮涂法将激光敏化剂油墨涂覆到透明塑料基材表面,接着利用激光辐照刻蚀处理未涂覆的塑料基材表面,激光透过塑料材料对激光敏化剂进行活化处理,在化学镀铜后得到所需的...
  • 本实用新型涉及镀膜加工技术领域,尤其是一种真空光学玻璃镀膜设备,包括箱体,所述箱体的顶部固定连接有集尘箱,所述箱体内腔的后侧固定连接有静电吸尘板,所述箱体的右侧固定连接有电机,所述电机的输出端贯穿至箱体的内腔并设置有限位机构,所述箱体的底部...
  • 本发明提出一种真空蒸镀机的旋转机构,包括旋转装置,所述旋转装置的上部穿过真空蒸镀机的壳体连接外部驱动器,所述旋转装置的下部连接支撑组件,所述支撑组件包括上支撑环和下支撑环,所述上支撑环通过支撑连接组件与所述旋转装置连接,所述下支撑环用于承接...
  • 本公开提供一种气体控制结构,属于半导体技术领域,气体控制结构包括:第一进气管路,所述第一进气管路上设置有第一流量控制结构,用于控制通入所述第一进气管路中的制程气体的流量;第二进气管路,所述第二进气管路上设置有第二流量控制结构,用于控制通入所...
  • 本实用新型提供了一种球形滚珠镀膜机构及球形滚珠镀膜装置,镀膜机构包括转动件、导向结构以及用于放置滚珠的托盘组件,所述托盘组件具有供所述滚珠滚动的滚动面,所述转动件与所述托盘组件活动连接,驱动所述托盘组件绕第一方向转动,所述托盘组件由所述导向...
  • 本发明提供能够实现在成膜面上具有凹凸的基板的膜厚的均匀化的溅射装置。所述溅射装置具备:移动机构,其移动基板;靶材,其使溅射粒子朝向所述基板飞散;磁铁,其以使来自所述靶材的溅射粒子的主飞散方向成为从所述基板的法线方向倾斜的斜入射方向的方式配置...
  • 本申请提供一种镀膜设备,属于镀膜技术领域。镀膜设备包括箱体、反应器、供料装置、电击棒、气体分析仪和控制器;反应器包括第一容器、第二容器和搅拌组件,第一容器具有第一容纳腔,第二容器收容于第一容纳腔,并与第一容器转动连接,第二容器具有与第一容纳...
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