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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种低内应力超音速火焰喷涂涂层、制备方法及其应用
    一种低内应力超音速火焰喷涂涂层、制备方法及其应用_安徽马钢表面技术股份有限公司_202511410429.2
    本发明涉及表面技术领域，具体涉及一种低内应力超音速火焰喷涂涂层、制备方法及其应用，在常规喷涂工艺基础上，提高喷涂步距可获得比常规喷涂工艺喷涂残余应力降低约40％左右的低内应力涂层且提高涂层50％以上的断裂韧度，进一步通过保证R角等异形喷涂区...
    2026-01-13
  • 蒸镀铝用坩埚装置
    蒸镀铝用坩埚装置_博宇(天津)半导体材料有限公司_202511882782.0
    本申请提供了一种蒸镀铝用坩埚装置，包括：坩埚，其包括埚体、颈部和上口部，所述颈部连接所述埚体和所述上口部；防爬结构，其为环形，所述防爬结构设于所述颈部外部和/或所述上口部。本申请的蒸镀铝用坩埚装置能够改善爬埚现象。
    2026-01-13
  • 一种气刀刀腔稳流装置
    一种气刀刀腔稳流装置_首钢京唐钢铁联合有限责任公司_202511334256.0
    本申请公开了一种气刀刀腔稳流装置，解决现有技术流速波动大的技术问题。其包括气流稳定结构和连接机构。气流稳定结构包括进气面和出气面，进气面和出气面相对设置以形成稳流腔，进气面上设置有多个进气孔，多个进气孔均与稳流腔连通，出气面上设置有多个出气...
    2026-01-13
  • 一种钙钛矿用高温点蒸发源
    一种钙钛矿用高温点蒸发源_安徽微迈思科技有限公司_202511345706.6
    本发明公开了一种钙钛矿用高温点蒸发源，涉及点蒸发源技术领域，该点蒸发源包括主体以及设置在主体内部的内撑结构；主体包括外壳、分隔套、内壳和分隔环。本发明通过加热丝一和加热丝二，以及设置辐射孔一和辐射孔二，形成了均匀、高效的立体热场；加热丝二呈...
    2026-01-13
  • 工件承载装置的更换方法、工件承载装置及用于涂覆基板的生产车间
    工件承载装置的更换方法、工件承载装置及用于涂覆基板的生产车间_ALD真空技术有限公司_202511274756.X
    本揭露是有关于一种用于在一生产车间(10)中更换一工件承载装置(50)以涂覆多个基板(12)的方法。此方法包括以下步骤：通过一机器人(16)将依工件承载装置(50)从一供应区(20)移动到一处理区(14)；通过机器人(16)进一步移动工件承...
    2026-01-13
  • 磁控溅射镀膜方法及装置
    磁控溅射镀膜方法及装置_富联裕展科技(深圳)有限公司_202411897764.5
    本申请提供一种磁控溅射镀膜方法及装置，方法包括以下步骤：在对靶材施加恒定电流的条件下，基于第一工作参数对待镀膜工件进行镀膜处理，得到第一初始膜层。将第一初始膜层的色差与预设标准色差进行比对。当第一初始膜层的色差与预设标准色差的差值小于或等于...
    2026-01-13
  • 一种发动机薄壁件涂层涂覆用工艺装备
    一种发动机薄壁件涂层涂覆用工艺装备_中国航发动力股份有限公司_202511414505.7
    本发明涉及热喷涂涂层制备和控制技术领域，尤其涉及一种发动机薄壁件涂层涂覆用工艺装备及方法，包括环形的底盘，底盘的中心设置有用于与底座配套使用的中心环带，底盘上设置有八个第一异形体或者八个第二异形体，第一异形体和第二异形体均呈弧形，第一异形体...
    2026-01-13
  • 一种脉冲电流辅助真空气相沉积刀具涂层制备方法
    一种脉冲电流辅助真空气相沉积刀具涂层制备方法_东北大学_202511417627.1
    本发明属于刀具涂层材料技术领域，公开了一种脉冲电流辅助真空气相沉积刀具涂层制备方法。所述的制备方法是对预镀膜刀具施加脉冲电流，通过脉冲电流产生的瞬态电效应和热效应取代传统的电加热方式。该方法不需要传统真空气相沉积涂层时的升温和降温过程、也不...
    2026-01-13
  • 一种用于管道内壁的等离子体喷涂装置
    一种用于管道内壁的等离子体喷涂装置_深圳市恒运昌真空技术股份有限公司_202423031888.3
    本申请涉及一种用于管道内壁的等离子体喷涂装置，包括：密封板，在管道内限制出一段密闭空间；移动基板，包括基板本体和套筒；所述基板本体一端与一密封板连接，另一端与套筒连接，所述套筒与另一密封板连接；喷涂组件，包括喷枪和第一电机，所述喷枪转动地套...
    2026-01-13
  • 通过原子层沉积来沉积硅薄膜的方法
    通过原子层沉积来沉积硅薄膜的方法_美光科技公司_202480039529.6
    描述用于通过原子层沉积来沉积硅薄膜的方法的方法、系统及装置。例如，一种装置可将基底材料(例如多个材料堆叠)暴露于第一前体以在所述基底材料上形成硅化合物，所述第一前体包含硅脒基。所述装置可使第二前体与所述硅化合物反应且可基于将所述基底材料暴露...
    2026-01-13
  • 用于沉积二维的层的方法以及CVD反应器
    用于沉积二维的层的方法以及CVD反应器_艾克斯特朗欧洲公司_202511310164.9
    本发明涉及一种用于在CVD反应器的至少一个基材上沉积二维的层的方法，借助输入管路将工艺气体馈送到进气机构的气体分配室中，进气机构具有第一气体分配室和至少一个第二气体分配室，并且通过加热装置使基材达到过程温度。在第一步骤中将惰性气体或者稀释气...
    2026-01-13
  • 一种镀膜系统
    一种镀膜系统_佛山市佛欣真空技术有限公司_202311008056.7
    本发明公开了一种镀膜系统，包括：上下料轨道、工件架、移料装置和镀膜炉。工件架具有镀膜连接端和移料连接端。移料装置与上下料轨道左右滑移连接。移料装置具有可往前伸缩、并与移料连接端可拆连接的移料连接部。镀膜炉设于上下料轨道的前侧，镀膜炉具有与镀...
    2026-01-13
  • 蒸发源装置及具有其的真空蒸镀设备
    蒸发源装置及具有其的真空蒸镀设备_安迈特科技(北京)有限公司_202422955672.X
    本实用新型提供了一种蒸发源装置及具有其的真空蒸镀设备，蒸发源装置包括：电极模块，包括多组电极组件，各组电极组件包括阳极电极、阴极电极和蒸发舟；各组电极组件中的阳极电极、阴极电极和蒸发舟相独立设置，多组电极组件中的阴极电极可独立调节地设置；监...
    2026-01-13
  • 一种基片的承载装置
    一种基片的承载装置_江苏微导纳米科技股份有限公司_202510221813.1
    本发明公开一种基片的承载装置，包括托盘和框架，所述框架包括框主体，所述框主体包括支撑梁体，所述支撑梁体沿第一方向延伸，所述支撑梁体包括金属梁部和两个夹板梁部，两所述夹板梁部的材质和所述金属梁部的材质不同，两所述夹板梁部分别位于所述金属梁部在...
    2026-01-13
  • 镀膜辅助装置及镀膜设备
    镀膜辅助装置及镀膜设备_富联裕展科技(深圳)有限公司_202423308901.5
    本申请提供一种镀膜辅助装置及镀膜设备，用于辅助蒸发源镀膜，镀膜辅助装置包括蒸发室和挡条组件。蒸发室包括用于容纳蒸发源的蒸发空腔，蒸发室上开设有蒸发口，蒸发空腔通过蒸发口与镀膜腔连通。挡条组件设置于蒸发口，用于遮挡蒸发口，以使蒸发口形成蒸发缝...
    2026-01-13
  • 一种适用于半导体加工的化学气相沉积设备
    一种适用于半导体加工的化学气相沉积设备_浙江创魏新材股份有限公司_202511235144.X
    本发明公开了一种适用于半导体加工的化学气相沉积设备，涉及半导体加工技术领域。该种适用于半导体加工的化学气相沉积设备，包括底座，所述底座的上表面设置有支撑组件，支撑组件的顶部设置有调节组件，调节组件的顶部设置有沉积组件，沉积组件的顶部设置有限...
    2026-01-13
  • 一种无磁化学镀镍溶液及沉积工艺
    一种无磁化学镀镍溶液及沉积工艺_珠海斯美特电子材料有限公司_202511481809.5
    本发明公开了一种无磁化学镀镍溶液及沉积工艺，涉及到金属表面镀层处理的技术领域。一种无磁化学镀镍溶液，包括水溶性镍盐、还原剂、复合络合剂、稳定剂、缓冲剂、光亮剂、其余为水，其中水溶性镍盐选用硫酸镍、醋酸镍和氨基磺酸镍中的至少一种，还原剂包括次...
    2026-01-13
  • 挂架
    挂架_富联裕展科技(深圳)有限公司_202423309864.X
    本申请涉及镀膜设备技术领域，提供一种挂架，以提高装夹精度，包括：承托组件，包括相连接的承托件和支撑杆，承托件设有抵持体及两个定位孔；多组装夹组件，层叠设置于承托件并均套设于支撑杆，每组装夹组件包括承载件和装夹件，承载件承载工件并设有两个定位...
    2026-01-13
  • 一种光学塑件物理气相沉积自动化装置
    一种光学塑件物理气相沉积自动化装置_福建富兰光学股份有限公司_202520282008.5
    本实用新型涉及一种光学塑件物理气相沉积自动化装置，包括修正板调节组件和支撑杆，所述修正板调节组件包括活动修正板、固定修正板和支撑杆，所述固定修正板的中部位置固定在所述支撑杆上，所述固定修正板的两侧均开设有槽口，所述槽口通过活动件与所述活动修...
    2026-01-13
  • 化学气相沉积钨及钨成核层的方法
    化学气相沉积钨及钨成核层的方法_重庆芯联微电子有限公司_202511201396.0
    本发明提供一种化学气相沉积钨及钨成核层的方法，首先在成核阶段引入分子质量大于SiH44的惰性气体作为扩散添加剂，使SiH44均匀化学吸附于基底表面形成SiHxx(其中x≥0)，随后引入WF66气体，使WF66与吸附的SiHxx发生化学反应，...
    2026-01-13
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