Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明公开了一种掩膜基板及镀膜温度控制方法,属于半导体制造技术领域。本发明的一种掩膜基板,包括基板本体以及在基板本体表面依次形成的抗反射层、遮光层和保护层,其中,抗反射层为梯度复合膜,遮光层为纳米晶Cr,遮光层由HiPIMS溅射沉积,晶粒尺...
  • 本发明公开了一种通过温度控制与超声辅助提升DM‑4000封孔剂对AT13陶瓷涂层封孔效果的方法。该方法通过在封孔过程中控制环境温度为40‑60℃,同时使用超声辅助法,提高了DM‑4000(Dura‑Metal Sealer 4000)对AT...
  • 本申请公开了沉积系统。沉积系统包括沉积设备。沉积设备包括设备主体、工艺通道、清洗通道和沉积射频模组。设备主体具有工艺腔体,工艺腔体用于容置载板,且可供载板出入。工艺通道与工艺腔体连通,用于通入工艺气体。多个清洗通道围绕工艺通道,清洗通道分别...
  • 本实用新型公开了一种蒸发机构,蒸发机构包括蒸发主体以及第二蒸发容器,蒸发主体包括发热体和第一蒸发容器,发热体内设置有蒸发槽,第一蒸发容器设置于蒸发槽内;第二蒸发容器安装于蒸发主体上并位于第一蒸发容器一侧。本实用新型解决了不同熔点材料分离式蒸...
  • 本申请公开一种双腔室镀膜设备以及镀膜方法,其中双腔室镀膜设备包括ALD腔、与ALD腔内部连通的第一泵以及设置于ALD腔内的第一承载台和第一加热装置,第一承载台用于承载基体;PVD腔、与PVD腔内部连通的第二泵以及设置于PVD腔内的第二承载台...
  • 本实用新型公开了一种锌锅挡渣装置,包括外框架、矩形挡渣板和内延伸挡条,所述外框架的两端通过安装座安装有伺服电机且伺服电机的输出轴连接丝杆,所述丝杆上套设有丝块,所述丝块内通过连接块连接有矩形挡渣板且矩形挡渣板的顶端内侧焊接有内延伸挡条,所述...
  • 本实用新型提供了一种避免石英管内壁前驱体源沉积的等离子体原子层沉积设备,包括等离子体发生器,真空腔体,插板阀和真空泵,其中,插板阀设置于等离子体发生器和真空腔体之间,通过在真空腔体和等离子体发生器中间增加大尺寸插板阀,杜绝了真空腔体中的前驱...
  • 本发明涉及金属管道表面处理技术领域,公开一种基于耐腐蚀性合金靶材的金属管道溅射涂层方法,包括:向合金靶材施加第一脉冲序列溅射金属原子,向金属管道施加第二脉冲序列,并严格同步两序列使负电压脉冲仅在靶材功率低谷期施加,利用溅射产生的金属离子轰击...
  • 本发明涉及铜线镀锡技术领域,公开了一种铜线镀锡装置,包括:架体、铜线收放组件、锡液喷发组件和预热组件;预热组件使得铜线在热镀之前进行预热处理,一方面可以增加锡液的润湿性和附着力,同时可以去除铜线表面杂质和水分,以保证锡镀层的质量,锡液喷发组...
  • 本发明公开了一种在金刚石热沉上制备高质量金属碳化物薄膜的方法,该方法包括:一、对单晶金刚石片的表面进行研磨、抛光和清洗及烘烤预处理;二、采用磁控溅射法在预处理后的单晶金刚石片上镀覆纳米级厚度的碳化钛薄膜;三、将镀覆碳化钛薄膜的单晶金刚石片进...
  • 本发明公开了一种反应腔室及薄膜沉积设备,该反应腔室包括:传输通道,所述传输通道开设有缺口;调节组件,所述调节组件包括与所述缺口相契合且活动设置的调节板。本发明通过调节板的活动控制,使传输通道在封闭与开放两种状态下切换,实现对于反应腔室的体积...
  • 本发明提供将作为膜厚的测量对象的基板的形状维持为恒定的成膜装置、膜厚测量方法以及电子器件的制造方法。成膜装置对基板进行成膜。测量部件测量形成于基板的膜的厚度。静电卡盘利用静电力吸附基于测量部件测量的测量对象的基板。移动部件使静电卡盘移动,以...
  • 本发明涉及桥接条生产领域,尤其涉及一种三聚氰胺覆铜镀锡绝缘耐电弧桥接条生产系统及方法,包括:镀液池;隔离机构,所述隔离机构设置在镀液池上方且将镀液池与外部氧气隔离;预处理机构,所述预处理机构设置在隔离机构内部且用于对桥接条进行转运及涂覆助镀...
  • 本发明公开了一种增强镀钌钼片及其制备方法,属于镀钌钼片的技术领域。所述制备方法包括:通过磁控溅射的方式,在钼片表面真空溅射镀一层厚度为0.1~0.5μm的高纯钼镀层,获得镀钼钼片;将镀钼钼片进行氧化酸洗及离子清洗,其后通过气相沉积的方式,在...
  • 真空处理模块具有预成型的顶板和/或成型为向外凸起的底部。顶板和/或处理模块的形状抵消了在处理模块中处理基板时由真空压力和/或高温引起的变形。处理模块具有可通向传送室的侧面和与可打开侧面相对的侧面。凸起可以是不对称的,凸起的顶峰在顶板上偏心并...
  • 提供了一种填充间隙而在间隙内没有缝隙或空隙的方法。根据本公开的实施例,间隙填充方法包括在间隙的上部上形成第一抑制层,通过去除第一抑制层在间隙的上部上形成第二抑制层,形成含硅层并执行后处理以从含硅层去除残留杂质,其中后处理包括第一处理和第二处...
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜设备、导电膜及极片,该真空镀膜设备包括设备本体、蒸镀组件以及磁控溅射组件,设备本体内设置有真空舱室,真空舱室包括分隔设置的第一舱室和第二舱室,第一舱室和第二舱室之间的侧壁上设置有穿膜缝隙,穿膜缝隙连通第一舱室和第...
  • 本发明公开了一种粉体包覆装置及其使用方法,属于粉体包覆材料技术领域,该粉体包覆装置包括真空室和控制系统,真空室内设置有粉体处理仓、粉体仓、循环组件和发射源;粉体处理仓的底部与粉体仓的顶部可拆卸连接;循环组件包括粉体循环管路以及设置在粉体循环...
  • 本发明公开了一种提高TiCN金属陶瓷涂层刀具切削性能的刻蚀方法,首先对TiCN基金属陶瓷表面清洗;然后对清洗后的TiCN基金属陶瓷进行等离子刻蚀处理;等离子刻蚀处理使用的气体为流量比例1:1的氩气和氮气混合气体或高纯氮气,总体腔压为1~2P...
  • 本发明属于化学表面热处理加工领域,特别涉及到了一种零部件的局部化学表面热处理方法,包括:步骤1:将零部件整体进行化学镀;步骤2:将零部件的需要进行化学表面热处理区域的化学镀层去除;步骤3:对零部件进行化学表面热处理。在本发明中,该方法适用性...
技术分类