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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种高致密性二氧化硅膜层制备方法
    一种高致密性二氧化硅膜层制备方法_安徽立光电子材料股份有限公司_202510393596.4
    本发明公开了一种高致密性二氧化硅膜层制备方法，属于二氧化硅膜制备领域，步骤一，基片准备；步骤二，真空室准备；步骤三，溅射过程；步骤四，薄膜后处理，本发明膜层致密性高，孔隙率低，机械强度和化学稳定性优异；制备工艺简单，成本低，易于规模化生产；...
    2025-08-06
  • 一种腔室内载板定位装置及控制方法
    一种腔室内载板定位装置及控制方法_江苏中胜微科技有限公司_202510564775.X
    本申请涉及一种腔室内载板定位装置及控制方法，该腔室内载板定位装置包括腔室、传动机构、控制器、载板、第二传感器和第一传感器。相邻两个腔室间设置有门阀。该传动机构设置在腔室内。该控制器与传动机构连接，用于控制传动机构传动。该载板放置在传动机构上...
    2025-08-06
  • 一种镀铝设备
    一种镀铝设备_深圳劲嘉聚能科技有限公司_202421926103.6
    本实用新型提供的一种镀铝设备，包括真空腔体，所述真空腔体内设置有卷绕模组，所述卷绕模组包括放卷辊和收卷辊，所述放卷辊与收卷辊位于同一高度区域，所述放卷辊与收卷辊之间具有间隔空间，所述放卷辊和收卷辊的下方设置有前主辊，所述放卷辊上装设有薄膜卷...
    2025-08-06
  • 一种力学性能可分区调控的钨网增强高温钛合金零件及其制备方法
    一种力学性能可分区调控的钨网增强高温钛合金零件及其制备方法_哈尔滨工业大学_202510538095.0
    本发明公开了一种力学性能可分区调控的钨网增强高温钛合金零件及其制备方法，属于金属基复合材料技术领域。本发明解决了传统零件性能无法分区调控、界面改性工艺与多工况适配性不足、应力场分布失配问题。本发明通过拓扑优化确定高承载区，该区域以带碳化硅涂...
    2025-08-06
  • 一种拉条自动甩镀装置
    一种拉条自动甩镀装置_河北天创新材料科技有限公司_202422488384.8
    本实用新型公开了一种拉条自动甩镀装置，包括多臂龙门桁架和位于多臂龙门桁架下方的锌锅，所述多臂龙门桁架底部设有自动夹取机构，锌锅右侧设有离心甩镀机构，离心甩镀机构包括甩镀槽、驱动电机、一组转动套筒、一组转轴、伺服气缸、推动板、卧式离心滚筒以及...
    2025-08-06
  • 一种高熵氮化物陶瓷涂层及其制备方法与应用
    一种高熵氮化物陶瓷涂层及其制备方法与应用_南京航空航天大学_202510415537.2
    本发明公开了一种高熵氮化物陶瓷涂层及其制备方法与应用。采用双层辉光等离子表面冶金工艺以及真空退火技术在TC21合金表面制备的高熵陶瓷涂层材料，从上至下依次为镀层，N扩散层，其中镀层的组成为x+y+z+m+n+t=1。本发明高熵陶瓷涂层镀层在...
    2025-08-06
  • 半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法
    半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法_锦州精辰半导体有限公司_202510907645.1
    本发明公开了半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法，具体涉及材料表面镀覆处理技术领域，包括反应室和石墨载台，所述反应室的内部安装有承载台，所述反应室的外部固定连接与其内部相通的若干个进气管，所述进气管的一端对称安装有与其内部相通的...
    2025-08-06
  • 一种PECVD-磁控溅射共沉积掺杂膜层装置
    一种PECVD-磁控溅射共沉积掺杂膜层装置_深圳技术大学_202510597706.9
    本发明公开了一种PECVD‑磁控溅射共沉积掺杂膜层装置，在进行PECVD的过程中通过磁控溅射向基底沉积薄膜中掺杂其他氧化物、金属或半导体，并可通过溅射调整机构控制磁控溅射的沉积速度。在装置的容置腔内，设置有化学气相沉积机构和磁控溅射机构，在...
    2025-08-06
  • 一种绝缘子金具镀锌后处理设备
    一种绝缘子金具镀锌后处理设备_如皋市大生线路器材有限公司_202510717625.8
    本发明涉及一种绝缘子金具镀锌后处理设备，包括一振锌工作台和一承接台，振锌工作台用于搁置装有绝缘子金具的镀锌耙，承接台位于振锌工作台下方，振锌工作台由驱动机构驱动处于第一状态和第二状态；在第一状态下，振锌工作台通过驱动机构驱动向上移动至最高位...
    2025-08-06
  • 单面镀膜设备
    单面镀膜设备_苏州维克优真空技术有限公司_202422102892.8
    本实用新型涉及一种单面镀膜设备，包括从左至右依次连接的入料腔、镀膜腔和出料腔，所述入料腔、镀膜腔和出料腔内分别设置有第一滚轮传输线和第二滚轮传输线，第一滚轮传输线和第二滚轮传输线用于传输承载基片的载具，所述镀膜腔的第一滚轮传输线和第二滚轮传...
    2025-08-06
  • 一种镀锌烘烤硬化钢横纹缺陷消缺方法
    一种镀锌烘烤硬化钢横纹缺陷消缺方法_马鞍山钢铁有限公司_202510688700.2
    本发明公开了一种镀锌烘烤硬化钢横纹缺陷消缺方法，属于镀锌板材技术领域。本发明的步骤为：S1、主要参数：锌锅温度t，塔顶辊温度T，塔顶辊高度H，产线速度V，冷却塔带钢冷速△T，通过测算可知：△T=（t‑T）/（H/V）=（t‑T）*V/H；S...
    2025-08-06
  • 一种单壁碳纳米管薄膜、制备方法、系统及应用
    一种单壁碳纳米管薄膜、制备方法、系统及应用_深圳职业技术大学_202510459916.1
    本发明涉及单壁碳纳米管薄膜技术领域，提供了一种单壁碳纳米管薄膜、制备方法、系统及应用，该制备方法用于制备单壁碳纳米管薄膜，其包括：获得单壁碳纳米管层；获取多个镀膜室的基础参数，获取每一个功能材料层的预设材料层厚度；构建约束函数以及针对每一个...
    2025-08-06
  • 金属丝材用清洁装置、送丝装置及镀膜机
    金属丝材用清洁装置、送丝装置及镀膜机_安迈特科技(北京)有限公司_202421434892.1
    本实用新型提供了一种金属丝材用清洁装置、送丝装置及镀膜机。该金属丝材用清洁装置包括：包括：壳体，壳体包括容纳腔和与容纳腔相连通的进口和出口；去油部；以及除尘部，去油部和除尘部沿金属丝材的输送方向依次布置在容纳腔内，去油部包括吸油材料，除尘部...
    2025-08-06
  • 加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法
    加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法_华硼中子科技(杭州)有限公司_202510504986.4
    本发明涉及中子源靶领域，公开了一种加速器中子源靶复合过渡层及其水热‑磁控溅射制备方法。该复合过渡层位于基材与靶材层之间，包括通过水热法沉积并经酸洗焙烧附着于基材表面的TiO2层，以及沉积于TiO2...
    2025-08-06
  • 一种Fe掺杂GZO透明导电薄膜及其制备方法和应用
    一种Fe掺杂GZO透明导电薄膜及其制备方法和应用_哈工大苏州研究院_202510664238.2
    一种Fe掺杂GZO透明导电薄膜及其制备方法和应用。本发明属于透明导电薄膜领域。本发明的目的在于提供一种Fe掺杂GZO透明导电薄膜及其制备方法和应用。方法：先将Fe2O3粉末、Ga2
    2025-08-06
  • 一种用于硅钢叠片转子/定子的防腐保护涂层及制备方法
    一种用于硅钢叠片转子/定子的防腐保护涂层及制备方法_广东省科学院新材料研究所_202510526025.3
    本申请公开了一种用于硅钢叠片转子/定子的防腐保护涂层及制备方法。该防腐保护涂层包括硅钢叠片基体，其表面分布有微凸凹复合结构；微凸凹复合结构的算术平均粗糙度值为0.5‑1.0 μm；单位面积的微凸凹复合结构密度不小于50个/mm²；微凸凹复合...
    2025-08-06
  • 一种FeCrAl基梯度纳米多层结构高熵合金涂层及其制备方法
    一种FeCrAl基梯度纳米多层结构高熵合金涂层及其制备方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202311154925.7
    本发明公开了一种FeCrAl基梯度纳米多层结构高熵合金涂层及其制备方法，是利用多弧离子镀与磁控溅射复合的方法在衬底上依次沉积Cr薄膜与AlCr薄膜后，再通过交替沉积单层FeCrAl薄膜和单层FeCrAlTiSiY薄膜形成FeCrAl/FeC...
    2025-08-06
  • 一种附带气动密封的CVD真空反应器
    一种附带气动密封的CVD真空反应器_臻芯龙为(上海)半导体材料有限公司_202510380480.7
    本发明公开了一种附带气动密封的CVD真空反应器，涉及化学气相沉积技术领域，包括壳体、进气管、调节单元及置物单元，所述壳体内安装有加热设备，且所述壳体的顶端开设有安装孔，壳体的侧壁安装有进料门；所述调节单元包括基壳、流量喷管、可调喷头及自适应...
    2025-08-06
  • 一种防止高强螺栓贮存焊合的高硬纳米晶镀层制备方法
    一种防止高强螺栓贮存焊合的高硬纳米晶镀层制备方法_哈尔滨工业大学_202510545914.4
    一种防止高强螺栓贮存焊合的高硬纳米晶镀层制备方法，它属于高强螺栓表面处理领域。本发明要解决现有高强螺栓在长期贮存过程中出现的螺纹焊合失效现象，螺栓的贮存寿命低的问题。方法：一、将高强螺栓置于多弧离子镀设备的真空镀膜室中，调节炉内气压，预热，...
    2025-08-06
  • 一种ALD流化床包覆反应器和包覆粉末的方法
    一种ALD流化床包覆反应器和包覆粉末的方法_柔电(武汉)科技有限公司_202411131075.3
    本发明涉及一种ALD流化床包覆反应器和包覆粉末的方法，特点是一种能够实现快速更换反应釜的ALD流化设备。所述设备包括一个加热室、可更换的反应釜。每个反应釜包含至少一个用于沉积过程的流化床区，并且设计为通过标准化接口与加热室快速连接或分离。这...
    2025-08-06
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