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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本实用新型适用于化学气相沉积技术领域,提供了一种适用于板状工件的化学气相沉积设备。所述适用于板状工件的化学气相沉积设备包括:沉积室;旋转料台,设置在所述沉积室的内部,用于放置板状工件,使得板状工件两表面内侧各形成气流通道;进气管,穿过所述沉...
  • 本发明公开了单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法。其方法包括以下步骤:将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内,硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气,加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应,得二硫化钼薄膜;其中,惰性耐高温垫片是将...
  • 本发明涉及钢铁材料加工的技术领域,尤其涉及一种合金化热镀锌钢板表面缺陷控制装置及方法,装置包括依次相连入口输入装置、一体化镀锌装置和出口输出装置;一体化镀锌装置外层设有还原气体循环舱,内层设有依次相连接的入口舱、局部酸洗舱、退火舱、镀锌舱、...
  • 本发明涉及蒸发镀膜技术领域,提出了一种陶瓷基片蒸发镀膜装置及其镀膜方法,其中,一种陶瓷基片蒸发镀膜装置包括底部机架,底部机架上设置有真空镀膜腔室,真空镀膜腔室内设置有蒸发镀膜设备,还包括出料箱体、基片放置结构和矩形密封槽架,出料箱体设置在真...
  • 本发明涉及一种多产品钙钛矿膜层真空蒸镀设备,其包括蒸镀室以及设置在蒸镀室内的线源和掩膜板,多个线源在蒸镀室底部并排间隔设置,且任意相邻两个线源之间均设置有一个挡板,各线源内形成多个间隔设置的用于放置蒸镀材料的腔室,各腔室均设置有用于通入惰性...
  • 本发明涉及芯片制造技术领域,尤其涉及一种基于磁控溅射非晶硅的SiC/InP异质晶圆键合方法。包括以下步骤:S1、提供第一晶圆和第二晶圆,通过磁控溅射法在第一晶圆和第二晶圆的键合面均沉积界面层以实现异质晶圆的同质界面转换;S2、采用等离子体活...
  • 本发明的一观点的一种薄膜形成方法,利用基板处理装置,所述基板处理装置包括:工艺腔室,在内部提供反应空间;基板支撑部,设置在所述工艺腔室,以在上部放置基板;气体喷射部,在所述反应空间内向所述基板支撑部上供应工艺气体。所述薄膜形成方法包括如下的...
  • 本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜机的抽真空设备,包括:主体单元,其包括镀膜机本体以及固定连接在镀膜机本体下表面的支撑座,所述镀膜机本体下表面固定连接有L形座;本发明利用冷却轴杆,使盛放盘配合放置板对产品进行放置或直接进行悬挂处理,使设备在工...
  • 本发明涉及一种蒸发镀膜机高效镀膜系统,包括设置在机架上的传输机构以及沿着所述传输机构传动方向设置有多个承载机构;沿所述传输机构传动方向依次设置有落料工位、涂覆工位、镀膜工位、冷却工位、出料工位以及复位工位;所述落料工位上设置有落料机构、所述...
  • 本发明提出了金催化剂颗粒辅助的化学气相沉积法实现过渡金属硫族化合物纳米带可控生长方法,通过磁控溅射金纳米薄膜和高温退火处理,可以得到直径可调均匀分布金纳米颗粒修饰的硅片,以此为生长衬底。在化学气相沉积高温反应过程中,进一步通过单/双温区高温...
  • 本发明公开了一种饰品表面着色的方法,包括前处理;沉积底膜层;沉积二氧化硅膜层;蒸镀防指纹膜层。上述方法采用ALD原子层沉积技术在黄铜饰品表面预沉积氧化钌或氧化铱薄膜形成底膜层,再在底膜层基础上沉积SiO2功能膜层,最后再采用全氟改性硅烷通过...
  • 本发明公开了一种超柔性摩擦传感器及其制备方法和应用,属于柔性电子技术领域。本发明提供的超柔性摩擦传感器包括传感层;所述传感层包括依次叠加设计的基底、第一导电层、光刻胶层、绝缘高分子层和第二导电层;所述基底的材质包括聚对二甲苯,厚度为0.1~...
  • 一种去除防水膜层的膜层制备方法包括步骤:S1,将需要去除基底上的膜系中的处于外表的防水膜层的先前的产品连同先前镀膜的陪镀片作为镜片放入工装夹具;S2,挂入真空镀膜机腔体内,腔体的温度设定为50‑70℃;S3,抽真空,离子源进行轰击,轰击过程...
  • 本实用新型公开了一种超薄铜带复绕式镀锡线,涉及铜带镀锡技术领域,旨在解决现有技术中较为缺乏对镀锡前铜板带的清理功能,且周围灰尘或杂志到镀锡层表面,影响质量和性能的问题,采用的技术方案是,平台左侧设有焊剂槽,焊剂槽上方有表面处理机构,表面处理...
  • 本发明涉及一种用于基本无镍磷化金属表面的方法,其中用以下组合物依次处理金属表面:i)包含至少一种水溶性硅酸盐的碱性含水清洁剂组合物,和ii)包含锌离子、锰离子和磷酸根离子的酸性含水且基本无镍的磷化组合物。本发明还涉及上述清洁剂组合物本身,并...
  • 本发明实施例提供了一种管式PECVD设备维护后的空跑修复方法,其中,本发明实施例所提供的空跑修复方法包括:在管式PECVD设备维护后,将空石墨舟置于炉管中,并在炉管内沉积氧化铝层;在沉积氧化铝层后,在所述氧化铝层上沉积氧化硅层;在沉积氧化硅...
  • 本发明公开了金刚石窗片三维精控区域表面粗糙化的处理方法:S1、将单晶金刚石材料切割并抛光成光学级单晶金刚石窗片;S2、对光学级单晶金刚石窗片进行清洗;S3、对光学级单晶金刚石窗片中心非金属区域进行防护;S4、在光学级单晶金刚石窗片外环三维精...
  • 本发明公开了一种缓蚀‑防锈一体化的环保除锈剂,涉及金属表面处理技术领域,该除锈剂按质量百分比计,包括以下组分:植物多酚类化合物提取物3%‑10%、微生物发酵液提取物2%‑8%、离子液体20%‑40%、环保型助剂5%‑15%,余量为去离子水;...
  • 本发明涉及一种耐高温防变色水基铜保护剂、使用方法及铜工件,所述铜保护剂由成膜物质(30%‑65.5%)、溶液稳定剂(0.1%‑3%)、增稠剂(0.1%‑1%)、流平剂(0.1%‑1%)、润湿剂(0.1%‑1%)及去离子水(30%‑69%)组...
  • 本发明涉及一种具有梯度结构的Ti‑Ta多层薄膜及其制备方法,所述具有梯度结构的Ti‑Ta多层薄膜由Ti薄膜层和Ta薄膜层交替叠加覆盖于Ta衬底材料得到,与Ta衬底材料直接接触的为Ta薄膜层,且从上之下,Ta薄膜层厚度逐渐有序增大,Ti薄膜层...
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