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  • 本发明公开一种AlN陶瓷基热沉Ce : YAG复合荧光陶瓷发光器件制备方法及其制得的复合荧光陶瓷发光器件。所述AlN陶瓷基热沉Ce : YAG复合荧光陶瓷发光器件制备方法包括:利用光胶技术将AlN陶瓷热沉与Ce : YAG荧光陶瓷进行贴合,...
  • 本发明涉及碳碳复合隔热材料技术领域,尤其涉及一种碳碳复合的高阻热发泡材料及其制备方法和应用。所述发泡材料由复合胚体通过热处理制得;所述复合胚体以碱刻蚀的聚氨酯海绵为模板,以聚酰胺酸、水性环氧树脂为碳骨架,以水性聚氨酯为填补骨架,以碳酸氢铵为...
  • 本发明公开了一种光伏热场用密度1.5‑1.8g/cm3降氧碳碳脚板及其制备方法,属于光伏热场单晶炉热场制备技术领域。工艺包括:1)采用PAN基碳纤维经针刺成型工艺处理,制得具有空心长方体结构的碳碳脚板预制体毛坯;经过全化学气相沉积工艺处理,...
  • 本发明公开了一种陶瓷基复合材料高强拆卸槽沉头螺钉的制备方法,涉及沉头螺钉制备技术领域。该方法依次包括以下步骤:板料CVI;加工条料;CVI沉积;车棒料;制增密孔和车螺纹;PIP‑PCS;CVI沉积;适配安装;去除余量;制拆卸槽/孔;CVI沉...
  • 本发明公开了一种陶瓷基复合材料大尺寸沉头螺钉的快速制备方法,涉及沉头螺钉制备技术领域。依次包括以下步骤:板料CVI;加工条料;CVI沉积;车棒料;PIP‑C;RMI‑Si;车螺纹;CVI沉积,制得成品。本发明提出了PIP+RMI+CVI组合...
  • 本发明公开了一种薄壁陶瓷基复合材料喷管制备方法及制备模具,属于陶瓷基复合材料喷管制备技术领域,解决了现有的三维针刺预制体制备过程复杂、且不适应用于薄壁喷管预制体的问题;包括以下步骤:利用布带缠绕机带动模具转动,在模具上缠绕预制体;采用气相沉...
  • 本发明公开了一种高导热胎网超高温陶瓷基复合材料的快速制备方法,涉及陶瓷基复合材料制备技术领域。该方法依次包括以下步骤:定型及界面沉积;浸渍第一浆料;PIP酚醛树脂;热压固化、裂解;PIP增韧/超高温颗粒+树脂,RMI,制得成品。本发明通过热...
  • 本发明涉及一种外表面沉积梯度SiBN界面涂层的纤维预制体及其制备方法和应用。所述梯度SiBN界面涂层结构中,Si元素含量从内到外呈现出逐级递增变化,B元素含量从内至外呈现出逐渐递减变化。本发明采用化学气相渗透法在纤维表面连续制备不同元素含量...
  • 本发明提供了一种用于EB‑PVD的复合纤维/YSZ陶瓷靶材及其制备方法和应用,制备方法包括:将去离子水、丙烯酰胺类单体、交联剂混合分散形成预混液,在预混液中加入分散剂、氨水、YSZ原料粉体、稀土氧化物纤维、高分子纤维继续混合分散制得陶瓷浆料...
  • 本发明是关于一种陶瓷复合材料及其制备方法,涉及陶瓷材料技术领域。解决的技术问题是:如何提升陶瓷材料的韧性及抗弯强度。主要采用的技术方案为:所述陶瓷复合材料的制备方法包括如下步骤:步骤1):制备陶瓷件;其中,所述陶瓷件的内部预留有待灌注或待填...
  • 本发明公开了一种莫来石硅碳复合砖及其制备方法,包括莫来石30份‑55份,烧结刚玉10份‑30份,SiC 5份‑20份,红柱石族矿物10份—35份,α‑Al2O3 3份‑10份,优质结合粘土3份‑7份,复合抗氧剂1份—5份。本发明的有益效果是...
  • 本发明属于耐火材料技术领域,尤其涉及一种低渗透性高抗渣侵性能的连铸用中包干式料及其制备方法与应用。与现有技术相比,本发明提供的连铸用中包干式料具有较低的孔隙度,降低覆盖剂熔渣渗透深度,减缓覆盖剂熔渣中的Al2O3与干式料中的SiO2和CaO...
  • 本发明提出了一种节能低耗池底大砖,由以下重量分数的原料制备:粒径5‑8mm的焦宝石8‑15份,粒径3‑5mm的焦宝石15‑30份,粒径1‑3mm的焦宝石10‑20份,粒径1mm以下的焦宝石10‑25份,煅烧ɑ‑氧化铝2‑6份,硬质矾土细粉2...
  • 本发明公开了高精度石英坩埚及其制备与修补工艺,涉及坩埚制备技术领域,制备步骤为:S1、准备材料,包括:耐火黏土100‑700份、石英砂20‑500份、二氧化锰10‑300份、氮化硅涂料20‑450份、碳纳米管10‑100份、粘结剂10‑30...
  • 本申请提出一种碳陶器皿及其制备方法,其中碳陶器皿的制备方法包括:将陶瓷胚体进行第一次抛光处理,得到抛光后的陶瓷胚体;将所述抛光后的陶瓷胚体进行烧结成型,得到烧结后的陶瓷胚体;将所述烧结后的陶瓷胚体进行液体渗碳和气体渗碳,得到至少部分孔隙内含...
  • 本发明公开了一种高导热Si3N4陶瓷基板的制备方法,涉及陶瓷材料成型领域。本发明先将硅粉、分散剂、粘结剂、增塑剂、复合烧结助剂在溶剂中混合均匀,经球磨制得浆料,将制得的浆料进行脱泡、流延、叠层后进行温等静压处理,氮化后烧结制得高导热Si3N...
  • 本发明公开一种电子陶瓷用高强度低残碳氮化硅陶瓷生坯制作方法,通过增加流延浆料内的PVB含量或者增大PVB的分子量来达到增加强度的目的,因为更大的PVB添加量和更高分子量的PVB能够增强生坯内PVB组成的三维网络结构,更大分子量的PVB和更多...
  • 本发明涉及一种低含量烧结助剂氮化硅陶瓷及其制备方法。所述氮化硅陶瓷是由包括Si3N4和烧结助剂作为起始原料经烧结制备得到;在起始原料中,所述Si3N4的质量百分比为97~99.6 wt%,所述烧结助剂的质量百分比为0.4~3 wt%;所述烧...
  • 本发明属于高性能热管理材料技术领域,公开了一种高热导率六方氮化硼基复合薄膜及其制备方法,复合薄膜由六方氮化硼(h‑BN)纳米片层和多羟基芳香族化合物经热处理后形成的石墨化碳质层组成,所述石墨化碳质层桥连于所述六方氮化硼纳米片层之间。制备方法...
  • 本发明属于半导体制造装备技术领域,具体是涉及全陶瓷质氮化铝静电卡盘及其制备方法。本发明通过采用氮化铝/金属陶瓷复合材料作为加热元件,与氮化铝基体进行结合,替代传统的金属加热元件;通过精确控制振荡压力与温度曲线,促进陶瓷颗粒重排与致密化,实现...
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