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最新专利技术
  • 互连结构的形成方法
    互连结构的形成方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411166219.9
    本发明提供一种互连结构的形成方法，先在第一牺牲层与第一介电层中形成第一凹槽；在第一凹槽中和第一牺牲层上形成第一金属互连层，第一凹槽中的第一金属互连层与第一牺牲层上的第一金属互连层相互分离，如此，可以将第一牺牲层及第一牺牲层上的第一金属互连层...
    2026-03-14
  • 第零层层间膜的制造方法
    第零层层间膜的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411147063.X
    本发明公开了一种第零层层间膜的制造方法，包括：步骤一、提供完成了接触刻蚀停止层形成工艺的半导体衬底。步骤二、采用HARP工艺进行第一次沉积工艺形成第一氧化层将间隔区无空洞完全填充。步骤三、采用第一次化学机械研磨工艺对第一氧化层进行研磨并停止...
    2026-03-14
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_LX半导体科技有限公司_202511201106.2
    本说明书公开了一种包括双沟槽的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括在基板上设置有多个第一半导体元件的第一区域、在基板上设置有多个第二半导体元件的第二区域、设置在第一区域与第二区域之间的基板中的隔离区域、形成在第一区域和第二区域的基板中的浅...
    2026-03-14
  • 浅沟槽隔离结构的制备方法
    浅沟槽隔离结构的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411180985.0
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，基于前驱体在氮化硅硬掩膜与氧化硅介电层上的吸附活化能的差异，实现在氮化硅硬掩膜与氧化硅介电层上的选择性沉积，以形成可填充氧化硅介电层中的孔隙的氧化硅填充层；本发明可有效填充氧化硅介电层中的孔隙，解决浅...
    2026-03-14
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411178202.5
    本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，通过提供基底结构，所述基底结构包括依次层叠的背衬底、缓冲层和顶硅层；在所述基底结构中形成第二沟槽，通过所述第二沟槽刻蚀去除所述缓冲层以在所述背衬底和所述顶硅层之间形成空腔；在所述空腔中填充埋氧化层以形...
    2026-03-14
  • 一种浅沟槽的形成方法及半导体结构
    一种浅沟槽的形成方法及半导体结构_杭州富芯半导体有限公司_202511821763.7
    本申请公开了一种浅沟槽的形成方法及半导体结构，包括提供初始半导体结构；初始半导体结构包括基底、电连结构、第一隔离层和第二隔离层，电连结构嵌设于基底，第一隔离层位于电连结构和基底之间，第二隔离层层叠于电连结构、第一隔离层和基底表面；图案化刻蚀...
    2026-03-14
  • 基板处理装置
    基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202510962489.9
    本发明涉及一种基板处理装置，涉及执行高压工艺的基板处理装置，包括：内管(100)，在内部形成以上下方向层叠多个基板来进行处理的处理空间(S1)；加热部(200)，包围所述内管(100)的至少一部分，在与所述内管(100)之间形成加热空间(S...
    2026-03-14
  • 基板处理装置
    基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202510962480.8
    本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及执行高压工艺的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置，包括：加热器部(200)，在内部形成加热空间(S2)；处理容器(300)，包括内部设置所述加热器部(200)且侧面形成开口(301)的容器部(3...
    2026-03-14
  • 热交换模块及包括它的基板处理装置
    热交换模块及包括它的基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202510962476.1
    本发明涉及热交换模块及包括它的基板处理装置，更详细地说，涉及高压用热交换模块及包括它的基板处理装置。本发明作为与形成高温及高压工艺条件的加热空间(S2)的高压容器时常连通的热交换模块，包括：主体部(500)，在内部形成热交换空间(S4)；流...
    2026-03-14
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品_株式会社国际电气_202510781796.7
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品。其课题在于提供能够使将衬底表面的特定材料选择性地除去时的处理时间大幅缩短的技术。将包括下述工序的循环进行规定次数：准备进行了下述工序(a)和工序(b)的衬底的工序，其中，(a)...
    2026-03-14
  • 碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺
    碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺_杭州海乾半导体有限公司_202511123474.X
    本发明公开了一种碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺，包括步骤：S1、吊装工具在初始工位完成对工件的夹持操作；S2、吊装工具将工件从载片室输运至腐蚀处理工位，进行腐蚀处理；S3、吊装工具将完成腐蚀处理的工件输运至第一清洗工位，进行第一次清洗...
    2026-03-14
  • 一种晶圆堆叠结构的形成方法和晶圆堆叠结构
    一种晶圆堆叠结构的形成方法和晶圆堆叠结构_长江存储科技有限责任公司_202411118415.9
    本发明涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种晶圆堆叠结构的形成方法和晶圆堆叠结构。形成方法包括：对N个晶圆依次堆叠形成晶圆堆叠结构；对自底部至顶部的任意第i个晶圆，其与第i‑1个晶圆的堆叠包括以下步骤：对第i个晶圆的部分厚度，自边缘向内修边，使...
    2026-03-14
  • 一种基于复合掩模层的高精度光掩模干法刻蚀方法及刻蚀装置
    一种基于复合掩模层的高精度光掩模干法刻蚀方法及刻蚀装置_无锡中微掩模电子有限公司_202511678500.5
    本发明涉及一种半导体制造领域，尤其是一种基于复合掩模层的高精度光掩模干法刻蚀方法及刻蚀装置。一种基于复合掩模层的高精度光掩模干法刻蚀方法，包括以下步骤：在石英衬底上依次形成氮化硅过渡层、铬层、抗反射层和光刻胶层；采用双频射频源生成脉冲调制等...
    2026-03-14
  • 一种半导体工艺方法及半导体结构
    一种半导体工艺方法及半导体结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411150031.5
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，方法包括：半导体结构背面研磨后，芯片背面凸出于绝缘层背面Δx；半导体结构背面设置厚度不小于Δx的补偿介质层，研磨补偿介质层至其所在表面齐平；补偿介质层上设置背金层。本发明在半导体结构背面设置补偿介质...
    2026-03-14
  • 半导体器件
    半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511136160.3
    一种半导体器件，包括用于测试氢对绝缘层影响的氢测试图案。该半导体器件包括目标绝缘层，该目标绝缘层由设置在第一区域的晶体管图案和设置在第二区域的测试图案共享。所述测试图案包括设置在目标绝缘层内的检测互连元件，并输出与通过检测互连元件提供的测试...
    2026-03-14
  • 晶圆缺陷检测方法及装置、存储介质和终端
    晶圆缺陷检测方法及装置、存储介质和终端_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411181047.2
    本发明公开了一种晶圆缺陷检测方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括获取待测晶圆的初步缺陷检测结果及主缺陷类型；基于目标裸片的缺陷初步位置信息获取缺陷区域图像，并对缺陷区域图像中所有缺陷进行识别；判断缺陷区域图像中主缺陷所属器件结构单元与其...
    2026-03-14
  • 工艺参数设置方法及系统、设备、存储介质及计算机程序产品
    工艺参数设置方法及系统、设备、存储介质及计算机程序产品_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202411147161.3
    一种工艺参数设置方法及系统、设备、存储介质及计算机程序产品，方法包括：获取截面积，截面积为源漏掺杂层的源漏凹槽沿沟道延伸方向的截面的面积；基于截面积设置在源漏凹槽中生长源漏掺杂层的工艺参数。本发明有利于提升产品关键工艺参数及器件性能整体均匀...
    2026-03-14
  • 一种半自动检查补柱机
    一种半自动检查补柱机_上海世禹精密设备股份有限公司_202511798499.X
    一种半自动检查补柱机，包括视觉系统、补柱系统、补柱真空平台及水平移动机构，视觉系统用于产品定位缺陷检测；补柱系统含点胶头、补柱头和除柱头；补柱真空平台通过真空吸附载具与供柱治具，上表面设第一、第二定位结构，分别定位载具与供柱治具；供柱治具基...
    2026-03-14
  • 实现防氧化的加热装置及测试分选机
    实现防氧化的加热装置及测试分选机_惠州深科达半导体科技有限公司_202511733781.X
    本申请提供了一种实现防氧化的加热装置及测试分选机，加热装置包括温箱组件、轨道组件和气体加热组件，温箱组件由箱壁围设形成封闭空间，箱壁包括位于顶箱壁，顶箱壁设有轨道口；轨道组件沿第一预设方向设置于封闭空间且一端经轨道口外露于温箱组件，用于上下...
    2026-03-14
  • 一种刻蚀参数监控方法及刻蚀参数监控设备
    一种刻蚀参数监控方法及刻蚀参数监控设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511642067.X
    本发明提供了一种刻蚀参数监控方法及刻蚀参数监控设备，该刻蚀参数监控方法包括：检测待刻蚀开口区的开口尺寸，判断待刻蚀开口区的开口尺寸是否小于等于预设尺寸阈值；若是，基于待刻蚀开口区的开口尺寸在晶圆上刻蚀参数监控设备的激光检测范围内的空闲位置形...
    2026-03-14
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