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  • 本申请实施例提供了一种光伏电池以及光伏组件。所述光伏电池包括:硅基底,硅基底包括沿第一方向相对设置的第一面和第二面,所述第二面上具有沿第二方向间隔设置的掺杂区域,和相邻的所述掺杂区域之间设置的隔离槽,所述掺杂区域以及所述隔离槽皆沿第三方向延...
  • 本申请公开了一种光电探测器及电子设备,属于集成光学技术领域。所述光电探测器包括:模斑转换部件和光电探测部件;其中,所述模斑转换部件包括包层部件和核心层部件,所述包层部件包裹所述核心层部件,所述包层部件的输入端的截面面积大于所述包层部件的输出...
  • 本申请涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件,包括硅基底、第一钝化层、防护层、第一电极和第二电极,硅基底具有相对的第一表面和第二表面,硅基底的第二表面一侧设置有间隔排布的P型导电区和N型导电区,第一钝化层设置于硅基底的第一表面,防护层设置于第一...
  • 本发明公开了一种背接触电池结构及其制备方法,涉及电池加工技术领域,包括硅基底、第一半导体区域和第二半导体区域,所述第一半导体区域和第二半导体区域均包括第一隧穿氧化层、第一掺杂非晶硅层、第二隧穿氧化层、第二掺杂非晶硅层、钝化层、种子层和纯银层...
  • 本发明提供一种背接触电池及其制备方法,背接触电池,包括:硅基底和依次叠置在所述硅基底受光侧的钝化层和减反射层,还包括:氧化硅保护层,设置在所述减反射层背离所述硅基底的一侧,所述氧化硅保护层的厚度范围为D1, 40nm≤D1<60nm。本发明...
  • 本发明提供了一种太阳能电池钝化接触结构及其制备方法与太阳能电池,所述的太阳能电池钝化接触结构包括层叠设置的隧穿层与掺杂多晶硅层,所述掺杂多晶硅层远离所述隧穿层的一侧表面形成若干个间隔设置的纳米柱凸起。本发明通过在多晶硅层的表面构建纳米柱凸起...
  • 本发明提供一种用于辐射探测器的抗高温光电转换组件,包含基底层、保护层和阴极层;所述基底层为氟化铅晶体,所述氟化铅晶体具有相对设置的第一面和第二面,且所述第一面被配置为生长表面,所述生长表面包括光阴极面以及分设于所述光阴极面两侧的铟封面;所述...
  • 本发明属于太阳能光伏领域,本发明提供了一种TOPCon复合钙钛矿的叠层电池及其制备方法,所述叠层电池在对多晶硅层进行减薄的基础上,通过设置氢化PN结实现对多晶硅层的氢钝化,又能有效地作为中间连接层,从而实现叠层器件中载流子的隧穿复合。所述叠...
  • 本申请实施例涉及光伏电池领域,提供一种背接触光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件,其中背接触光伏电池包括:电池片本体具有第一表面;焊接部、细栅和第二连接线设置在第一表面;焊接部包括中间焊接部和边缘焊接部,中间焊接部设置在第一方向上相对的...
  • 本公开涉及光伏技术领域,提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件,背接触电池包括:基底,基底具有第一侧,第一侧包括沿第一方向间隔排布的两个第一区以及位于两个第一区之间的第二区;第一细栅和第二细栅,设置于第一侧并沿第一方向间隔排布,第一细栅和第...
  • 本申请实施例涉及光伏电池领域,提供一种背接触光伏电池及其制造方法、叠层电池和光伏组件,背接触光伏电池包括:电池片本体、主栅、细栅和连接件;电池片本体具有相对的第一表面和第二表面,主栅、细栅和连接件设置在第一表面;主栅沿第二方向延伸,若干主栅...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及电池组件,包括:基片;第一副栅线和第二副栅线,第一副栅线和第二副栅线设置在基片上,其中,第一副栅线和第二副栅线沿第二方向延伸设置,并在第一方向交替排布;第一方向与第二方向相交;第一主栅线,沿第一方向延伸设置,连接...
  • 本发明公开了一种一种电池片、电池串、电池组件及制备方法,所述电池片包括电池基片、设置于所述电池基片上的金属电极、设置于所述金属电极上的焊料黏合层、设置于所述电池基片上非金属电极区域的保护层,所述金属电极为单层结构。如此设置,电池片的制备工艺...
  • 本发明公开Rb4Li2TiOGe4O12单晶在制备直接型X射线探测器中的应用。本发明通过助熔剂法生长得到Rb4Li2TiOGe4O12单晶,接着以Rb4Li2TiOGe4O12单晶的001晶向或100晶向为晶片上下表面的法线方向切割形成晶片...
  • 本公开提供了一种太阳能电池片、电池组件以及光伏系统。太阳能电池片包括衬底和沿远离所述衬底的方向依次设置在所述衬底的第一表面的第一电极层和覆盖所述第一电极层的第一绝缘层。所述第一绝缘层上开设有多个第一开孔;所述第一开孔中设置有导电焊接件。所述...
  • 本发明公开了去除氧化锡膜层方法及其在处理太阳能电池不良片中的用途。该去除氧化锡膜层方法包括:利用混酸溶液对氧化锡膜层浸洗,其中,按质量浓度计,所述混酸溶液包括0.005%~0.5%的HCl、0.1%~2%的HF和50ppm以上的臭氧。该方法...
  • 本申请涉及电池技术领域,提供了太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件,太阳能电池的制备方法包括太阳能电池中栅线结构的制备步骤,太阳能电池中栅线结构的制备步骤包括:在基底上采用第一金属浆料进行第一次印刷后烧结,制备底层,底层包含多个第一金...
  • 本发明公开了一种基于厚胶工艺的铟柱制备方法及红外焦平面探测器,涉及半导体器件制造技术领域;本发明基于胶厚≥12μm的光刻厚胶工艺,采用75~85s的深度显影构建底部高度清洁无残留的光刻图形,为后续的剥离步骤创造出无粘连剥离的先决条件,沉积目...
  • 本发明公开了一种改善PERC电池中心位置漏电的方法,属于太阳能电池技术领域。该方法针对PERC电池(钝化发射极背表面电池)制造中激光开孔导致的中心漏电问题,通过以下步骤实现改善:1)在PERC电池背面形成至少一层钝化膜层;2)采用激光设备对...
  • 本发明公开了一种改善异质结单体与叠层底电池电极‑薄膜界面性能的方法,涉及太阳能电池领域,所述方法为采用渐变式热光固化工艺;具体为在光固化过程中固化温度从初始温度逐渐递增,通过改变异质结电池银电极的烘干固化方式来改善太阳能电池电极与薄膜界面的...
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