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最新专利技术
  • 异质结太阳能电池PVD段缩短首阴极镀膜距离的提效方法
    异质结太阳能电池PVD段缩短首阴极镀膜距离的提效方法_欧昊新能源电力(甘肃)有限责任公司_202511558366.5
    本发明涉及太阳能电池镀膜技术领域，具体是异质结太阳能电池PVD段缩短首阴极镀膜距离的提效方法，包括以下步骤：S1、对硅片进行吸杂制绒处理；S2、在CVD设备中依次镀制背面本征层、正面本征层、正面掺杂层和背面掺杂层；S3、将硅片送入PVD设备...
    2026-03-01
  • 一种纳米压印全开口细栅精准成型装置
    一种纳米压印全开口细栅精准成型装置_苏州达阳光电科技有限公司_202511534105.X
    本发明公开了一种纳米压印全开口细栅精准成型装置，涉及光伏板制造技术领域，解决了现有的技术方案存在定位调整自由度不高、自动化程度低流程分散的技术问题，包括主机体和压印头，所述主机体上固定安装有C形架，所述C形上安装有压印调整结构，所述压印调整...
    2026-03-01
  • 一种基于纳米材料增强吸光的太阳能电池及其制备方法
    一种基于纳米材料增强吸光的太阳能电池及其制备方法_眉山琏升光伏科技有限公司_202511418372.0
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于纳米材料增强吸光的太阳能电池及其制备方法，包括金属有机框架纳米颗粒、DMF(N, N‑二甲基甲酰胺)、乙醇和水。将金属有机框架纳米颗粒引入晶硅异质结电池的制绒工序，形成具有纳米级多孔结构的表面，...
    2026-03-01
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202411111874.4
    本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，制备方法包括如下步骤：对硅基底进行表面处理；依次在硅基底背面制备隧穿层与本征多晶硅层；在所述本征多晶硅层上分别形成图案化的N型掺杂源层、P型掺杂源层，并使得所述N型掺杂源层与所述P型掺杂源层...
    2026-03-01
  • 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器
    半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610064029.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法和图像传感器，该半导体结构包括：基底；形成于基底表面的隔离结构；隔离结构包括层间隔离结构和区间隔离结构；设置于基底上的光电功能层；光电功能层用于基于光电效应实现光电信号转换；光电功能层包括多个沿基...
    2026-03-01
  • 基于类PN结虚拟势垒背照式图像传感器像素单元
    基于类PN结虚拟势垒背照式图像传感器像素单元_天津大学_202511771697.7
    本发明涉及CMOS图像传感器(CIS)领域，为提供一种基于梯度掺杂形成类PN结虚拟势垒的BSI‑CIS像素结构，通过虚拟势垒内建电场的动态调控，实现可见光范围内量子效率的显著提升。为此，本发明，基于类PN结虚拟势垒背照式图像传感器像素单元，...
    2026-03-01
  • 硅探测器及其制造方法
    硅探测器及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511658470.1
    本发明提供一种硅探测器及其制造方法。该硅探测器包括硅衬底、设置于硅衬底正面的有源区以及设置于硅衬底背面的磷掺杂层。其制造方法包括：提供硅衬底并在其正面形成有源区；对硅衬底背面进行减薄；向减薄后的背面注入磷离子形成磷掺杂层；以及对硅衬底进行退...
    2026-03-01
  • 基于嵌入式存储器的电容结构及其制造方法
    基于嵌入式存储器的电容结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411182130.1
    本发明公开一种基于嵌入式存储器的电容结构及其制造方法，其中该基于嵌入式存储器的电容结构包含一第一字线、一第二字线以及一第三字线位于一基底上、一第一浮栅不间断位于该第一字线与该第二字线之间、一第二浮栅不间断地位于该第二字线与该第三字线之间、多...
    2026-03-01
  • 感测器封装结构
    感测器封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202411102999.0
    本发明公开一种感测器封装结构，其包含一基板、设置于所述基板顶侧的一感测芯片、连接所述基板与所述感测芯片的多条金属线、埋置于所述基板底侧之内的一埋置模块、及安装于所述基板顶侧的一透光盖。所述基板于底侧凹设有一容置槽，所述埋置模块设置于所述容置...
    2026-03-01
  • 一种红外偏振光电探测器及其制备方法
    一种红外偏振光电探测器及其制备方法_天府绛溪实验室_202511610282.1
    本发明涉及一种红外偏振光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，包括如下步骤：步骤1：基片清洗处理；步骤2：制备图形化金属电极；步骤3：二维材料的制备与转移准备；采用机械剥离法分别从块体二硒化铌晶体和块体黑磷晶体上剥离得到二硒化铌薄片和...
    2026-03-01
  • 一种集成波导的硅SPAD探测器及其制造方法
    一种集成波导的硅SPAD探测器及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511729947.0
    本发明涉及一种集成波导的硅SPAD探测器及其制造方法，属于光电探测器芯片领域。其从下至上依次包括第二介质层、下电极、第一介质层、n+接触区、雪崩区、p‑吸收区、p+接触区、第三介质层和第四介质层，以及位于第四介质层上方的上电极和波导。下电极...
    2026-03-01
  • 高响应度光电二极管及光纤射频传输系统的远端射频单元
    高响应度光电二极管及光纤射频传输系统的远端射频单元_中国移动通信有限公司研究院_202511644031.5
    本申请涉及光电器件技术领域，提供一种高响应度光电二极管及光纤射频传输系统的远端射频单元。高响应度光电二极管包括：衬底；吸收层，设置于衬底上；顶部电极，设置于吸收层上；其中，衬底背离吸收层的表面为光入射面，目标波长的入射光依次穿过衬底和吸收层...
    2026-03-01
  • 一种四分片电池组件及光伏系统
    一种四分片电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511713868.0
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种四分片电池组件及光伏系统，该四分片电池组件包括：汇流条；两个并联连接的第一电池串组和两个并联连接的第二电池串组；第一电池串组包括一组子串组，子串组包括至少两串并联设置的电池串；第二电池串组中包括两组子串组...
    2026-03-01
  • 采用旁路二极管结构的CIGS电池光伏模组及其制备方法
    采用旁路二极管结构的CIGS电池光伏模组及其制备方法_浙江尚越新能源开发有限公司_202511496224.0
    本发明涉及一种采用旁路二极管结构的CIGS电池光伏模组及其制备方法，解决现行的CIGS模组需要在每两个电池片之间焊接二极管抑制热斑效应，易损伤、难维护，且影响输出功率的问题。本装置包括若干串联或并联的CIGS电池光伏模块，单个CIGS电池光...
    2026-03-01
  • 三结太阳能电池及其制备方法
    三结太阳能电池及其制备方法_苏州晶歌半导体有限公司_202610036622.2
    本发明公开了一种三结太阳能电池，其包括：P型GaAs衬底，其包括彼此相对的第一表面和第二表面；GaAs子电池，其层叠设置于所述第一表面上；第一隧道结，其层叠设置于所述GaAs子电池上；GaInP子电池，其层叠设置于所述GaAs子电池上；第二...
    2026-03-01
  • 一种背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池_横店集团东磁股份有限公司_202511700958.6
    本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了一种背接触太阳能电池。电池包括：基底层，第一掺杂层和第二掺杂层，沿第一方向交替间隔设置于基底层的背光面一侧；第一掺杂层对应的第一基底层包括靠近第一掺杂层一侧的第一内扩层；第一内扩层包括层叠设置的第一上内扩...
    2026-03-01
  • 太阳能电池
    太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511375028.8
    一种太阳能电池，包括：间隔设置的若干为由掺杂源自硅衬底背面向内扩散形成的扩散区的第一掺杂结构；与第一掺杂结构交替设置的第二掺杂结构，第二掺杂结构位于自硅衬底的背面向正面凹陷设置的区域，第二掺杂结构为隧穿钝化接触结构，隧穿钝化接触结构与扩散区...
    2026-03-01
  • 高保持电压的ESD保护器件及保护方法
    高保持电压的ESD保护器件及保护方法_上海海栎创科技股份有限公司_202610042583.7
    本发明提供高保持电压的ESD保护器件及保护方法，器件包括：衬底；所述衬底的表面并列覆盖第一N型阱层、第一P型阱层、第二N型阱层及第二P型阱层；所述第一N型阱层、第一P型阱层及第二N型阱层与所述衬底之间设有深N型阱层；所述第一N型阱层上覆盖第...
    2026-03-01
  • 一种芯片及其布局设计方法与电子设备
    一种芯片及其布局设计方法与电子设备_厦门芯和美半导体有限公司_202511746363.4
    本发明提出一种芯片及其布局设计方法与电子设备，将芯片对应的静电释放保护电路中的PDIO划分为N组，每组PDIO中包括至少1条PDIO；将静电释放保护电路中的NDIO划分为N组，每组NDIO中包括至少1条NDIO；将N组PDIO和N组NDIO...
    2026-03-01
  • 优化LDNMOS版图设计的方法
    优化LDNMOS版图设计的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759683.3
    本申请提供一种优化LDNMOS版图设计的方法，调整LDNMOS版图，增加漂移区宽度C，栅极G长度不变的情况下缩短有效沟道长度A。根据本申请，可有效增加驱动能力，提升载流子迁移率，降低衬底电流/漏极饱和电流，达到改善产品可靠性的目的。
    2026-03-01
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