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最新专利技术
  • 半导体模块和用于将半导体模块与印刷电路板耦合的方法
    半导体模块和用于将半导体模块与印刷电路板耦合的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511102070.2
    公开了一种半导体模块，其包括：包括第一表面的衬底、第一接触引脚和第二接触引脚。第一接触引脚和第二接触引脚的相应第一端安装在衬底的第一表面之上。此外，第一接触引脚和第二接触引脚的相应第一区段被配置为连接到印刷电路板PCB。第一接触引脚的第一区...
    2026-03-03
  • 一种抗翘曲的封装结构及其对应的封装方法
    一种抗翘曲的封装结构及其对应的封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511760018.6
    本发明提供了一种抗翘曲的封装结构，其能显著降低封装翘曲，提升工艺良率和产品可靠性，同时兼容现有的低成本干膜材料工艺和大尺寸面板级封装技术，为制造大尺寸、多层布线的高性能封装提供了可能。其包括：芯片，其有源面布置有第一再布线层；塑封层；以及芯...
    2026-03-03
  • 封装结构及其制造方法和电子装置
    封装结构及其制造方法和电子装置_北京有竹居网络技术有限公司_202411080886.5
    一种封装结构及其制作方法和电子装置。该封装结构包括主板、多个子封装结构、和互连基板。互连基板包括承载基板和导电连接结构；各子封装结构包括封装基板和芯片，封装基板包括引出结构，引出结构包括第一引出焊盘、第二引出焊盘和将第一引出焊盘和第二引出焊...
    2026-03-03
  • 一种高效散热的小型化射频微系统
    一种高效散热的小型化射频微系统_成都航天博目电子科技有限公司_202511769141.4
    本发明公开了一种高效散热的小型化射频微系统，从上至下依次包括顶层硅转接板、中间层硅转接板和氮化硅基板，中间层硅转接板的下层设有BGA焊球；顶层硅转接板和中间层硅转接板设有RDL和TSV，氮化硅基板设有铜层和TCV，顶层硅转接板和中间层硅转接...
    2026-03-03
  • 一种面向工控领域的可复用芯粒中介层
    一种面向工控领域的可复用芯粒中介层_浙江大学_202511376417.2
    本发明公开一种面向工控领域的可复用芯粒中介层，中介层表面以非对等互联方式进行设置，划分出多个插槽区域，每个插槽区域被分配一个插槽类型，且每个插槽区域统一排布有多个功能片区，各功能片区可分配有功能类型；在中介层内部嵌入eFPGA和互连通道，所...
    2026-03-03
  • 基板结构及其制作方法
    基板结构及其制作方法_欣兴电子股份有限公司_202411627881.X
    本发明提供一种基板结构及其制作方法。基板结构包括核心基板、溅镀金属层、无电镀金属层以及导电材料层。核心基板具有上表面、下表面以及从上表面贯穿至下表面的至少一通孔。溅镀金属层配置于核心基板的上表面上、下表面上以及至少一通孔的内壁的一部分上。无...
    2026-03-03
  • 埋嵌框架、内埋基板及制备方法、电源装置及电子设备
    埋嵌框架、内埋基板及制备方法、电源装置及电子设备_华为技术有限公司_202411069417.3
    本申请实施例公开了一种埋嵌框架、内埋基板、电源装置、电子设备及内埋基板的制备方法。该埋嵌框架包括芯部保持体、第一布线层和第一绝缘层；芯部保持体包括相对设置的两侧板面，第一布线层设置在芯部保持体的一侧板面上，第一绝缘层覆于第一布线层的外部；该...
    2026-03-03
  • 多层堆叠存储器封装方法及封装结构
    多层堆叠存储器封装方法及封装结构_南通通富微电子有限公司_202511695340.5
    本公开实施例提供一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构，该方法包括：提供多个硅转接芯片和多个存储器芯片，硅转接芯片设置有多个贯穿其厚度的硅通孔；将硅转接芯片和存储器芯片平铺设置；形成包裹硅转接芯片和存储器芯片的第一塑封层；在第一塑封层的第一表...
    2026-03-03
  • 封装件及其形成方法
    封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511523605.3
    本发明实施例提供一种封装件及其制造方法。该封装件包括半导体管芯、绝缘层包封体以及重布线结构。重布线路结构包括介电层和嵌入介电层中的堆叠的通孔结构。堆叠的通孔结构包括第一通孔插塞、包括多个第一掺质的第一扩散层、第二通孔插塞和包括多个第二掺质的...
    2026-03-03
  • 基板
    基板_三星电子株式会社_202511095892.2
    一种基板包括：核心层，包括有源区域和虚设区域，在有源区域中安装有半导体芯片，虚设区域围绕有源区域；多个贯通通路，设置在有源区域中并且穿过核心层；多个虚设贯通通路，设置在虚设区域中并且穿过核心层；多个上连接焊盘，在有源区域中设置在核心层的上表...
    2026-03-03
  • 半导体装置、基板单元及基板单元的制造方法
    半导体装置、基板单元及基板单元的制造方法_铠侠股份有限公司_202510027855.1
    一个实施方式提供能够抑制不良状况的发生的半导体装置、基板单元及半导体装置的制造方法。一个实施方式的半导体装置具备基板、电子部件、多个接合部、以及第1金属部。所述基板具有第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、以及跨所述第1面的第1边缘与所述...
    2026-03-03
  • 基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构
    基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构_杭州电子科技大学_202511682599.6
    本发明涉及一种基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构。它解决了现有技术中双面冷却封装结构无法协同实现低寄生电感、高效均匀散热与高机械可靠性的问题。它包括功率模块主体，功率模块主体上下两侧分别设置有上层基板和下层基板，上层基板和下层基板周...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411096146.0
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一互连通孔结构，从第一面嵌于第一基底结构中；第二互连通孔结构，从第二面嵌于第一基底结构，第二互连通孔结构与第一互连通孔结构的位置相对应，且与第一互连通孔结构相连接。与直接从第一面贯穿第一基底结构...
    2026-03-03
  • 一种功率模组、功率设备及光伏发电系统
    一种功率模组、功率设备及光伏发电系统_华为数字能源技术有限公司_202411091325.5
    本申请公开了一种功率模组、功率设备及光伏发电系统。功率模组包括基板、第一功率器件、共烧陶瓷模块以及封装体。第一功率器件位于基板的一表面，第一功率器件与基板电连接。共烧陶瓷模块位于第一功率器件的背离基板的一侧，共烧陶瓷模块与第一功率器件间隔设...
    2026-03-03
  • 一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法
    一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法_深圳市唯亮光电科技有限公司_202511968384.0
    本申请涉及一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法。框架单元包括金属基板，金属基板上形成有焊盘区域和连接筋，连接筋从焊盘区域伸出，连接筋上形成有可润湿侧翼，可润湿侧翼的根部为上宽下窄的渐变型截面。本申请能够在全金属连接筋的特定位置...
    2026-03-03
  • 一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺
    一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺_泰州麒润电子有限公司_202511691641.0
    本发明涉及引线框架生产技术领域，具体涉及一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺，其中铜带包括具有异形截面的铜基合金主体，铜基合金主体上同时存在成梯度分布的纳米级、亚微米级和微米级三级析出相，纳米级分布于晶内盒位错区、亚微米级和...
    2026-03-03
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511652155.8
    本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：引线框架，包括多个间隔排布的管脚，所述管脚包括导电支撑部和导电引出部，所述导电支撑部包括相对设置的顶面和底面，所述导电引出部电连接于所述导电支撑部的底面，所述导电引出部至少包括底部焊接层...
    2026-03-03
  • 半导体模块装置
    半导体模块装置_英飞凌科技股份有限公司_202511115764.X
    公开了一种半导体模块装置，包括：第一衬底，包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层的表面上的第一金属化层，其中，第一金属化层包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分；两个或更多个可控半导体元件，每个可控半导体元件包括第一接触焊盘、第二接触焊盘...
    2026-03-03
  • 用于增强热操作的模制功率半导体封装
    用于增强热操作的模制功率半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511115762.0
    本公开内容涉及用于增强热操作的模制功率半导体封装。一种半导体装置包括：管芯载体；第一半导体管芯，至少包括第一负载电极和第二负载电极，其中，第一半导体管芯安装在管芯载体上，其中，第一负载电极电连接至管芯载体；第一组外部连接件，电和热地连接至管...
    2026-03-03
  • 利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装
    利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装_意法半导体国际公司_202511095340.1
    本公开涉及利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装。提供了示例引线框架封装、制造引线框架封装的方法以及包括引线框架封装的电气系统，其利用集成绝缘层将引线框架封装内的集成电路与一个或多个电气组件电绝缘。示例引线框架封装包括集成电路基板和集...
    2026-03-03
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