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最新专利技术
  • 半导体器件的刻蚀方法和半导体器件
    半导体器件的刻蚀方法和半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511761760.9
    本申请公开了一种半导体器件的刻蚀方法和半导体器件，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：提供具有侧墙结构的基底；对侧墙结构进行第一阶段刻蚀，形成第一中间结构；对第一中间结构的侧墙结构进行第二阶段刻蚀，形成第二中间结构；其中，第二刻蚀气源的氢...
    2026-02-16
  • 一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法
    一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法_华南理工大学_202511516933.0
    本发明公开了一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法，该装置包括ICP刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、真空泵；ICP刻蚀腔包括腔体、基座、射频偏置功率源、穿板电极、探针、陶瓷套筒及气体阀门，陶瓷套筒与腔体相通，电感线圈缠绕于陶瓷...
    2026-02-16
  • 一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用
    一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用_北京大学_202411063529.8
    本发明公开了一种提升高Al组分n‑AlGaN上金属‑半导体接触电学性能的方法和应用。所述提升的途径为n‑AlGaN材料表面刻蚀方法。所述表面刻蚀方法由两步组成，第一步采用高偏置射频功率(Bias RF Power)刻蚀，其目的是维持高刻蚀速...
    2026-02-16
  • 一种基于神经网络的激光退火系统
    一种基于神经网络的激光退火系统_电子科技大学_202511615691.0
    本发明属于晶圆退火领域，具体为一种基于神经网络的激光退火系统。本发明根据检测的晶体缺陷类型，使用神经网络得到二次激光退火的参数，进而控制皮秒、飞秒等超短脉冲高能激光束对缺陷进行二次激光退火，从而精确、高效地对半导体材料表面存在晶格缺陷问题的...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610042522.0
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述制备方法包括如下步骤：提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底、沟槽隔离结构、氧化层和栅极结构，所述沟槽隔离结构设置于所述衬底内且上部伸出所述衬底，所述氧化层形成于所述衬底的表面，所...
    2026-02-16
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置_株式会社国际电气_202511677731.4
    本发明提供一种基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置。本发明能够形成具有平坦性的膜。本发明的基板处理方法具有：(a1)对基板供给含有金属元素和卤素的气体的工序，(a2)对所述基板供给反应气体的工序，(a3)通过进行预定次...
    2026-02-16
  • 半导体材料的氧化处理方法及半导体结构
    半导体材料的氧化处理方法及半导体结构_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511662863.X
    本申请提供一种半导体材料的氧化处理方法及半导体结构；所述氧化处理方法包括：实施原位水汽生成工艺，所述原位水汽生成工艺通过向反应腔内输入反应气体，对所述半导体材料进行氧化处理；在所述原位水汽生成工艺过程中，使所述反应腔内的压力在第一压力P1和...
    2026-02-16
  • 半导体晶圆的制造方法
    半导体晶圆的制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411069301.X
    一种半导体晶圆的制造方法包括提供基材晶圆。基材晶圆具有不为零的弯曲度并具有第一部位。第一部位具有相对的第一面与第二面。第一面为内凹的。制造方法包括对基材晶圆执行第一离子注入工艺，使得第一部位的第一面具有第一注入区域，且基材晶圆的弯曲度相较于...
    2026-02-16
  • 基于ICP-氮离子注入的低损耗Si基GaN生长方法
    基于ICP-氮离子注入的低损耗Si基GaN生长方法_西安电子科技大学_202511655846.3
    本发明公开了基于ICP‑氮离子注入的低损耗Si基GaN生长方法，包括：获取高阻Si衬底并清洗和烘干；对所得衬底表面采用电感耦合等离子体进行N离子注入以在该衬底表面形成一层预铺N形成的n型区；在表面依次制备氮化铝成核层、AlGaN缓冲层、Ga...
    2026-02-16
  • 图案化二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法
    图案化二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法_南京大学_202511646433.9
    本发明公开了一种图案化二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上制备图案化的镧系金属氧化物单分子钝化层；在镧系金属氧化物单分子钝化层上制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，得到图案化二维过渡金...
    2026-02-16
  • 一种基于离子传输的纳流计算器及芯片
    一种基于离子传输的纳流计算器及芯片_厦门大学_202411081522.9
    本发明公开了一种基于离子传输的纳流计算器及芯片，其包括纳流离子计算模块，所述纳流离子计算模块利用纳米孔道中的离子传输的行为与过程完成计算，由若干个纳流离子忆阻器组成。还包括输入模块，控制模块，纳流离子计算模块，显示模块构成。所述输入模块为阵...
    2026-02-16
  • 一种基于纳米限域结晶的纳流离子忆阻器
    一种基于纳米限域结晶的纳流离子忆阻器_厦门大学_202411081521.4
    本发明公开了一种基于纳米限域结晶的纳流离子忆阻器，其包括纳米孔道和纳米孔道两侧的溶液池；所述纳米孔道两侧的溶液池，分别填充不同的电解质溶液；在纳米孔道两侧电压的控制下，所述纳米孔道两侧填充的电解质溶液中的离子分别由纳米孔道两侧向纳米孔道中聚...
    2026-02-16
  • 一种二维层状钙钛矿型忆阻器、制备方法及其应用
    一种二维层状钙钛矿型忆阻器、制备方法及其应用_吉林大学_202511681003.0
    一种二维层状钙钛矿型忆阻器、制备方法及其应用，属于钙钛矿型忆阻器技术领域。通过低温溶液法制备高质量Cs22Pb(SCN)22I22薄膜，构建Al/Cs22Pb(SCN)22I22/FTO垂直结构忆阻器件，该器件具备优异的稳定性与载流子传输特...
    2026-02-16
  • 基于钴离子掺杂的铁基钙钛矿氧化物忆阻器及其制备方法
    基于钴离子掺杂的铁基钙钛矿氧化物忆阻器及其制备方法_吉林大学_202511679729.0
    基于钴离子掺杂的铁基钙钛矿氧化物忆阻器及其制备方法，属于非易失性存储器技术领域。器件从上至下的结构为Al/La0.80.8Fe1‑x1‑xCoxxO33/FTO，其中FTO为底电极，Al为顶电极。本发明通过采用简便的溶胶凝胶法成功制备出致密...
    2026-02-16
  • 一种相变存储器的相变材料层的蚀刻方法
    一种相变存储器的相变材料层的蚀刻方法_北京时代全芯存储技术股份有限公司_202511366766.6
    本发明提供一种相变存储器的相变材料层的蚀刻方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的蚀刻方法包括：积层体形成步骤，在半导体衬底上形成积层体，积层体包括从下至上依次形成的GST层，TiN层，SiN层，ARC层，以及PR层；光刻步骤，对PR层进...
    2026-02-16
  • 量子存储器件、制备方法及量子器件
    量子存储器件、制备方法及量子器件_北京量子信息科学研究院_202610031004.9
    本申请提供了一种量子存储器件、制备方法及量子器件，涉及量子存储器件的技术领域。量子存储器件包括衬底、超导电路、至少两个支撑部、至少两个扩散区域和超导机械振子。至少两个支撑部分立设置在第一表面。至少两个扩散区域与支撑部一一对应设置。至少两个扩...
    2026-02-16
  • 一种芯片级电流传感器的封装方法
    一种芯片级电流传感器的封装方法_宁波中车时代传感技术有限公司_202511539736.0
    本发明公开了一种芯片级电流传感器的封装方法，涉及传感器的技术领域，包括：S1、配备引线框架，将引线框架的第一面朝向上方，在引线框架的第一面贴装固定第一隔离片，第一隔离片连接于次边引脚和原边母排；S2、将晶圆芯片焊装于次边引脚，晶圆芯片平行于...
    2026-02-16
  • 一种自旋调控电子器件及其制备方法
    一种自旋调控电子器件及其制备方法_西安交通大学_202511682221.6
    本发明属于自旋电子器件技术领域，公开了一种自旋调控电子器件及其制备方法，所述电子器件包括绝缘衬底、磁性层、拓扑绝缘体、顶电极和离子源；绝缘衬底、磁性层、拓扑绝缘体和顶电极自下而上依次沉积设置；离子源放置在拓扑绝缘体上，离子源上放置有离子驱动...
    2026-02-16
  • 磁性隧道结和磁随机存储器
    磁性隧道结和磁随机存储器_中国科学院微电子研究所_202511368933.0
    本申请涉及磁随机存储器技术领域，公开一种磁性隧道结和磁随机存储器。其中，磁性隧道结包括参考层、隧穿层和自由层。参考层的材料包括CrSe。隧穿层设置于参考层的一侧。自由层设置于隧穿层背离所述参考层的一侧。自由层的材料包括CrSe。本申请中，通...
    2026-02-16
  • MOF-on-MOF材料及其制备方法和应用、包含其的复合纤维膜和柔性压电传感器
    MOF-on-MOF材料及其制备方法和应用、包含其的复合纤维膜和柔性压电传感器_北京石油化工学院_202511735448.2
    本发明涉及柔性压电材料技术领域，公开了一种MOF‑on‑MOF材料及其制备方法和应用、包含其的复合纤维膜和柔性压电传感器。所述MOFonMOF材料以改性后的第一MOF材料为核，以第二MOF材料为壳。所述MOFonMOF材料可作为复合纤维膜的...
    2026-02-16
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