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最新专利技术
  • 一种制备半导体器件用金刚石散热的方法
    一种制备半导体器件用金刚石散热的方法_内蒙古郡瑞科技有限公司_202511614935.3
    一种制备半导体器件用金刚石散热的方法，步骤包括：将金属管缠绕于金刚石样片的侧壁表面，并在所述金属管内注入冷却液；所述金属管的外壁喷涂有磁致冷涂层，所述样片下方设有与热源贴合的金属层；当所述热源温度达到预设阈值时，自动触发周围磁场，使所述磁致...
    2026-02-14
  • 封装模块及电子设备
    封装模块及电子设备_华为技术有限公司_202410970518.1
    一种封装模块及电子设备，其中，封装模块包括基板、多个芯片、散热结构和封装件。多个芯片层叠设置于基板。散热结构设置于至少部分相邻两个芯片之间。封装件包覆于芯片，且封装件包覆于散热结构的至少部分部位。本申请中，通过设置散热结构，可以实现对温度较...
    2026-02-14
  • 一种异形散热盖及芯片封装结构与制作方法
    一种异形散热盖及芯片封装结构与制作方法_上海国微芯芯半导体有限公司_202511575191.9
    本申请提供一种异形散热盖及芯片封装结构与制作方法，应用于半导体封装技术领域，通过将传统的连续底座拆分为四个独立的角部支撑底座，在各角部支撑底座中间形成一个连续的布设区域，在完全保留原有散热效能的同时，彻底解除了散热盖与电容等元器件之间的物理...
    2026-02-14
  • 芯片封装结构及芯片封装方法
    芯片封装结构及芯片封装方法_海光信息技术股份有限公司_202511547325.6
    本申请涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。该芯片封装结构包括至少一个芯片、散热基板和散热器；散热基板位于芯片的底部；散热基板包括至少一层介质层、多个导电柱和第一冷却管路；介质层具有阵列排布的多个导电通孔；导电柱嵌设于对应的导电通孔内；第一冷...
    2026-02-14
  • 芯片封装结构及芯片封装方法
    芯片封装结构及芯片封装方法_海光信息技术股份有限公司_202511546027.5
    本申请涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。该芯片封装结构包括至少一个芯片、第一散热器和封装基板；第一散热器位于至少一个芯片的顶部，并与至少一个芯片导热连接；封装基板位于至少一个芯片的底部，用于封装至少一个芯片；封装基板包括：沿背离至少一个芯...
    2026-02-14
  • 一种利用可变形弹性腔室控制腔体压力的芯片冷却装置
    一种利用可变形弹性腔室控制腔体压力的芯片冷却装置_清华大学_202511471373.1
    本发明公开了一种利用可变形弹性腔室控制腔体压力的芯片冷却装置，芯片冷却装置包括微射流腔室和弹性腔室，微射流腔室设置于芯片表面；微射流腔室设置有多个微射流喷嘴和多个气体逸出通道，微射流喷嘴用于向微射流腔室内喷射液相冷却剂，液相冷却剂在微射流腔...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001886.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。半导体器件包括：第一导热层和第二导热层中的至少之一，以及多个晶体管；晶体管包括半导体层、栅绝缘层和栅电极；半导体层沿垂直于衬底的方向延伸，栅绝缘层环绕半导体层，栅电极环绕...
    2026-02-14
  • 一种具有图形化介质层的半导体器件结构
    一种具有图形化介质层的半导体器件结构_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511471528.1
    本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种具有图形化介质层的半导体器件结构，其中包括：依次层叠设置的底层金属层、介质层、顶层金属层、钝化层，其中，钝化层具有封装打线区域，介质层包括朝向封装打线区域方向凸起的加厚部，顶层金属层在介质层的加厚部处往...
    2026-02-14
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411681221.X
    本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替地层叠的导电层和绝缘层；第一接触插塞，其包括穿入栅极结构而延伸第一深度的第一主要部分和连接至第一主要部分并具有呈阶梯形状的侧壁的第一延伸部分，该第一接触...
    2026-02-14
  • 一种稳定通孔接触电阻的方法
    一种稳定通孔接触电阻的方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512040724.X
    本发明提供一种稳定通孔接触电阻的方法，包括以下步骤：获取晶圆中通孔的关键尺寸测量值；基于所述通孔的关键尺寸测量值与目标值的差异，结合预建立的关联模型，确定通孔内壁上需要沉积的金属阻挡层的目标厚度；其中，所述关联模型用于描述所述通孔的关键尺寸...
    2026-02-14
  • 半导体器件接触孔的制备方法
    半导体器件接触孔的制备方法_广州增芯科技有限公司_202511635548.8
    本申请公开了一种半导体器件接触孔的制备方法，该方法包括：提供衬底，衬底上形成半导体器件，半导体器件包括源区、漏区、形成在衬底上的预设高度的栅极及栅极侧墙，且栅极、源区、漏区的表面均形成有导电性接触层；在衬底上依次形成刻蚀阻挡层和层间介质层；...
    2026-02-14
  • 半导体后段互连结构、半导体结构及其制备方法
    半导体后段互连结构、半导体结构及其制备方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511627750.6
    本发明提供一种半导体后段互连结构、半导体结构及其制备方法，在制备后层金属互连层及相应的金属互连孔的过程中，通过将介质层分为三层，第一介质层、第二介质层及第三介质层，将第二介质层设置为所需形成的互连凹槽的刻蚀停止层，且设置第二介质层的抗刻蚀能...
    2026-02-14
  • 半导体金属互连结构、半导体结构及其制备方法
    半导体金属互连结构、半导体结构及其制备方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511627738.5
    本发明提供一种半导体金属互连结构、半导体结构及其制备方法，将钴金属、钌金属及钼金属应用至半导体结构后段工艺的金属互连结构中，通过在金属互连层中将线宽不大于(即小于等于)17nm的金属互连线的主体导电层设置为钴金属互连层或钌金属互连层或钼金属...
    2026-02-14
  • 电子器件的金属化结构及其制造方法
    电子器件的金属化结构及其制造方法_意法半导体国际公司_202511028967.5
    本公开涉及电子器件的金属化结构及其制造方法。一种电子器件(例如，半导体封装、半导体器件、半导体管芯、半导体组件等)包括堆叠在非导电层上以限定穿过电子器件的电通路的金属化层或导电层，以及制造该电子器件的方法。金属化结构至少涉及形成金属化结构的...
    2026-02-14
  • 一种用于Lift-off工艺的去胶方法及去胶机台
    一种用于Lift-off工艺的去胶方法及去胶机台_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511598202.5
    本发明提供一种用于Lift‑off工艺的去胶方法及去胶机台，本发明的一种用于Lift‑off工艺的去胶方法包括提供一衬底；在衬底上形成第一金属层；在第一金属层上形成图形化的光刻胶层；在衬底和图形化的光刻胶层上形成第二金属层，使第二金属层同时...
    2026-02-14
  • 无金属孔洞的布线层方法
    无金属孔洞的布线层方法_青岛天仁微纳科技有限责任公司_202511624594.8
    本发明涉及无金属孔洞的布线层方法，其包括以下步骤；步骤一，基于硅晶圆加工，获得孔部和表层连线部连线的模板部；其中，模板部为基础，孔部和表层连线部在模板部上表面；步骤二，进行两次结构复制，获得孔与线型印章；步骤三，基于步骤二，生长金属薄膜层；...
    2026-02-14
  • 具有自适应热管理的先进3D封装平台
    具有自适应热管理的先进3D封装平台_广州市君盘实业股份有限公司_202511542667.9
    本发明公开了具有自适应热管理的先进3D封装平台，属于半导体封装技术领域。包括：形状记忆合金网络、相变材料微胶囊、预应力填充料系统、硅通孔、监控系统；形状记忆合金网络：通过100微米直径形状记忆合金导线实现翘曲补偿低于2微米，具有8％可逆应变...
    2026-02-14
  • 具有变化通信路径机构的设备及其制造方法
    具有变化通信路径机构的设备及其制造方法_美光科技公司_202511040825.0
    本公开涉及具有变化通信路径机构的设备及其制造方法。描述与具有长度相关宽度的通信路径相关的方法、设备及系统。设备可拥有具有不同宽度及/或间隔或间距的通信路径以协调信号时序。
    2026-02-14
  • 一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法
    一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511386257.X
    本发明提供一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：提供层叠结构，层叠结构包括自下而上依次层叠设置的硅衬底、垫氧化层和硬掩膜层；第一刻蚀步：以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀垫氧化层使其图案化，以及刻蚀硅衬底的顶...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411009658.9
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件、电子设备，半导体结构包括：基底；沿第一方向排列的至少两列存储结构，每列存储结构包括在所述基底上堆叠设置的多层存储单元，每层所述存储单元均包括沿第二方向排列的多个存储子单元，所述第一方向平行与...
    2026-02-14
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