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  • 本申请公开了一种自动真空贴膜机,涉及半导体制造中的晶圆处理技术领域,改善了传统贴膜方式中压力不均而引起贴合不良的问题,其包括工作台、贴膜装置、真空吸附单元、负压系统、控制系统;真空吸附单元包括下底壳和开合于下底壳的上顶盖,下底壳的上表面设有...
  • 本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。处理基板的基板处理装置包含:处理罐,其贮存用于对基板进行蚀刻的蚀刻液;基板支架,其保持基板,并将基板浸渍于贮存在处理罐的蚀刻液;蚀刻液供给部,其配置于处理罐,并向处理罐的内部供给蚀刻液,蚀刻液供给部至...
  • 本发明的衬底处理装置具备腔室、衬底保持部及移动机构。腔室收纳衬底。衬底保持部配置在腔室内,逐片保持衬底。移动机构使衬底保持部移动。衬底保持部具有与衬底接触的夹盘销。移动机构在腔室内,使衬底保持部在通过处理液处理衬底的至少1个处理位置与洗净夹...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置,其具备腔室、衬底保持部、及回转机构。腔室具有使内部与外部连通且供衬底搬入及搬出的开口。衬底保持部配置在腔室内,逐片保持衬底。回转机构通过使衬底保持部回转,而在腔室内,使衬底保持部在利用处理液对衬底进行处理的多个处...
  • 本发明的衬底处理装置具备处理模块及搬送模块。处理模块具有上衬底保持部、移动机构、处理杯列及升降机构。上衬底保持部水平保持衬底。移动机构使上衬底保持部在第1方向上移动,所述第1方向是与衬底在搬送模块与处理模块之间移动的方向平行的方向。处理杯列...
  • 本发明的衬底处理装置具备处理模块及搬送模块。处理模块具有上衬底保持部、多个处理杯部、移动机构及升降机构。上衬底保持部水平保持衬底。多个处理杯部排列在交叉方向上,所述交叉方向与衬底在搬送模块与处理模块之间移动的方向交叉。移动机构使上衬底保持部...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置,所述衬底处理装置具备腔室、衬底保持部、及回转机构。腔室具有连通内部与外部供衬底搬入的第1开口,及连通内部与外部供衬底搬出的第2开口。衬底保持部配置在腔室内,逐片保持衬底。回转机构通过使衬底保持部回转,而在腔室内,...
  • 提供高速地进行中间室气氛气体置换的基板处理系统及物品制造方法。基板处理系统具备:具有第1室的第1容器;具有第2室的第2容器;具有中间室的中间容器;形成气体经第1室循环的气体流路和气体经中间室循环的气体流路的第1循环配管;从第1循环配管回收气...
  • 本发明提供一种基板处理装置和异常探测方法,能够高精度地探测与漏液有关的异常。基板处理装置具备腔室、喷嘴、测定部、流路开闭部以及控制部。腔室能够收容基板。喷嘴设置于腔室内,朝向基板供给处理液。测定部向基板投射光,并测定来自基板的反射光的强度。...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置,具备第1衬底处理部与搬送机构。第1衬底处理部通过将铅直姿势的衬底浸渍于第1处理液,来逐片处理衬底。搬送机构接收水平姿势的衬底,将衬底的姿势从水平姿势变更为铅直姿势,并将铅直姿势的衬底搬入第1衬底处理部。第1衬底处...
  • 提供处理系统、基板处理装置、处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品,能够在阀被设定为开的情况下获知会受到被设定为开的阀的影响的其他阀的开闭状态的匹配性。具备:显示部,其具有能够对定义了基板的处理条件的配方进行编辑的显示区域,在上述显示区域...
  • 本申请公开了一种炉管设备,涉及半导体制造设备领域,炉管设备包括:工艺管,其内部具有工艺区;加热组件,设置于所述工艺管的外周,用于对所述工艺管加热;壳体,所述壳体的内部设置有装载区和第一隔断区,所述第一隔断区处的所述壳体上设置有密封件,所述装...
  • 本发明公开了一种采用IPA的工艺装置包括:工艺槽,用于存储IPA。工艺槽包括第一入口和第二入口。第一入口通过第一管路连接IPA供给源。第二入口通过第二管路连接保护气体源;在工艺槽中,保护气体提供无氧气氛并从而阻止IPA氧化。本发明还公开了一...
  • 本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备,工艺腔室包括:腔室本体、进气结构和气流角度调整件;腔室本体沿第一方向的两侧分别设有传片口和排气口;进气结构设置于腔室本体上方靠近传片口的一侧,进气结构内设有沿第二方向延伸的匀流腔,匀流腔设有进气口和...
  • 本公开涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种机台控制方法、机台控制装置和机台。机台控制方法包括:确定机台内的至少一个腔室的暖机状态;确定机台的可用装载口的数量;至少基于暖机状态、可用装载口的数量以及待加工片搬运至机台的搬运时间,确定预定装载...
  • 本发明公开了一种微电子芯片生产设备及其生产工艺,涉及微电子芯片加工技术领域,具体包括传送装置,所述传送装置的右侧安装有挡板,所述传送装置上方的前后两侧分别设置有位于芯片外侧的辊筒,所述辊筒上端的外壁转动连接有固定杆,所述固定杆的外壁活动套接...
  • 提供一种等离子体切割半导体晶片的方法。所述方法包含提供包括主硅层和顶部氧化硅层的半导体晶片的步骤,所述顶部氧化硅层覆盖有有机软掩模。所述掩模限定待蚀刻的多个划割线区域。所述方法包含等离子体蚀刻以去除所述划割线区域中的所述顶部氧化硅层以暴露所...
  • 本发明提供一种固态材料表面的加工方法,包括如下步骤:S1.在固态材料表面设置导电膜层,得半成品A;S2.采用聚焦离子束技术以0.05~0.5 μA的离子束电流在半成品A的表面形成凹槽,制得半成品B;S3.去除半成品B表面的导电膜层。本发明提...
  • 本发明提供了应用于晶圆制备技术领域的一种晶圆镀膜面平坦化刻蚀工艺,包括如下步骤:S100:提供一镀膜晶圆,晶圆上具有多个产品区域,每个产品区域具有一单点频率,利用频率分选机测得晶圆上各产品区域的单点频率;S200:设定一目标频率,其中所述目...
  • 本公开提出了一种形成半导体结构的方法,涉及半导体技术领域,该方法包括:提供层结构,所述层结构包括第一层,所述第一层具有沿第一方向排列的利用光刻工艺形成的多个沟槽,所述多个沟槽包括相邻的第一沟槽和第二沟槽,所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第一...
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