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最新专利技术
  • 一种封装基板及其制备方法
    一种封装基板及其制备方法_苏州国显创新科技有限公司_202511746817.8
    本公开提供一种封装基板及其制备方法，该封装基板包括基板本体和隔离结构，基板本体沿垂直于所述基板本体的方向，所述基板本体上设置有多个贯穿所述基板本体的通孔；所述隔离结构设置在所述基板本体的一侧；所述隔离结构包括隔离环和/或区域隔离柱；所述隔离...
    2026-02-04
  • 玻璃基板及其制备方法和芯片封装结构
    玻璃基板及其制备方法和芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511746530.5
    本申请提供了一种玻璃基板及其制备方法和芯片封装结构。玻璃基板包括：玻璃基底，玻璃基底中具有至少一个第一孔段和至少一个第二孔段，第一孔段和第二孔段相连通；玻璃基底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一孔段的开口位于第一表面，第二孔段的开口位于...
    2026-02-04
  • 一种用于高密度封装的氮化铝厚膜2.5D转接板及其制造方法
    一种用于高密度封装的氮化铝厚膜2.5D转接板及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十三研究所_202511500951.X
    本发明公开了一种用于高密度封装的氮化铝厚膜2.5D转接板及其制造方法，属于先进半导体封装技术领域。该方法以高热导率的氮化铝(AIN)陶瓷为基板，首先进行激光打孔并采用印刷填充及研磨抛光工艺实现通孔的金属化与共面化；随后通过在表面印刷大面积金...
    2026-02-04
  • 玻璃载板结构及其制备方法、玻璃载板母板
    玻璃载板结构及其制备方法、玻璃载板母板_苏州国显创新科技有限公司_202511745523.3
    本申请实施例公开了一种玻璃载板结构及其制备方法、玻璃载板母板，该玻璃载板结构包括第一玻璃基底、两第一种子层、第一金属走线层，第一金属走线层至少包含呈电性连接的第一子走线层和第二子走线层，第二子走线层设置于第一子走线层远离第一玻璃基底的一侧，...
    2026-02-04
  • 封装模组及其制备方法、以及封装结构
    封装模组及其制备方法、以及封装结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410995344.4
    一种封装模组及其制备方法、以及封装结构，封装模组包括：具有线路的第一基板，第一基板包括相背的第一面和第二面；器件芯片，位于第一基板的第一面上；封装层，位于器件芯片侧部的第一基板上，封装层覆盖器件芯片的侧壁；抗形变层，位于封装层和器件芯片上，...
    2026-02-04
  • 半导体封装
    半导体封装_爱思开海力士有限公司_202511875752.7
    本申请涉及一种半导体封装。公开了一种半导体封装及其制造方法。半导体芯片可以被设置在具有穿过其形成的通气孔的封装基板上，并且可以形成包括连接到上模制部分的下模制部分的模制层。封装基板可以包括具有多个单元区域的基板主体、设置在单元区域中的球形凸...
    2026-02-04
  • 半导体封装
    半导体封装_爱思开海力士有限公司_202511875742.3
    本申请涉及一种半导体封装。公开了一种半导体封装及其制造方法。半导体芯片可以被设置在具有穿过其形成的通气孔的封装基板上，并且可以形成包括连接到上模制部分的下模制部分的模制层。封装基板可以包括具有多个单元区域的基板主体、设置在单元区域中的球形凸...
    2026-02-04
  • 芯片封装结构、芯片封装结构的制备方法及电子设备
    芯片封装结构、芯片封装结构的制备方法及电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511739208.X
    本申请实施例提供一种芯片封装结构、芯片封装结构的制备方法及电子设备，芯片封装结构包括：芯片、基板和第一连接部；基板设置于芯片沿第一方向的一侧，基板包括本体部和本体部朝向芯片一侧的保护层，保护层围合形成容纳槽，本体部朝向芯片的一侧设置有第一连...
    2026-02-04
  • 一种抗分层的引线框架、封装结构及其制备方法
    一种抗分层的引线框架、封装结构及其制备方法_深圳市唯亮光电科技有限公司_202511968381.7
    本申请涉及一种抗分层的引线框架、封装结构及其制备方法。引线框架上排布有多个框架单元，相邻的框架单元之间通过金属连接筋连接，每个框架单元的焊盘分为正面半蚀刻区域和全金属区域，金属连接筋与正面半蚀刻区域通过全金属接合区形成整体。本申请能够显著提...
    2026-02-04
  • 一种新型塑封全桥碳化硅模块及其制作方法
    一种新型塑封全桥碳化硅模块及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511510662.8
    本发明公开了一种新型塑封全桥碳化硅模块及其制作方法，新型塑封全桥碳化硅模块包括：散热板，散热板的上设置有三组相位支路，相位支路包括：陶瓷覆铜基板，陶瓷覆铜基板的上表面为第一铜层，第一铜层分为输出区和处理区，输出区和处理区的内部分别设置有源极...
    2026-02-04
  • 一种封装载板及其制备方法
    一种封装载板及其制备方法_苏州国显创新科技有限公司_202511746826.7
    本公开提供一种封装载板及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供一玻璃材质的基板，所述基板包括第一表面和第二表面，在所述基板上制作多个通孔；在所述第一表面上制作第一金属走线；在所述第一表面涂覆液态玻璃，并对其进行高温固化形成介质层，使其至少...
    2026-02-04
  • 基板以及基板盲孔的制造方法
    基板以及基板盲孔的制造方法_达运精密工业股份有限公司_202511688288.0
    本发明提供一种基板盲孔的制造方法，包括步骤：提供一基板；于基板上进行薄膜沉积并形成附着层，其中附着层的材料为金属、合金或金属氧化物；于附着层上形成光阻膜，其中光阻膜具有图案，图案可进一步用以暴露基板部分；使用至少一蚀刻液蚀刻基板，其中至少一...
    2026-02-04
  • 封装基板的制作方法、封装基板、玻璃基板及电子器件
    封装基板的制作方法、封装基板、玻璃基板及电子器件_玻芯成(重庆)半导体科技有限公司_202511587431.7
    本申请适用于半导体封装技术领域，提供了一种封装基板的制作方法、封装基板、玻璃基板及电子器件，制作方法包括：提供第一玻璃基板及第二玻璃基板，第一玻璃基板的第一表面形成有第一导电线路层，第二玻璃基板具有TGV孔；堆叠第一玻璃基板及第二玻璃基板以...
    2026-02-04
  • 一种3D封装结构及其制作方法
    一种3D封装结构及其制作方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511524218.1
    本发明公开一种3D封装结构及其制作方法，该方法以玻璃晶圆作第一载板，解决有机材料转接板与Si基硅桥芯片热膨胀系数不匹配导致的可靠性及信号干扰问题。S1中，以玻璃晶圆为基材刻蚀盲孔并金属化填充Cu，玻璃与硅桥热膨胀系数相近，减少热应力变形风险...
    2026-02-04
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510308283.4
    本发明提供了一种电子装置及其制造方法。电子装置包括基板、至少一电子单元、黏着层、绝缘层以及导电结构。基板具有至少一个凹陷。电子单元对应设置于凹陷中，且黏着层设置于电子单元与凹陷的底面之间。绝缘层设置于电子单元与凹陷上，且导电结构设置于绝缘层...
    2026-02-04
  • 一种半导体用引线框架加工设备
    一种半导体用引线框架加工设备_深圳突破者科技有限公司_202511470202.7
    本发明公开了一种半导体用引线框架加工设备，具体涉及半导体部件加工技术领域，包括机架、蚀刻喷头和框架胚料，所述机架的顶端固定连接有用于将框架胚料放置的工作台，所述工作台与框架胚料之间设有若干个定压组件，每组所述定压组件均包括活动连接在工作台顶...
    2026-02-04
  • 一种用于生产模制电子装置的方法
    一种用于生产模制电子装置的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510985231.0
    一种用于生产模制电子装置的方法包括提供第一金属框架，第一金属框架包括多个管芯焊盘以及将管芯焊盘固定就位的多个第一连接器。垂直功率半导体管芯附接到每个管芯焊盘。一个或多个第二金属框架与第一金属框架垂直对准。每个第二金属框架包括多个第一接触焊盘...
    2026-02-04
  • 一种含能器件及其制备方法
    一种含能器件及其制备方法_中国电子科技集团公司信息科学研究院_202511315298.X
    本发明提供一种含能器件及其制备方法，该器件包括硅衬底、热激发含能层、加热电极和含能材料层；热激发含能层设置于硅衬底，热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和填充于微纳孔隙的强氧化剂结晶物；含能材料层设置于热激发含能层；加热电极包括高阻热激发区...
    2026-02-04
  • 一种半导体含能器件结构及其制备方法
    一种半导体含能器件结构及其制备方法_中国电子科技集团公司信息科学研究院_202511315290.3
    本发明提供一种半导体含能器件结构及其制备方法，该结构包括基座、热激发含能层、加热电极和含能材料层；热激发含能层设置于基座之上；加热电极设置于热激发含能层之上；含能材料层覆盖于热激发含能层和加热电极之上；热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和...
    2026-02-04
  • 实现分腔屏蔽的封装方法及封装体
    实现分腔屏蔽的封装方法及封装体_长电科技管理有限公司_202511281052.5
    本发明提供一种实现分腔屏蔽的封装方法及封装体，属于半导体封装技术领域，在本发明中，隔离墙的端部侧壁距离基板的边缘具有一距离，在形成封装体的工艺过程中无需切割隔离墙，能够避免切割导致的材料变形与刀具损耗问题。在工艺过程中去除隔离墙端部侧壁处的...
    2026-02-04
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