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  • 本发明公开了一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域,所述长波长PIN光电二极管包括GaAs衬底、DBR层、变形生长层和吸收层;所述DBR层、变形生长层与吸收层共同构成复合式本征区;所述复合式本征区的光学...
  • 本发明公开了一种带有集成式DBR的短波长PIN光电二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域,所述短波长PIN光电二极管包括GaAs衬底、n型接触层、本征区和p型接触层;所述本征区包括吸收层和位于所述吸收层下方的DBR层,所述DBR层由多对本征...
  • 本发明公开了一种集合压力传感与紫外探测的超薄薄膜AlGaN/GaN HEMT结构及其制备方法,通过在AlGaN/GaN基薄膜的中心区域刻蚀形成HEMT晶体管,将该晶体管的结构设置为双插指结构,以充分收集薄膜因形变而产生极化电荷;并且在背面深...
  • 本发明提出了一种基于PdSe22/PbS异质结的红外光电探测器及其制备方法,属于光电材料与器件的技术领域,用以解决。包括基底、电极层、异质结功能层;所述电极层为间隔分布于基底上的两个金属电极,两个金属电极之间形成沟道,所述异质结功能层设置于...
  • 本申请公开了一种具备外延层应力约束功能的碲镉汞单极势垒结构及制备方法,涉及红外焦平面技术,包括:衬底;预应力层,沉积于所述衬底的表面,用于在外延过程中提供初始应力约束;应变缓冲层,位于所述预应力层与吸收层之间,其结构为对称超晶格,用于在外延...
  • 本发明提供一种X射线检测器,包括:检测器模块,包括形成有利用钙钛矿构成的光导电层的传感器组件;壳体,提供所述检测器模块所在的空间,并包括至少一个金属层;以及除湿剂,在收容有所述检测器模块的状态下填充所述壳体的内部空间。
  • 本申请涉及一种光伏组件,能够避免焊带压紧于各所述细栅线后胶水遮蔽相邻的细栅线,光伏组件包括至少一个电池片,所述电池片的焊接面上设有沿第一方向排列的细栅线,相邻两细栅线的间距为1.05mm‑1.13mm,相邻两细栅线之间具有胶水区,所述胶水区...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及光伏组件。在本申请实施例中,通过在电池片的同一侧设置多个焊带、多个胶点和覆膜,并使得每一焊带对应至少一胶点,覆膜至少覆设于多个焊带背离于电池片的一侧,且对应多个胶点的至少一焊带的第一端部和第二端部均有...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种背接触电池组件及光伏系统,包括第一类电池片和第二类电池片,第一类电池片和第二类电池片分别为整片电池片分片得到的两类电池片,且对整片电池片进行分片时,第一类电池片和第二类电池片沿第一方向共线的栅线极性...
  • 本发明涉及硅太阳电池领域,具体公开了一种背接触电池组件及光伏系统。其包括相邻设置的第一电池串和第二电池串;第一电池串包括第一端部电池片和第一边缘焊带,第二电池串包括第二端部电池片、第二边缘焊带和第一次边缘焊带;第一边缘焊带、第一次边缘焊带分...
  • 本申请涉及光伏技术领域,尤其涉及一种光伏组件及其生产工艺,光伏组件包括依次层叠设置的第一盖板、第一胶膜、电池片层、第二胶膜和第二盖板,第一盖板设置于光伏组件的向光面;第一盖板与第一胶膜之间设有第一垫条,第一垫条覆盖第一胶膜的长边边缘区域、短...
  • 本申请适用于光伏技术领域,提供了一种光伏组件及光伏系统,包括背板;设置于所述背板上的电池串;设置于所述背板和所述电池串之间的背胶膜层,所述背胶膜层具有朝向所述背板的第一表面,所述第一表面与所述背板粘接,所述第一表面设置为黑色,所述背板为玻璃...
  • 本发明涉及一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件,该太阳能电池包括硅基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和透明导电层;透明导电层至少设置于部分第一掺杂半导体层和部分第二掺杂半导体层上;硅基底的第一表面还包括未设置透明导电层的开口区域;透明...
  • 本发明公开了一种多结太阳能电池及其制备方法,涉及半导体技术领域,所述多结太阳能电池包括可转移的电池薄膜结构;所述电池薄膜结构包括依次堆叠的光入射层、第一电池单元、渐变缓冲层和第二电池单元;所述第一电池单元的材料体系与GaAs晶格常数匹配;所...
  • 本申请涉及一种ESD版图结构,包括堆叠的多个金属层,金属层包括连接于电源端的第一梳状金属线、连接于节点端的第二梳状金属线和连接于接地端的第三梳状金属线;其中,第一梳状金属线的梳齿与第二梳状金属线一侧的梳齿交错排列,第三梳状金属线的梳齿与第二...
  • 本公开涉及一种具有ESD保护元件的半导体装置。实例设备包含数据端子、经供应有第一电压的第一电源线、经供应有与所述第一电压不同的第二电压的第二电源线、串联耦合在所述第一电源线与所述数据端子之间的第一及第二晶体管、耦合在所述第二电源线与所述数据...
  • 本发明涉及一种ESD保护器件及芯片,所述器件包括:N型漂移区;第一P型掺杂区,位于N型漂移区中;第一N型掺杂区,位于N型漂移区中;肖特基势垒结构,包括肖特基金属层,肖特基金属层与其底部接触的半导体材料形成肖特基势垒;P阱,与N型漂移区连接;...
  • 集成电路器件包括:沿第一方向延伸的第一有源区结构堆叠件,其包含彼此堆叠的下部有源区结构和上部有源区结构;在所述下部及上部有源区结构上方的上部导电层中延伸的前侧电源轨;在所述下部及上部有源区结构下方的下部导电层中延伸的背侧电源轨;多个垂直电源...
  • 本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括显示区和位于显示区一侧的弯折区;显示面板还包括衬底、阵列层及第一凹槽,阵列层包括多个晶体管及多个绝缘层,沿垂直于衬底所在平面的方向,多个绝缘层叠层设置;第一凹槽位于弯折区,沿垂直于衬底所在...
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置;显示面板包括多个像素驱动电路和开关控制信号线,像素驱动电路包括开关晶体管以及驱动晶体管,开关晶体管与驱动晶体管均连接于第一节点,开关控制信号线连接于开关晶体管的开关栅极;显示面板还包括基板、第一导电层和第...
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