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最新专利技术
  • 多波段红外探测器背增透膜层制备方法、工装及多波段红外探测器
    多波段红外探测器背增透膜层制备方法、工装及多波段红外探测器_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511249080.9
    多波段红外探测器背增透膜层制备方法、工装及多波段红外探测器，涉及红外探测器技术领域，该方法包括：提供多波段的碲镉汞芯片，固定于预设的工装上；根据背增透膜计算公式分别计算各目标波段所需的背增透膜层总厚度，在全部碲镉汞芯片上第一次沉积膜层，使第...
    2026-02-11
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511203430.8
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本申请的太阳电池的制备方法包括在硅基体的正面和/或背面的种子层上涂覆感光胶层，并利用激光在感光胶层上进行打印，其中，感光胶层包括第一胶膜和第二胶膜，第二胶膜围绕第一胶膜以形成...
    2026-02-11
  • 处理铜互连电池片的药液及其制备方法和电池片的制备方法
    处理铜互连电池片的药液及其制备方法和电池片的制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511202840.0
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及处理铜互连电池片的药液及其制备方法和电池片的制备方法，该处理铜互连电池片的药液的原料包括：弱酸混合剂、次磷酸钠、阻垢剂和缓蚀剂；其中，阻垢剂含有膦酸基团，缓蚀剂含有亲水基和氮原子。该药液能够用于在...
    2026-02-11
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(彭山)有限公司_202511145878.9
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法，光伏组件。所述制备方法包括以下步骤：在硅基底的表面制备第一钝化层；所述表面设置有若干塔基底座，任一所述塔基底座的边长为9μm～25μm；对所述第一钝化层进行退火处理，退火的温度为470℃...
    2026-02-11
  • 一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
    一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511134293.7
    本发明提供了一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，涉及电池制备技术领域。该太阳能电池制备方法包括在硅片的第一表面依次制备第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及第一TCO膜层；在硅片的第二表面依次制备第二本征非晶硅层、P型非晶硅层以及第二...
    2026-02-11
  • 背接触太阳电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511121033.6
    本申请公开了一种背接触太阳电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本申请提供的背接触太阳电池的制备方法中，通过使用深紫外激光在第一钝化层上开设栅线沟槽，深紫外激光具有较高的光子能量，高于钝化层材料的化学键能，因此可以通过光化学作用打断...
    2026-02-11
  • 太阳电池的制备方法及光伏组件
    太阳电池的制备方法及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511096653.9
    本申请公开了一种太阳电池的制备方法及光伏组件，该太阳电池的制备方法包括以下步骤：在硅基底表面制备介质层和掺杂层，掺杂层的厚度为30nm～90nm；在掺杂层背离硅基底一侧制备第一氧化铝层；制备第一电极，包括：印刷电极浆料，电极浆料包括导电金属...
    2026-02-11
  • 一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件
    一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件_通合新能源(金堂)有限公司_202511093359.2
    本发明公开了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。本发明将待烧结电池片分为中间区域和边缘区域分别照射激光同时施加反向偏置电压，对电池片边缘区域进行降低电压参数，同时对电池片中间区域通过增加电压。本发明通过对激光辅...
    2026-02-11
  • 太阳电池的制备方法及光伏组件
    太阳电池的制备方法及光伏组件_通威太阳能(彭山)有限公司_202511089940.7
    本申请公开了一种太阳电池的制备方法及光伏组件，该太阳电池的制备方法包括以下步骤：在硅基底表面制备氮化硅层，氮化硅层包括若干依次叠层设置的第一氮化硅子层至第N氮化硅子层，第一氮化硅子层位于靠近硅基底一侧，第一氮化硅子层中的硅原子与氮原子之比为...
    2026-02-11
  • 一种太阳电池及其制备方法
    一种太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511075269.0
    本发明公开了一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池的制备方法包括：对N型硅衬底表面的本征非晶硅层进行HPT处理，得到氢化本征非晶硅层；于氢化本征非晶硅层的表面制备掺杂微晶硅层；HPT处理以氢气和SiH44作为反应气源，氢...
    2026-02-11
  • 一种异质结太阳电池及改善其铜栅线氧化的方法
    一种异质结太阳电池及改善其铜栅线氧化的方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511022883.0
    本发明公开了一种异质结太阳电池及改善其铜栅线氧化的方法，属于异质结太阳电池制备技术领域。该方法包括：于异质结太阳电池蓝膜片的正面和背面分别制备铜栅线，再于各铜栅线靠近蓝膜片的边缘制备防脱落保护层，固化，随后进行光注入，再对各铜栅线的表面进行...
    2026-02-11
  • 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池
    一种太阳能电池制备方法及太阳能电池_通威太阳能(成都)有限公司_202510977959.9
    本发明公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，涉及光伏领域。该太阳能电池制备方法包括：对黄膜片依次进行图案化处理及电镀处理，以在黄膜片的表面形成铜栅线；在铜栅线表面制备回刻保护层，得到电池半成品；对电池半成品进行去膜回刻处理后，去除回刻保...
    2026-02-11
  • 一种太阳电池的处理方法及光伏组件
    一种太阳电池的处理方法及光伏组件_通威太阳能(金堂)有限公司_202510971329.0
    本申请提供了一种太阳电池的处理方法及光伏组件，其中处理方法包括：提供钝化接触电池初始结构，利用激光对位于第一区域的背面钝化层进行开膜处理；对开膜处理后的第一区域进行第一腐蚀处理，第一腐蚀处理后，第一区域的表面与第二区域的表面之间的高度差不大...
    2026-02-11
  • 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池
    一种太阳能电池制备方法及太阳能电池_通威太阳能(成都)有限公司_202510953707.2
    本发明公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，涉及太阳能电池领域。该太阳能电池制备方法包括：对黄膜片依次进行涂布处理、打印处理及边缘蚀刻处理；对经过边缘蚀刻处理后的黄膜片进行边缘氧化处理，以在黄膜片的边缘形成二氧化硅层；对黄膜片依次进行显...
    2026-02-11
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510947694.8
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及太阳能电池及其制备方法，该制备方法包括：在电池基体的表面、以及电池基体上设置的电极的表面涂覆SiO22纳米胶液，以形成覆盖电池基体的表面和电极的表面的SiO22纳米涂层。本发明的制备方法制得的太阳...
    2026-02-11
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510933630.2
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳电池的制备方法中，种子层上用于与电镀设备电连接的连接区域设置在初始电池片的边缘部分，后续会去除初始电池片的边缘部分。这样即便初始电池片因为与电镀设备连接而在连接区域处产生...
    2026-02-11
  • 电池片串接机及其矫正件、矫正组件和拾取装置
    电池片串接机及其矫正件、矫正组件和拾取装置_无锡奥特维科技股份有限公司_202410981773.6
    本发明实施例公开了一种电池片串接机及其矫正件、矫正组件和拾取装置。其中矫正件包括矫正支架、压块和两组提拉结构，压块和提拉结构均安装在矫正支架上；压块朝下一面设有用于与电池串中的一个电池片贴合的弧形部，弧形部用于对电池片的中间位置处施加在第一...
    2026-02-11
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511982916.6
    本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域，所述图像传感器包括：衬底；光电二极管，设置在所述衬底中，且所述光电二极管中设置有第一凹部；深沟槽隔离结构，设置在所述衬底中，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电二极管之间，所述深...
    2026-02-11
  • 一种感光像素单元以及图像传感器
    一种感光像素单元以及图像传感器_广州光达创新科技有限公司_202511395474.5
    本发明公开了一种感光像素单元以及图像传感器，其中感光像素单元包括：半导体基板；电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极；介电层，其覆盖在电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极三者上方，且设有开口部；N型半导体层，位于介电层上方且通过开口部...
    2026-02-11
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510320537.4
    一种图像传感器包括衬底和多个像素区。多个像素区中的至少一个包括在衬底中的光电转换部和衬底的第一表面相邻的像素电路。像素电路包括多个晶体管。多个晶体管包括包含第一栅电极的第一晶体管及包含第二栅电极的第二晶体管。第二栅电极具有与第一栅电极不同的...
    2026-02-11
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