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  • 本发明涉及电力电子测试领域,公开了一种智能网络阻抗接线柜,包括多组交流输入端、多组交流输出端、电网阻抗单元、多组继电器单元及PLC控制单元。电网阻抗单元具备至少两种不同额定电流规格的阻抗支路,分别适用于不同功率等级的测试设备。多组继电器单元...
  • 本发明提供一种预制舱变电站的防雷接地系统,该系统中预制舱变电站站区设置支撑杆并架设避雷线,避雷线通过引下线与独立集中接地装置相连,以构建覆盖全站区域的直击雷防护体系,有效拦截雷击并将雷电流导入接地系统,降低舱体及设备直接受雷的风险。在站区地...
  • 本发明公开了一种防爆负离子发生器,包括初级控制单元UNIT1、高压生成输出单元UNIT2和电源CON1;电源CON1的输出端连接初级控制单元UNIT1输入端,初级控制单元UNIT1的高频振荡信号输出端通过变压器T1连接高压生成输出单元UNI...
  • 本申请实施例公开了一种圆环光斑半导体激光器,包括:第一半导体激光器模块、第二半导体激光器模块、外圆正电极、外圆负电极、内圆正电极和内圆负电极,外圆负电极和内圆正电极设置于第一半导体激光器模块内,外圆正电极和内圆负电极设置于第二半导体激光器模...
  • 本发明属于激光技术领域,具体公开了一种低量子亏损的激光芯片及激光器,激光芯片包括依次设置的基质、双波长高反镜、增益区、防扩散层和帽层;双波长高反镜包括多个依次设置的反射组,每个反射组包括高折射率层和低折射率层,高折射率层和低折射率层交替设置...
  • 本公开提供的光模块、激光器外延片及激光器外延片制备方法中,包括激光芯片,激光芯片由刻蚀激光器外延片形成。激光器外延片包括依次叠加设置的:N型InP层、光斑扩展层、N型限制层和量子阱层。光斑扩展层包括自下而上叠加设置的第一InP层、第一InG...
  • 本发明属于光电子制造、新材料技术领域,公开了一种铁电薄膜/GaN基红光激光器及其制备方法和应用,所述红光激光器包括由下至上依次相连接设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、下ITO层、铁电薄膜层和上ITO层,铁电...
  • 一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法,属于半导体激光器技术领域,尤其涉及一种高功率低发散角近红外波段的半导体激光器;解决了现有技术所存在的因制备工艺局限,难以在单一器件上同时实现高输出功率、低发散角光束输出并有效抑制腔面灾变性光学损...
  • 一种高功率低发散角近红外半导体激光器,属于半导体激光器技术领域,尤其涉及一种高功率低发散角近红外波段的半导体激光器;解决了现有技术所存在的无法在高功率输出下同时获得低发散角和高光束质量,以及因腔面热积累导致的光学灾变损伤(COD)和可靠性下...
  • 本发明属于激光技术领域,具体公开了直接泵浦发光层的高效率激光芯片及激光器,激光芯片包括依次设置的衬底层、集成宽带反射镜、集成有源区、窗口层和保护层;集成宽带集成有源区包括多个有源组,每个有源组包括间隔层和发光层,间隔层和发光层交替设置;发光...
  • 本发明提供一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法,涉及激光芯片技术领域,包括衬底、低温成核层、高温恢复层、应力调控型纳米掩膜复合缺陷阻断层、n型氮化物DBR反射镜、有源区及极化增强型隧穿结等,其中,缺陷阻断层采用原位氮化...
  • 本申请涉及半导体激光器的技术领域,尤其是涉及一种高速通信垂直腔面发射激光器及制备方法,包括衬底,衬底上设有外延结构,外延结构包括有源区,有源区上设有过渡DBR层,过渡DBR层中心设有隧道结,隧道结包括P型高浓度C掺杂层以及N型高浓度Te掺杂...
  • 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法,涉及半导体激光器技术领域,包括外延片,所述外延片的P型限制层中具有脊波导和周期性光栅结构,所述周期性光栅结构分布在所述脊波导的两侧;所述周期性光栅结构包括平行设置的多条脊条和位于相邻所述脊条之间的刻槽...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为基于环状平面介质光栅的二维全固态大角度蝶型激光器,包括:衬底;激光量子阱增益层,设置在所述衬底的上端面;环状平面介质光栅,设置在所述激光量子阱增益层的上部波导层;上包层,通过半导体二次外延法构建在所述环...
  • 本申请提供一种分布式反馈激光器及其性能验证方法、光栅结构,分布式反馈激光器的光栅结构包括第一光栅段和第二光栅段,第一光栅段和第二光栅段之间有相移光栅,第一光栅段的光栅横向宽度小于第二光栅段的光栅横向宽度,使第一光栅段的耦合系数小于第二光栅段...
  • 本申请提供了一种半导体激光器系统、控制方法及原子磁力仪,可以应用于原子磁力仪技术领域。该系统包括:控制模块、恒流源电路模块和激光器模块;恒流源电路模块包括粗调电路模块和细调电路模块;其中细调电路模块包括主电路和补偿电路;主电路的第一端与控制...
  • 本发明提供一种III‑V族材料与硅基键合激光器系统及边摸抑制方法,系统包括III‑V族材料与硅基波导键合激光器,用于产生包含主模和边模的多模激光;布拉格光栅设置在III‑V族材料与硅基波导键合激光器的后端输出光路上,用于反射主模激光至激光器...
  • 本发明提供了基于Q开关内调制的全固态高重频高能量激光内调制编码方法,包括:设计可编码激光器;构建主振荡器并匹配热透镜,将编码方式加载至电光Q开关驱动,得到抗干扰脉冲源;设计匹配光路并放大泵浦光斑,得到高能量脉冲;构建支持复合编码的可重构时序...
  • 本申请属于半导体技术领域,公开了一种VCSEL和SPAD单片集成的芯片结构及其制备方法。该芯片结构包括磷化铟衬底;设置在磷化铟衬底上的N型布拉格反射镜,位于N型布拉格反射镜上间隔分布的SPAD外延结构和VCSEL外延结构;SPAD外延结构包...
  • 本申请提供实施例属于激光投影技术,提供一种激光器及激光器的制作方法。激光器,包括:底板、框架、多个导热部和多个发光芯片,底板上设置有至少一个第一安装位,框架设置在底板上,与底板围合成容纳空间,多个导热部安装在至少一个第一安装位内,多个发光芯...
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