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最新专利技术
  • 用于沉积含金属层的方法和系统
    用于沉积含金属层的方法和系统_ASMIP私人控股有限公司_202510977362.4
    本公开涉及用于通过选择性沉积过程在衬底上沉积含金属材料的方法和设备。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相将金属醇盐前体提供到反应室中；以及以气相将第二前体提供到反应室中以在衬底上形成含金属材料。根据本公开的第二前体包括硼烷化合物，并且衬底包...
    2026-03-10
  • 多站式反应设备及其分气系统
    多站式反应设备及其分气系统_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511606167.7
    本发明提供了一种多站式反应设备及其分气系统。该多站式反应设备的分气系统包括多条第一工艺气体管道、多条第一废气管道和多条吹扫气体管道。该多条第一工艺气体管道设于多个反应站之上，其一端在多个反应站上方的中心连接第一工艺气体源，另一端分别以相同长...
    2026-03-10
  • 一种碳氮包覆的AB2型储氢合金及其制备方法
    一种碳氮包覆的AB2型储氢合金及其制备方法_中国科学院赣江创新研究院_202511410402.3
    本发明涉及储氢技术领域，公开了一种碳氮包覆的AB22型储氢合金及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：利用甲烷、氨气和氢气对AB22型储氢合金进行化学气相沉积，即得碳氮包覆的AB22型储氢合金；所述甲烷、氨气和氢气的流量比为1 : (1‑3)...
    2026-03-10
  • 成膜装置及其保养方法
    成膜装置及其保养方法_东京毅力科创株式会社_202510914334.8
    本发明提供一种成膜装置及其保养方法。缩短停机时间。成膜装置具备：长方体形状的处理室，其收纳基板；载物台加热器，其配置于处理室的内部；气体供给部，其向处理室的内部供给成膜用的原料气体；以及圆筒形状的套筒，其配置于处理室的内部，套筒以两端的开口...
    2026-03-10
  • 烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物和使用其沉积膜的方法
    烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物和使用其沉积膜的方法_弗萨姆材料美国有限责任公司_202511490461.6
    提供了一种通过化学气相沉积制备多孔低k介电膜的方法和组合物。在一个方面中，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室中，所述气体试剂包括至少一种结构形成前体而具有或不具有成孔剂，所述结构形成前体包含烷氧基硅杂环状或酰...
    2026-03-10
  • 一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法
    一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法_季华实验室_202511956879.1
    本申请涉及半导体领域，主要涉及一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法。一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：对衬底进行预处理；制备Ga‑B合金；将所述Ga‑B合金覆盖于经过预处理的衬底；经排气、通气、控温，实现...
    2026-03-10
  • 金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备
    金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511926855.1
    一种金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备，方法包括：处理件具有暴露的活性表面和惰性表面，且活性表面和惰性表面之间具有沉积选择比；将处理件置于反应腔室内，进行多次沉积处理步骤，沉积处理步骤包括：载气携带不含氧元素的卤化钼前驱体进入反应腔室，与活...
    2026-03-10
  • 多腔室连续镀膜设备
    多腔室连续镀膜设备_光驰科技(上海)有限公司_202511828802.6
    本发明涉及真空镀膜技术领域，公开了一种多腔室连续镀膜设备，包括多个功能腔室和基片挂载单元，阻断机构用于控制相邻两个功能腔室之间的通断，保证基片挂载单元在不同功能腔室能独立进行各个工艺步骤与传输；每个功能腔室对应有用于搬送基片挂载单元的搬送单...
    2026-03-10
  • 一种动态磁场调控系统及调控方法
    一种动态磁场调控系统及调控方法_绍兴芯链半导体科技有限公司_202511512350.0
    本发明涉及一种动态磁场调控系统及调控方法。该系统 : 信号采集模块，其被配置为采集磁控溅射镀膜过程中的工艺信号；信号分析与决策模块，其被配置为对所述工艺信号进行特征提取与分析，并根据分析结果选择磁场运动模式后发出对应模式指令；轨迹规划与执行...
    2026-03-10
  • 一种可调磁控溅射环装置
    一种可调磁控溅射环装置_长沙元戎科技有限责任公司_202511923268.7
    本发明涉及磁控溅射技术领域，具体地说，涉及一种可调磁控溅射环装置。其包括基座和基座顶部密封安装的密封罩，所述基座与密封罩内腔之间形成真空环境，其特征在于：所述基座顶部设置有磁体腔，所述磁体腔内部形成有中心磁区和延伸磁区。本发明通过液压推杆驱...
    2026-03-10
  • 一种辅助成膜装置及成膜系统
    一种辅助成膜装置及成膜系统_光驰科技(上海)有限公司_202511827080.2
    本发明实施例提供一种辅助成膜装置及成膜系统，辅助成膜装置包括真空腔体和辅助成膜结构；真空腔体的表面包括第一面、第二面和侧面；辅助成膜结构包括：第一等离子体源组件位于侧面上；第一等离子体源组件包括第一电极构件和第一连接部，所述第一电极构件包括...
    2026-03-10
  • 一种类金刚石涂层及其制备方法
    一种类金刚石涂层及其制备方法_东莞市普拉提纳米科技有限公司_202511518100.8
    本发明涉及一种类金刚石涂层及其制备方法，属于涂层技术领域。本发明所述制备在闭合场非平衡磁控溅射系统中进行，该系统至少配备一个钛靶、一个石墨靶以及一个线性离子源；所述制备方法包概括为，先对基材进行前处理并去除表面水分后，转移至真空室中，进行离...
    2026-03-10
  • 一种沉积设备
    一种沉积设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511468057.9
    本申请公开了一种沉积设备，包括外壳、磁控装置、电源、导电连接件和馈入件。磁控装置包括驱动件、磁控件和联轴器，驱动件安装在外壳上，驱动件设有输出轴，磁控件设有输入轴，输出轴通过联轴器与输入轴连接，并且输出轴和输入轴同轴。电源安装在外壳上，电源...
    2026-03-10
  • 一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法
    一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法_山东大学_202511378566.2
    本发明涉及一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法。包括步骤：(1)将切割好的钽酸锂薄膜进行清洗；(2)通过磁控溅射法在钽酸锂薄膜上沉积铬掩膜，得到镀膜钽酸锂；(3)对镀膜钽酸锂进行退火处理；(4)使用聚焦离子束在退...
    2026-03-10
  • 磁控装置及半导体工艺设备
    磁控装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410978371.0
    本申请公开一种磁控装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。磁控装置包括背板和多个磁组，多个磁组相配合以形成用于约束等离子体的运动方向的水平磁场，各磁组均包括电磁模块和永磁体，电磁模块和永磁体均设置于背板，电磁模块包括电磁线圈，电磁线圈环绕...
    2026-03-10
  • 一种复合掩膜版及其制备方法
    一种复合掩膜版及其制备方法_重庆翰博显示科技研发中心有限公司_202410962935.1
    本发明涉及光掩膜基版技术领域，具体涉及一种复合掩膜版及其制备方法，包括以下步骤：选择低膨胀系数高分子膜材，并采用等离子进行清洗；在该高分子膜材表面设定的位置上开出带锥角的类圆锥台孔洞；对开出带锥角的类圆锥台孔洞的高分子膜材进行清洗；按照设计...
    2026-03-10
  • 一种不易形变的靶材背板安装结构
    一种不易形变的靶材背板安装结构_湖北海创科技有限公司_202511492356.6
    本发明属于显示屏生产领域，具体涉及一种不易形变的靶材背板安装结构，包括：一个面用于安装靶材且另一个面用于固定的长条状背板，背板固定面的两个长边侧设有若干阶梯状的豁口，背板设有若干个且依次间隔排列；与背板垂直设置的长条状支撑板，背板固定面的两...
    2026-03-10
  • 旋转阴极
    旋转阴极_爱发科股份有限公司_202510778476.6
    根据一实施例的旋转阴极用于溅射装置，是可旋转地分别连接到端块和端盖的旋转阴极，包括；轴，其可以旋转轴为中心旋转；头部连接器，其布置在所述轴的前端部；主体连接器，其布置在所述轴的侧面；电缆，其布置在所述轴的内部，并连接所述头部连接器与主体连接...
    2026-03-10
  • 旋转阴极的电磁铁组件
    旋转阴极的电磁铁组件_爱发科股份有限公司_202510777845.X
    根据一实施例的电磁铁组件，其用于旋转阴极，并可旋转地分别连接至端块和端盖，包括：轴；主体连接器，其布置在所述轴；电磁铁，其与所述轴平行布置；以及电磁铁连接器，其布置在所述电磁铁上，并可拆装地布置在所述主体连接器，所述电磁铁，包括：电磁铁壳体...
    2026-03-10
  • 离子束沉积设备和合金薄膜沉积方法
    离子束沉积设备和合金薄膜沉积方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410971224.0
    本申请公开了一种离子束沉积设备及合金薄膜沉积方法，涉及合金制备技术领域，首先根据预沉积的合金薄膜的厚度、合金薄膜中各合金元素的比例和各合金元素的沉积速率，计算得到各合金元素的溅射时间，继而，控制第一离子源产生第一离子束，并控制第一载台旋转，...
    2026-03-10
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