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最新专利技术
  • 用于制造显示面板的装置和方法
    用于制造显示面板的装置和方法_三星显示有限公司_202510935842.4
    公开了一种用于制造显示面板的装置和制造显示面板的方法，所述装置包括：支撑部，其上安装有显示基底；掩模构件，设置在支撑构件的前表面上，并且限定与激光的透射区域对应的第一开口；支撑构件，设置在显示基底上，并且限定多个第二开口，多个第二开口分别形...
    2026-04-28
  • 一种提高Mini LED显示墨色一致性的方法
    一种提高Mini LED显示墨色一致性的方法_山西星心半导体科技有限公司_202511495098.7
    本发明涉及Mini LED封装技术领域，具体涉及一种提高Mini LED显示墨色一致性的方法，提供已完成灯面和驱焊接的PCB板，所述PCB板上设置有阻焊油墨层及LED芯片；包括如下步骤：S1：在阻焊油墨层的表面覆盖一层黑墨色成形环氧胶固化；...
    2026-04-28
  • 一种显示基板、显示装置及像素驱动方法
    一种显示基板、显示装置及像素驱动方法_京东方科技集团股份有限公司_202410866609.0
    本发明提供了一种显示基板、显示装置及像素驱动方法，其中，所述显示基板包括基底以及位于所述基底上的至少两个发光像素；各个所述发光像素包括至少两个发光子像素，各个所述发光子像素包括依次背离所述基底设置的第一电极层、外延层和第二电极层；所述外延层...
    2026-04-28
  • 一种大角度倒装晶片、模组及其封装方法
    一种大角度倒装晶片、模组及其封装方法_深圳市佑明光电有限公司_202511453314.1
    本发明属于LED技术领域，具体涉及一种大角度倒装晶片，所述倒装晶片包括GaN层及蓝宝石层；所述蓝宝石层的上表面的局部区域或全部区域通过刻蚀形成凹槽；所述凹槽上覆盖有反射薄膜；还涉及一种倒装晶片模组及其封装方法；本申请具有结构简单、适用范围广...
    2026-04-28
  • 灯板结构、显示装置和灯板结构的成型方法
    灯板结构、显示装置和灯板结构的成型方法_深圳创维显示科技有限公司_202511660331.2
    本发明公开了一种灯板结构、显示装置和灯板结构的成型方法，涉及LED灯技术领域，其中，灯板结构包括电路板、发光晶片、环形支架和荧光部。电路板具有电连接侧端。发光晶片设于电路板的电连接侧端。环形支架设于电路板的电连接侧端，且环绕发光晶片设置，环...
    2026-04-28
  • 一种ADS标志灯LED
    一种ADS标志灯LED_江苏稳润光电有限公司_202511396416.4
    本发明涉及一种ADS标志灯LED，包括支架、芯片、键合线、封装胶，支架上设有碗杯，碗杯底部设有功能区，芯片位于支架碗杯内，芯片电极通过键合线与底部功能区连接；芯片包括至少一颗紫光LED芯片，紫光LED芯片的主波长为400‑410nm，封装胶...
    2026-04-28
  • 一种倒装LED芯片及其制备方法
    一种倒装LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511275495.3
    本发明涉及LED的技术领域，本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，所述倒装LED芯片包括依次层叠的衬底和外延层，外延层上设置有电流阻挡层、透明导电层、N型电极、P型电极和钝化层，透明导电层覆盖所述电流阻挡层，钝化层设置于透明导电层上，...
    2026-04-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411509659.X
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一基板、一半导体复合层及一金属电极结构。半导体复合层设置于基板上，金属电极结构设置于半导体复合层上，其包含一金属焊垫层、一金属阻挡层及一金属叠层。金属阻挡层具有一特定厚度用于阻挡金属叠...
    2026-04-28
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511586797.2
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一绝缘层、透明导电层、第一插入层、第一电极、第二电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一绝缘层覆盖部分第二半导体层，透明导电层覆盖第一绝...
    2026-04-28
  • 一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件
    一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511562183.0
    本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件。该半导体外延结构包括依次设置的衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，p型半导体层包括第一p型氮化物层，其沿远离发光层的方向设置有至少一个P型势垒层，P型势垒层包括沿远离发光层的方向依...
    2026-04-28
  • 一种LED外延片用切割方法
    一种LED外延片用切割方法_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202511924303.7
    本发明公开了一种LED外延片用切割方法，涉及晶圆切割技术领域，包括：将长链共聚物两性缓冲树脂作为A组分，氨基功能化金属螯合捕获剂作为B组分，混合配制成保护液；将保护液涂覆于LED外延片表面，形成液膜；对液膜进行烘烤，使液膜中的溶剂和挥发性组...
    2026-04-28
  • 一种氮化物外延片及其制备方法和应用
    一种氮化物外延片及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511562186.4
    本发明提供一种氮化物外延片及其制备方法和应用。该方法包括：在衬底上依次制备N型氮化物层与有源层；在通入包含活性元素的表面活性剂的条件下，在有源层上生长p型氮化物前层；p型氮化物前层包含不同的活性元素、第一及第二掺杂元素；在停止通入表面活性剂...
    2026-04-28
  • 一种高质量、低残余应力的AlN模板及其制备方法
    一种高质量、低残余应力的AlN模板及其制备方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202511273853.7
    本申请涉及一种高质量、低残余应力的AlN模板及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：步骤1、对蓝宝石衬底进行Ar离子注入得到蓝宝石衬底中间体；Ar离子注入包括：通入Ar22的气体体积流量为10~100sccm；步骤2、在蓝...
    2026-04-28
  • 一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511907504.6
    本发明适用于光伏技术领域，提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，太阳能电池包括：硅片，硅片包括背面和正面；设置于背面的第一掺杂层；设于第一掺杂层上的第一钝化层，第一钝化层开设有第一导电窗口；第一电极，穿过第一导电窗口并与第一掺杂层接触；第...
    2026-04-28
  • 太阳能电池和太阳能电池的制备方法
    太阳能电池和太阳能电池的制备方法_天合光能股份有限公司_202511622648.7
    本申请涉及一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法。所述方法包括：该太阳能电池包括硅基体和设置于硅基体沿厚度方向一侧的第一表面，其中，第一表面包括金属区域和非金属区域，金属区域对应的第一绒面区为第一金字塔结构，非金属区域对应的第二绒面区为第二金...
    2026-04-28
  • 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511699822.8
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统，太阳能电池包括电池本体；电池本体包括相对的背光面和向光面；背光面设有若干细栅；向光面设有保护层；保护层设有若干胶条，相邻两个胶条的线间距为0.75mm‑6...
    2026-04-28
  • 光伏电池及其制造方法以及光伏组件
    光伏电池及其制造方法以及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511668214.0
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法以及光伏组件，可以提高光伏电池的光电转换效率。光伏电池包括：位于电池片的侧面的钝化层，钝化层的材料包括金属氧化物；钝化层包括第一子钝化层、第二子钝化层和第三子钝化层，第一子钝化层位于侧面...
    2026-04-28
  • 一种多结太阳能电池抗反射膜层及其制备方法
    一种多结太阳能电池抗反射膜层及其制备方法_无锡华兴光电研究有限公司_202511644778.0
    本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种多结太阳能电池抗反射膜层及其制备方法。本发明提供的多结太阳能电池抗反射膜层包括依次层叠设置的低折射率非晶碳层、中折射率非晶碳层和高折射率非晶碳层；所述低折射率非晶碳层的折射率为1.7~1.9，光学厚...
    2026-04-28
  • 背接触电池及其制备方法、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511612510.9
    本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池领域，背接触电池包括：硅基体；第一载流子收集层，具有第一导电类型；第二载流子收集层，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；钝化减反层，设在所述硅基体的正面和侧面；和...
    2026-04-28
  • TOPCon电池的层结构、钝化膜结构及其制备方法
    TOPCon电池的层结构、钝化膜结构及其制备方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511051619.X
    本发明提供TOPCon电池的层结构、钝化膜结构及其制备方法，涉及TOPCon电池制备技术领域，包括硅基底，所述碳基底的上表面设置有正面硼扩散层，所述正面硼扩散层的上表面设置有正面氧化硅钝化层，所述正面氧化硅钝化层的上表面设置有正面氧化铝层，...
    2026-04-28
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