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最新专利技术
  • 通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料
    通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料_六号元素技术有限公司_202511470671.9
    本申请公开了一种通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料。该材料包含通过二次离子质谱法(SIMS)测量的至少3 ppm的总氮浓度；和低的光学双折射，使得 : 在具有至少1.3 mm×1.3 mm面积的该单晶CVD金刚石材料的样品中，并且使用在1...
    2026-03-25
  • 一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法
    一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法_绍兴晶彩科技有限公司_202511617241.5
    一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本方法：一、采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶和粘合剂；二...
    2026-03-25
  • 一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法
    一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法_绍兴晶彩科技有限公司_202511617240.0
    一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及高纯半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本发明的方法：采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶...
    2026-03-25
  • 一种低翘曲外延片结构及其制备方法
    一种低翘曲外延片结构及其制备方法_南京百识电子科技有限公司_202511913098.4
    本申请公开了一种低翘曲外延片结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本申请于垂直式CVD反应腔中，通过自下而上在衬底上依次沉积堆叠形成第一缓冲层、阻障层、第二缓冲层以及外延漂移层，制得了一种低翘曲外延片结构。通过控制原料气体种类、衬底偏角...
    2026-03-25
  • 基于(-310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法
    基于(-310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法_南京大学_202511528630.0
    本发明公开了一种基于(‑310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法，其步骤包括：(1)将(‑310)面Ga22O33单晶薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛下进行部分氮化或全部氮化，以在Ga22O33单晶薄膜表面形成多孔半极性GaN层；...
    2026-03-25
  • 碳化钽涂层及其制备方法
    碳化钽涂层及其制备方法_湖南金博碳基材料研究院有限公司_202511443592.9
    本申请涉及一种碳化钽涂层及其制备方法。该方法包括如下步骤：在酸性条件下，采用过氧化氢对基板进行处理，以在所述基板表面接枝含氧官能团，制备第一预处理基板；将金属盐溶液转移至所述第一预处理基板表面，干燥后进行焙烧处理，以在所述第一预处理基板表面...
    2026-03-25
  • 一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用
    一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用_清华大学深圳国际研究生院_202511400818.7
    本发明公开了一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用。涉及二维半导体材料领域。二维菱方相二硫化钼材料的制备方法，包括以下步骤：以硫源和钼源为原料，在表面具有周期性凹形结构的M面蓝宝石衬底上进行化学气相沉积反应；上述周期性凹形结构的M面蓝...
    2026-03-25
  • 一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用
    一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用_清华大学深圳国际研究生院_202511381015.1
    本发明公开了一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用，属于二维半导体材料制备技术领域。一种制备二维应变超晶格材料的方法：S1.将单晶氧化铝衬底先在空气氛围下进行热处理后再在硫蒸汽氛围下进行热处理获得具有硫钝化的表面结构；S2.将过渡金属元素...
    2026-03-25
  • 一种分子束外延生长温度的升温控制方法
    一种分子束外延生长温度的升温控制方法_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511521803.6
    本发明提供一种分子束外延生长温度的升温控制方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：根据预先获得的满功率升温时的过冲比与热电偶温度变化量之间的对应关系，计算第一目标温度T2, 12, 1，满功率将衬底温度从T11升温至T2, 12, 1；选...
    2026-03-25
  • 用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法
    用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法_江苏汉印机电科技股份有限公司_202511280701.X
    本发明公开了用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法，本发明涉及薄膜材料生长技术领域，解决了功率调节未设置超限保护，可能引发石墨基座热变形；且功率与气体流量调节不同步，无法协同抵消温度偏差导致的C/Si比失衡的技术问题，本发明通过创新采用...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅外延生长系统
    一种碳化硅外延生长系统_河北普兴电子科技股份有限公司_202511549089.1
    本发明提供一种碳化硅外延生长系统，涉及碳化硅外延技术领域。该系统包括承片盘、掺杂检测模块、分区进气模块和掺杂控制模块；承片盘用于承载碳化硅晶圆；掺杂检测模块实时采集晶圆边缘与晶圆中心外延层的掺杂浓度；分区进气模块包括边缘进气通道与中心进气通...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用
    一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用_季华实验室_202511898350.9
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用，碳化硅厚膜的外延生长方法包括以下步骤：以第一生长速率在衬底的第一面生长至第一厚度；进行第一原位退火；以第二生长速率继续生长至目标厚度；进行第二原位退火。本发明在目标碳...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅外延生长设备
    一种碳化硅外延生长设备_河北普兴电子科技股份有限公司_202511576094.1
    本发明提供一种碳化硅外延生长设备，涉及碳化硅外延技术领域。本发明通过设置两个托盘，不同掺杂类型生长时，采用不同的托盘，避免托盘交叉使用，避免掺杂交叉污染。两独立的暂存腔分别存放不同的托盘，避免托盘存放时的交叉污染。两次不同掺杂类型的碳化硅外...
    2026-03-25
  • 一种高温束源炉真空内坩埚的位置调整机构
    一种高温束源炉真空内坩埚的位置调整机构_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511416679.7
    本发明属于MBE分子束外延设备技术领域，具体地说是一种高温束源炉真空内坩埚的位置调整机构，壳体的一端通过法兰与源炉腔体密封连接，驱动螺杆转动安装于壳体另一端的内部，驱动螺杆的一端与联轴器相连、另一端与连接杆的一端在壳体内螺纹连接，连接杆的另...
    2026-03-25
  • 半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法
    半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法_富芯晶圆制造(深圳)有限公司_202511764848.6
    本发明涉及一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，涉及半导体材料制备技术领域，该半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长腔室、设置在生长腔室上部的籽晶固定结构以及设置在生长腔室下部的原料容纳区，还包括排气阻隔部，排气阻隔部设置在原料容纳区中，排气...
    2026-03-25
  • 一种稀土石榴石薄膜位错预防与控制方法
    一种稀土石榴石薄膜位错预防与控制方法_森一量子科技(厦门)有限公司_202511924198.7
    本发明涉及一种稀土石榴石薄膜位错预防与控制方法，包含以下步骤：采用改进型米字形定点检测法的要求进行布置测试点；记录每个测试点的不同种类位错的个数进行统计，最终确定基片的位错总数和观测视场位错数量峰值；进行基片筛选与评级。本发明采用的改进型米...
    2026-03-25
  • 一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构
    一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构_山东国镓晶谷半导体科技有限公司_202511544613.6
    本发明公开了一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构，属于氧化镓制备技术领域，包括主炉体、提拉组件、反射组件、监测组件、冷却组件和电控组件，反射组件通过活动框架随籽晶同步升降，反射阵列始终位于晶体对侧，实现晶体背面连续反射成像，保证每个反射...
    2026-03-25
  • 单晶炉集控系统及方法
    单晶炉集控系统及方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511626238.X
    一种单晶炉集控系统，包括：集控服务器，及与集控服务器通信连接的本地工控机服务器；集控服务器，包括：数据存储模块、数据获取模块及数据处理模块。一种单晶炉集控方法，包括以下步骤：S0、获取监测点当前数据；S1、将监测点当前数据与第一判断标准进行...
    2026-03-25
  • 单晶炉用冷却水稳压控制装置及冷却水循环系统
    单晶炉用冷却水稳压控制装置及冷却水循环系统_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511533711.X
    该发明提供一种单晶炉用冷却水稳压控制装置，包括稳压调节阀、控制器和流量传感器，稳压调节阀和流量传感器依次安装在连接单晶炉的进水管上，控制器分别与稳压调节阀和流量传感器电性连接，控制器接收流量传感器的信号，获取该进水管中的当前水流量值，并根据...
    2026-03-25
  • 降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法
    降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511515002.9
    本发明提供降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法，涉及大尺寸直拉单晶技术领域，在拉晶过程中，通过在放肩后期降低坩埚转速及降低加热功率降低幅度，以预先形成一个设定的空位型点缺陷区域，然后在等径前期增加坩埚转速及增加加热功率降低幅度；以在放肩后期从“...
    2026-03-25
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