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最新专利技术
  • 一种半导体刻蚀设备
    一种半导体刻蚀设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511453052.9
    本发明公开了一种半导体刻蚀设备，包括工艺腔室、下电极腔室、升降机构和晶圆边缘压环。升降机构包括密封腔、导杆组件、支撑组件、驱动组件、导向组件。密封腔连接于下电极腔室的外壁，二者内部空间连通。所述导杆组件上下两端分别与驱动组件与支撑组件连接，...
    2026-02-25
  • 一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备
    一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511350244.7
    本发明公开了一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备，包括刻蚀腔室、匀气盘、线圈壳体和匀气盘冷却结构。刻蚀腔室用于容纳晶圆并发生等离子体刻蚀反应；匀气盘设置在刻蚀腔室上端，用于向刻蚀腔室输送反应气体；线圈壳体设置在匀气盘上端，用于容纳线圈；匀气盘冷...
    2026-02-25
  • 半导体加工设备
    半导体加工设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511286397.X
    本申请提供一种半导体加工设备，涉及半导体加工技术领域，用于解决相关技术中等离子体分布不均匀的问题，该半导体加工设备包括：等离子体腔室、环形柱状结构和调节机构，等离子体腔室内生成有处理待加工件的等离子体；环形柱状结构环绕于等离子体腔室的外周，...
    2026-02-25
  • 一种刻蚀装置和刻蚀方法
    一种刻蚀装置和刻蚀方法_中国科学院微电子研究所_202511135421.X
    本发明公开一种刻蚀装置和刻蚀方法，涉及工艺制造技术领域，以提高刻蚀装置对待刻蚀对象的刻蚀精度和刻蚀均匀性，提高刻蚀良率。刻蚀装置包括反应腔室、阻挡结构、等离子体激发源、供气结构和支撑结构。阻挡结构设置在反应腔室内，用于将反应腔室分隔为上腔室...
    2026-02-25
  • 非接触式测量物体间距离的方法和系统
    非接触式测量物体间距离的方法和系统_上海集迦电子科技有限公司_202510298725.1
    提供了一种用于非接触式精准测量相对于邻近物体的位置的系统和方法。所述系统包括工件、至少一低高度组件和一中央控制单元；所述低高度组件包括指向第一方向并大致平行于工件表面的主轴，所述主轴与所述邻近物体的内表面相交；所述低高度组件还包括至少一投影...
    2026-02-25
  • 用于半导工艺设备的射频系统的控制方法
    用于半导工艺设备的射频系统的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410939134.3
    本发明提供一种用于半导工艺设备的射频系统的控制方法，包括：在电源的第一输出功率下，完成阻抗匹配，获取匹配器的第一匹配状态；调节电源至第二输出功率，完成阻抗匹配，获取匹配器的第二匹配状态；比较匹配器在第一匹配状态下和第二匹配状态下的参数变化；...
    2026-02-25
  • 一种半导体刻蚀设备及其控制方法
    一种半导体刻蚀设备及其控制方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410920069.X
    本申请提供一种半导体刻蚀设备及其控制方法，半导体刻蚀设备包括栅网和至少一个电磁线圈；栅网包括多个网孔，离子束可以通过栅网的网孔进行引出。电磁线圈围绕至少一个网孔或多个网孔环绕电磁线圈，至少一个电磁线圈用于提供目标形状和目标强度的磁场，以利用...
    2026-02-25
  • 一种半导体刻蚀设备及其控制方法
    一种半导体刻蚀设备及其控制方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410918893.1
    本申请提供一种半导体刻蚀设备及其控制方法，半导体刻蚀设备包括离子源腔。离子源腔设置有电磁铁阵列结构，电磁铁阵列结构包括多个电磁铁单元以及支撑结构，多个电磁铁单元设置于所述支撑结构上。电磁铁阵列结构用于提供目标形状和目标强度的磁场，以利用目标...
    2026-02-25
  • 管路清理装置、半导体工艺设备和尾排管路清理方法
    管路清理装置、半导体工艺设备和尾排管路清理方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410917789.0
    本发明提供了一种管路清理装置、半导体工艺设备和尾排管路清理方法，涉及半导体加工技术领域，以解决尾排管路内附着副产物的问题。管路清理装置，应用于半导体工艺设备，管路清理装置包括电离组件以及气体输入组件，电离组件包括相对设置且相互之间绝缘设置的...
    2026-02-25
  • 一种高能离子注入机及方法
    一种高能离子注入机及方法_中国科学院近代物理研究所_202511773620.3
    本发明涉及一种高能离子注入机及方法，包括ECR离子源、分析磁铁、RFQ场加速器、多级加速单元阵列、能量分析磁铁、第一聚焦四极透镜、电扫描装置和平行化透镜；ECR离子源用于得到多电荷态混合离子束流；分析磁铁用于获得单一电荷态离子束流；RFQ场...
    2026-02-25
  • 扫描电镜
    扫描电镜_深圳市中图仪器股份有限公司_202511639051.3
    本申请涉及扫描电镜技术领域，更具体的说是涉及一种扫描电镜，包括安装架、电镜主体、抽真空机构、转接头、减振机构以及真空管结构，电镜主体包括镜筒和样品仓，抽真空机构用于对镜筒和样品仓同步抽真空；减振机构设置于安装架和电镜主体之间；转接头包括转接...
    2026-02-25
  • 自适应驻留时间显微镜
    自适应驻留时间显微镜_FEI公司_202510921715.9
    一种显微镜的自适应像素驻留时间使用方法包括：控制束源发射的射束按照扫描模式在样品表面进行扫描，使得所述射束可根据所述扫描模式在第一扫描位置与样品发生相互作用。在一些例子中，所述方法包括通过至少使用显微镜的检测器监测与样品的第一扫描位置相关的...
    2026-02-25
  • 一种芯片检测扫描电镜
    一种芯片检测扫描电镜_芯火微测(成都)科技有限公司_202511892073.0
    本发明公开了一种芯片检测扫描电镜，包括壳体，壳体内沿竖向设置有扫描电子显微镜装置、样品台，壳体内还倾斜设置有聚焦离子束装置，样品台包括底座以及可摆动地设置在底座上的第一平台，底座上设置有用于驱动第一平台发生偏转的偏转装置，底座上设置有连接座...
    2026-02-25
  • 具有场效应发射极的改进的X射线管
    具有场效应发射极的改进的X射线管_西门子医疗股份公司_202510951644.7
    一种X射线管，具有管体，管体气密地包围管容积。在管容积内设置有发射电极、栅电极和阳极。发射电极构成为不加热的电极，其在朝向栅电极的区域中具有多个设置在基底上的发射极针。发射极针和栅电极的设置相互匹配，使得通过在发射电极与栅电极之间施加发射电...
    2026-02-25
  • X射线管
    X射线管_佳能电子管器件株式会社_202510825084.0
    本发明实施方式所涉及的X射线管包括：外围器；输出窗，该输出窗呈板状，设置于所述外围器的端部；靶，该靶设置在所述外围器的内部，与所述输出窗相对；聚焦电极，该聚焦电极设置在所述外围器的内部，呈筒状，并包围所述靶；以及灯丝，该灯丝设置在所述外围器...
    2026-02-25
  • 离子泵放电气室以及离子泵新结构
    离子泵放电气室以及离子泵新结构_中国科学院电工研究所_202511375476.8
    本申请公开了一种离子泵放电气室以及离子泵新结构，涉及真空器件技术领域，离子泵放电气室，包括：阴极板与负极供电端连接，阳极筒与正极供电端连接，按照预设方向施加磁场；阴极板和阳极筒组成多个气室，气室结构为多边形，多个气室相邻以使各气室间无间隙。...
    2026-02-25
  • 一种宽带超辐射返波管轴向能量提取结构
    一种宽带超辐射返波管轴向能量提取结构_电子科技大学_202511384987.6
    本发明公开了一种宽带超辐射返波管轴向能量提取结构，属于高功率微波源领域。该能量提取结构包括依次连接的同轴TM0n‑TEM混合模式转换器、混合模移相器、支撑杆加载同轴波导；当TM01波进入同轴TM0n‑TEM混合模式转换器，部分TM01模转换...
    2026-02-25
  • 一种互作用长度缩短的慢波结构
    一种互作用长度缩短的慢波结构_电子科技大学_202511283205.X
    本发明公开了一种互作用长度缩短的慢波结构采用折叠级联设计，将传统慢波结构的单段放大过程分解为多个连续级联的放大级即子慢波结构，每级均配备独立的电子束进行驱动，前级的输出信号直接馈入后级作为输入，以此实现信号的逐级传递与放大，从而实现高效率的...
    2026-02-25
  • 一种基于化学机械抛光的微纳空气沟道晶体管及其制备方法
    一种基于化学机械抛光的微纳空气沟道晶体管及其制备方法_电子科技大学_202511226153.2
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于化学机械抛光的微纳空气沟道晶体管及其制备方法，采用普通紫外光刻结合化学机械抛光与牺牲层释放工艺，实现亚微米级空气沟道的低成本、高精度批量制造；同时兼容金属、半导体等多种阴极材料，通过多层材料堆叠...
    2026-02-25
  • 熔断器
    熔断器_浙江正泰电器股份有限公司_202511636837.X
    本发明的熔断器，指示组件的第一熔丝连接于第一指示件和熔断器壳之间，限制第一指示件保持在克服第一弹性件的作用力的状态，通过第一熔丝熔断释放第一指示件以驱动第一指示件切换至指示状态实现指示功能，且由于第一熔丝熔点远低于熔片熔断时产生的温度，第一...
    2026-02-25
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