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最新专利技术
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411370121.5
    本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：衬底、栅极结构以及导电插塞。栅极结构形成于衬底内，且包括导电层及绝缘盖层。导电层具有第一部及自第一部的上表面沿垂直方向延伸的第二部，使第一部的上表面与第二部的上表面之间形成段差...
    2026-01-22
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511581123.3
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供第一介质层；第一介质层中形成有多个第一互连结构；在第一介质层上形成第二介质层；形成穿过第一介质层并延伸至第二介质层中的第一开口；第一开口位于沿着第一方向相邻的第一互...
    2026-01-22
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411090583.1
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。其中半导体结构包括基底、电容器结构、层间介电层、接点、保护层以及导电孔。电容器结构设置于基底中。层间介电层设置于基底上且暴露出部分的电容器结构。接点设置于层间介电层中且与电容器结构电连接。保护层设置于层...
    2026-01-22
  • 一种蝶形硅通孔结构
    一种蝶形硅通孔结构_成都信息工程大学_202511854117.0
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种蝶形硅通孔结构，包括上底面半径尺寸大于下底面半径尺寸且下底面相连的第一锥形硅通孔结构和第二锥形硅通孔结构，第一锥形硅通孔结构与第二锥形硅通孔结构中，设置由内到外的内部中心金属导体层、二氧化硅第一环层、...
    2026-01-22
  • 一种多孔径TSV转接板及其制造方法
    一种多孔径TSV转接板及其制造方法_中国电子科技集团公司第十四研究所_202511520759.7
    本发明公开了一种多孔径TSV转接板的制造方法，涉及半导体领域，包括：在硅基板上表面形成TSV光刻胶掩膜结构；在硅基板上特定设计区域形成未贯穿硅基板的TSV孔径结构，包括TSV第一孔径结构和TSV第二孔径结构；在TSV第一孔径结构和TSV第二...
    2026-01-22
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410890050.5
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有粘附层、刻蚀停止层、第一介质层以及贯穿所述第一介质层、刻蚀停止层和粘附层并延伸至所述半导体衬底中的硅通孔结构；填充层，位于所述硅通孔结构侧壁的...
    2026-01-22
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411459542.5
    本发明提供一种半导体元件，包括基板、单元结构、第一间隔结构、第二间隔结构、位元线结构、着陆垫、以及保护层。单元结构包含第一单元结构以及第二单元结构，并且位元线结构经由第一间隔结构与第一单元结构分隔，以及经由第二间隔结构与第二单元结构，其中所...
    2026-01-22
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_南亚科技股份有限公司_202411616612.3
    本发明提供一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤。提供基板，在基板中形成沟槽，其中主动区从基板突出并且主动区具有第一宽度。在主动区和沟槽的侧壁上形成薄硅层。通过提供氧气气流在薄硅层上形成第一氧化物层，其中在400℃至600℃的温度范围内...
    2026-01-22
  • 基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路实现方法
    基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路实现方法_天津大学_202511224546.X
    本发明公开了基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路实现方法，基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路，通过蚀刻工艺实现SOI悬置结构，在悬置SOI晶圆中实现电路的悬置，悬置SOI晶圆从上到下依次为顶层、埋氧化层以及...
    2026-01-22
  • 深沟槽隔离结构的形成方法
    深沟槽隔离结构的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394014.0
    本发明提供了一种深沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供SOI，SOI包括依次沿着第一方向堆叠设置的底层硅、埋氧层和顶层硅；在顶层硅的表面形成图案化的硬掩膜层；在顶层硅内形成多个沿着第二方向间隔设置的第一深沟槽和多个沿着第二方向间隔设置的硅柱，...
    2026-01-22
  • 降低栅氧界面态的栅氧退火方法
    降低栅氧界面态的栅氧退火方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511352056.8
    本发明提供一种降低栅氧界面态的栅氧退火方法，该方法旨在解决薄氮氧化硅栅介质界面态密度高的问题。该方法包括：在氮气气氛下对经过氮化处理的栅氧化层进行第一退火处理；然后在该第一退火处理之后，原位地在纯氧气氛下对该栅氧化层进行再氧化处理。通过该原...
    2026-01-22
  • 晶圆形变控制结构、晶圆预对准装置及方法
    晶圆形变控制结构、晶圆预对准装置及方法_新毅东(北京)科技有限公司_202511470680.8
    本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆形变控制结构、晶圆预对准装置及方法，晶圆形变控制结构包括第一吸附盘、气盘、气体控制系统以及检测模块；气盘水平设置在第一吸附盘上方，第一吸附盘用于吸附晶圆中部；气盘表面设置有开口朝向晶圆的真空抽吸...
    2026-01-22
  • 基于局部导电银胶涂覆的放电测试降噪重力式分选导轨
    基于局部导电银胶涂覆的放电测试降噪重力式分选导轨_福州大学_202511503960.4
    本申请涉及基于局部导电银胶涂覆的放电测试降噪重力式分选导轨，涉及导轨的技术领域，其包括导轨本体和落料调节装置。本申请通过在落料导槽内部设置涂覆绝缘层，因涂覆绝缘层通过高导热电固化银胶所制成，可在接触区域形成厚度的连续导电层，边缘区域渐变收薄...
    2026-01-22
  • 一种用于MoSi基光罩基板的平坦化方法
    一种用于MoSi基光罩基板的平坦化方法_绍兴芯链半导体科技有限公司_202511545096.4
    本发明涉及一种用于MoSi基光罩基板的平坦化方法。该方法包括以下步骤 : 提供MoSi基光罩基板；或者，提供光罩基板，在所述光罩基板上沉积MoSi薄膜，以形成所述MoSi基光罩基板；对所述MoSi基光罩基板进行初步平坦化处理，得到一次抛光M...
    2026-01-22
  • 圆孔阵列图形的形成方法、半导体结构和半导体工艺设备
    圆孔阵列图形的形成方法、半导体结构和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511203657.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种圆孔阵列图形的形成方法、半导体结构和半导体工艺设备。所提供的圆孔阵列图形的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层上的图形化的形貌修饰层，所述形貌修饰层具有多边形孔阵...
    2026-01-22
  • 图形化方法、半导体器件和半导体工艺设备
    图形化方法、半导体器件和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511292706.4
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种图形化方法、半导体器件和半导体工艺设备。所提供的图形化方法，包括：在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层和图形化的直写光刻胶层；以图形化的直写光刻胶层为掩膜，刻蚀部分硬掩膜层，形成部分图形化的硬掩膜层；而...
    2026-01-22
  • 用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置
    用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511851120.7
    本披露公开了一种用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置，该方法包括：在待检测晶圆中查找出符合设计规则的多个第一晶粒；从所述多个第一晶粒中筛选出无缺陷的多个第二晶粒；基于所述多个第二晶粒中每个单元的灰度值，确定标准晶粒中每个标准单元的标准灰度值；...
    2026-01-22
  • 一种堆叠结构的可靠性检测方法
    一种堆叠结构的可靠性检测方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511432103.X
    本发明的堆叠结构的可靠性检测方法首先提供第二晶圆，第二晶圆设置有线路层。然后提供第一晶圆，将第一晶圆键合于第二晶圆上，以形成堆叠结构，其中，第一晶圆远离第二晶圆的一侧设置有第一金属层，第一金属层与线路层之间设置有TSV结构。接下来于堆叠结构...
    2026-01-22
  • MBE过程中纳米线掺杂的原位监测方法及装置
    MBE过程中纳米线掺杂的原位监测方法及装置_海南大学_202511416681.4
    本申请提供了一种MBE过程中纳米线掺杂的原位监测方法及装置，包括：获取在MBE生长过程中不同掺杂温度条件下纳米线的角分辨反射率信息及掺杂浓度，形成数据集；建立模型，并根据数据集对模型进行训练，得到掺杂浓度预测模型；掺杂浓度预测模型用于描述掺...
    2026-01-22
  • 一种外延电阻率监控片及其制备方法
    一种外延电阻率监控片及其制备方法_西安微电子技术研究所_202511414116.4
    本发明公开了一种外延电阻率监控片及其制备方法，采用固态硼源片在湿氧环境下反应生成偏硼酸，偏硼酸扩散至硅衬底表面并形成薄层硼硅玻璃，其分解产生的硼原子均匀扩散进入硅衬底晶格，实现P型浓硼掺杂；依次去除硼硅玻璃与污染物，对硅衬底进行干氧环境硼掺...
    2026-01-22
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