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最新专利技术
  • 一种电化学制备碱式氯化镁晶须的方法
    一种电化学制备碱式氯化镁晶须的方法_青海大学_202511717401.3
    本发明公开了一种电化学制备碱式氯化镁晶须的方法，属于镁盐晶须制备技术领域。该方法以镁盐溶液为阳极液、氯化镁溶液为阴极液，采用阳离子交换膜分隔阳极室与阴极室，石墨电极为阳极，铂或铜电极为阴极，构建隔膜电解系统。通入直流电后，在阴极室生成阴极乳...
    2026-03-17
  • 大面积CsPbBr3单晶薄膜及其制备方法和应用
    大面积CsPbBr3单晶薄膜及其制备方法和应用_南方科技大学_202511460437.8
    本发明提供一种大面积CsPbBr3单晶薄膜及其制备方法和应用，制备步骤为：S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨均匀，于惰性气体气氛中煅烧得混合物；S2、混合物置于管式炉的上游区，基片置于管式炉的下游区，抽真空后，持续通入惰性气体使混合物反...
    2026-03-17
  • 一种在具有倾斜角的六方碳化硅衬底上生长氧化镓薄膜的方法
    一种在具有倾斜角的六方碳化硅衬底上生长氧化镓薄膜的方法_厦门大学_202511455159.7
    一种在具有倾斜角的六方碳化硅衬底上生长氧化镓薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备领域。六方碳化硅衬底选择(0001)晶向且朝向(11‑20)晶向具有2°~6°倾斜角，最优为4°倾斜角；对六方碳化硅衬底表面进行预处理清洗，然后转入分子束外延生长系统...
    2026-03-17
  • 一种氮化物薄膜及半导体器件
    一种氮化物薄膜及半导体器件_苏州大学_202511408532.3
    本发明公开了一种氮化物薄膜，所述氮化物薄膜为在石墨烯上远程外延生长得到，所述石墨烯覆盖在衬底上，所述石墨烯与衬底之间的相对转角为0±0.1°。本发明的氮化物薄膜，通过控制石墨烯与衬底之间的相对转角为0±0.1°，增强二者之间的相互作用，从而...
    2026-03-17
  • 一种无转角石墨烯的转移方法
    一种无转角石墨烯的转移方法_苏州大学_202511408332.8
    本发明公开了一种无转角石墨烯的转移方法，用于将石墨烯转移至衬底上，确保衬底的晶体结构中m面和石墨烯的晶体结构中m面相互平行，包括如下步骤：以衬底的m面边缘作为定位参考，在衬底上刻蚀形成晶向基准标记；识别石墨烯的边缘，以石墨烯的m面边缘作为定...
    2026-03-17
  • 氮化物薄膜的远程外延方法
    氮化物薄膜的远程外延方法_苏州大学_202511408326.2
    本发明公开了一种氮化物薄膜的远程外延方法，包括如下步骤：将石墨烯覆盖到衬底上，保证石墨烯与衬底之间的相对转角为0±0.1°；在石墨烯上远程外延生长氮化物薄膜；所述衬底的晶体结构中具有a面，所述石墨烯的晶体结构中具有a面，二者的a面相互平行时...
    2026-03-17
  • 用于分子束外延的衬底固定及支撑装置及方法
    用于分子束外延的衬底固定及支撑装置及方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511576969.8
    本发明提出了一种用于分子束外延的衬底固定及支撑装置及方法，装置包括：夹具，多层支撑载具，连接柱；夹具为圆形，其正面有用于配合放置衬底的凹槽；支撑载具每层整体为圆形，用于布置夹具，多层支撑载具在对应的一处位置进行开口；连接柱用于连接所述多层支...
    2026-03-17
  • 一种加热系统以及金属有机化学气相沉积设备
    一种加热系统以及金属有机化学气相沉积设备_南昌大学_202511382245.X
    本申请实施例提供一种加热系统以及金属有机化学气相沉积设备，所述加热系统包括：加热器，包括加热炉丝；石英筒，用于包裹所述加热器；热隔离部件，设置在所述石英筒与所述加热炉丝之间的热传递路径上且设置在所述石英筒靠近所述加热炉丝的一端；石墨板，为圆...
    2026-03-17
  • 一种外延设备用组合式反应室腔盖
    一种外延设备用组合式反应室腔盖_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511694064.0
    本发明公开了一种外延设备用组合式反应室腔盖，包括腔盖主体，所述腔盖主体包括可拆卸连接的腔内盖和腔外盖，所述腔内盖与腔外盖的连接处、以及腔内盖与外延设备反应室的连接处均设有多级密封部件，并设有压力监测部件，以实时监测腔内盖与腔外盖之间、腔内盖...
    2026-03-17
  • 反应室组件
    反应室组件_LPE公司_202510920929.4
    一种用于在至少两个衬底上外延沉积半导体膜的反应器的反应室组件，包括：(a)外壳，(b)包含在所述外壳内的至少两个壳体，(c)至少两个沉积单元，以及(d)隔热系统。每个壳体包含至少一个沉积单元。每个沉积单元设置有至少一个接收区域，其适于接收衬...
    2026-03-17
  • 晶圆级超平整叠层单晶氮化硼薄膜的制备方法
    晶圆级超平整叠层单晶氮化硼薄膜的制备方法_北京大学_202511579759.4
    本发明公开了晶圆级超平整叠层单晶氮化硼薄膜的制备方法，属于二维材料制备领域。本发明提供的晶圆级叠层单晶氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)在晶圆级单层单晶氮化硼晶圆上旋涂高分子转移媒介，然后刻蚀掉所述晶圆级单层单晶氮化硼晶圆上的铜镍合...
    2026-03-17
  • 一种低饱和磁场石榴石单晶薄膜及其制备方法
    一种低饱和磁场石榴石单晶薄膜及其制备方法_成都飞锐特科技有限公司_202511522204.6
    本发明提供了一种低饱和磁场石榴石单晶薄膜及其制备方法。所述方法包括：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料，Bi2O3‑K2CO3为助熔剂，进行混合、熔料，得到混合均匀的熔体；其中，Tm2O3与Fe2O3的摩尔比为0.1~0...
    2026-03-17
  • 一种用于磁光检测双面石榴石单晶薄膜及其制备方法、应用
    一种用于磁光检测双面石榴石单晶薄膜及其制备方法、应用_成都飞锐特科技有限公司_202511290992.0
    本发明提供了一种用于磁光检测双面石榴石单晶薄膜及其制备方法、应用。所述制备方法包括如下步骤：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料，再加入K2CO3，进行混合、熔料，得到混合均匀的熔体；清洗衬底；将清洗后的衬底放入熔体中，在...
    2026-03-17
  • 一种RIG薄膜及其制备方法
    一种RIG薄膜及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511501121.9
    本发明提供了一种RIG薄膜及其制备方法，涉及单晶薄膜技术领域，该RIG薄膜的制备方法包括：将第一原料加热至第一温度，保温第一时间，搅拌均匀，得到第一熔体；将衬底进行清洗处理后置于所述第一熔体中进行第一次液相外延生长，得到表面生长有A3Fe5...
    2026-03-17
  • 一种锗单晶炉晶棒自动取出装备系统及其取出方法
    一种锗单晶炉晶棒自动取出装备系统及其取出方法_云南驰宏锌锗股份有限公司_202511449374.6
    本申请是关于一种锗单晶炉晶棒自动取出装备系统及其取出方法。所述的锗单晶炉晶棒自动取出装备系统包括：重载型AGV底盘车，重载型AGV底盘车上安装有机械手电池组及配重、HMI人机界面、电控系统和三轴取晶机械手；重载型晶棒抓取手爪安装在三轴取晶机...
    2026-03-17
  • 一种放肩降温方法
    一种放肩降温方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511692755.7
    本发明涉及单晶生产技术领域，尤其是涉及一种放肩降温方法。本发明提供的一种放肩降温方法，放肩依次包括第一放肩阶段、第二放肩阶段和第三放肩阶段；所述第一放肩阶段，根据放肩时间控制降温量；所述第二放肩阶段，根据晶体直径控制降温量；所述第三放肩阶段...
    2026-03-17
  • 一种小型光伏单晶硅炉液压控制装置
    一种小型光伏单晶硅炉液压控制装置_连城凯克斯科技有限公司_202511572327.0
    本发明涉及单晶硅炉技术领域，公开了一种小型光伏单晶硅炉液压控制装置，包括底座台，底座台的上方设置有控制装置主体，控制装置主体的侧端开口处设有防尘滤网一，控制装置主体的内部边缘处固定安装有多个风扇单元，防尘滤网一一侧设置有替换组件，替换组件包...
    2026-03-17
  • 一种单晶硅的制备方法及单晶硅
    一种单晶硅的制备方法及单晶硅_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202511500850.2
    本申请提供一种单晶硅的制备方法及单晶硅。单晶硅的制备方法包括在对单晶硅进行收尾处理前，对单晶进行预收尾处理；预收尾处理的过程依次包括：调节步骤，包括控制单晶硅自第一生长速率v1mm/h降至第二生长速率v2mm/h，同时控制加热器自第一功率p...
    2026-03-17
  • 晶棒牵引绳检测装置及检测方法
    晶棒牵引绳检测装置及检测方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511359250.9
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶棒牵引绳检测装置及检测方法，晶棒牵引绳检测装置，包括：牵引绳、定位件、颗粒采集单元和控制单元；牵引绳的下端用于连接晶棒；定位件上开设有定位孔，定位件的上端配置有一检测面；颗粒采集单元用于采集检测面附着的...
    2026-03-17
  • 一种单晶硅炉用底加热器
    一种单晶硅炉用底加热器_连城凯克斯科技有限公司_202511572330.2
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶硅炉用底加热器，包括底箱，底箱的上方设置有坩埚炉体，底箱的内部固定安装有电动伸缩杆，电动伸缩杆的驱动端固定安装有连接盘，连接盘的顶部固定安装有加热箱，加热箱的内壁固定安装有内箱，内箱的内部对称设置...
    2026-03-17
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