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  • 本发明公开了一种基于LED芯片生产的封装设备及工艺,涉及LED芯片加工技术领域,包括机架、输送机构、滑动块、输送机构、芯片安置部、安装座、升降机构、储胶筒、灌胶部;往复横移机构,设于储胶筒下端,且在灌胶部朝下移动时,驱动灌胶部水平往复移动;...
  • 本公开提供了一种发光二极管制备方法。该方法包括:在衬底上依次制作外延层和透明导电层;在透明导电层表面制作第一光刻胶结构,在第一光刻胶结构覆盖下露出透明导电层的边缘部分;在第一光刻胶结构遮挡下,对透明导电层进行第一次腐蚀,去除透明导电层的边缘...
  • 本发明公开一种绒面结构、钙钛矿太阳能电池及制备方法。绒面结构的制备方法包括:提供包含单晶硅的基底,单晶硅位于基底表面;通过刻蚀单晶硅的特定晶面,在基底表面形成塔基,塔基包括塔底和围绕于塔底的侧壁,各个塔基的侧壁构成网状的框架;在基底的表面形...
  • 本发明属于芯片封装技术领域,具体涉及一种光电合封的3D封装结构,包括基板,所述基板的第一表面设置有第一转接板,所述第一转接板的第一表面设置有至少一个第二转接板和至少一个光芯片,所述第二转接板和所述光芯片的第一表面设置有一电芯片,所述第二转接...
  • 本发明提供一种改善太阳能电池UV衰减的膜层结构及其制备方法和应用。该膜层结构包括硅基底,硅基底上层叠设置有SiO2层和Al‑O层,Al‑O层和SiO2层之间通过界面键合形成SiO2/Al‑O界面层。本发明构建的有效受主态界面层实现了双重钝化...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种光伏电池、电池组件及光伏系统,该光伏电池包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域相邻设置,第一区域的反射率与第二区域的反射率的差值的绝对值大于0.05%。由于反射率的差异导致第一区域和第二区域的衬度不同...
  • 本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括:硅基底;设置于硅基底上的氧化铝层,氧化铝层含有O元素和H元素,其中,氧化铝层中的O元素自靠近硅基底一侧向远离硅基底一侧递增,氧化铝层中的H元素自靠近硅基底一侧向远离硅基底一侧递...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统,太阳能电池包括:硅片,硅片包括相对设置的背面和正面;间隔设置于背面的第一掺杂层和第二掺杂层,硅片的背面包括位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的隔离区;钝化层,钝化层覆盖隔离区的侧...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供了一种背接触太阳能电池、叠层电池和光伏组件。该背接触太阳能电池包括:基底,包括相对的正面和背面,背面包括多个第一P型区和多个第一N型区,第一P型区和第一N型区沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布,第一P型区在...
  • 本公开实施例涉及光伏技术领域,提供一种光伏组件,光伏组件包括电池串、绝缘层以及汇流条,电池串包括多个电池片,每个电池片的背面设置有焊带,以通过焊带将多个电池片串联;述绝缘层设置于焊带远离电池片的一侧,绝缘层设置有避让区,以让焊带的部分自避让...
  • 本申请实施例涉及光伏技术领域,提供一种背接触电池和光伏组件,至少可以提高背接触电池的效率。背接触电池的背面包括:细栅、主栅、边缘焊盘、连接线和贯穿线,每一主栅与在沿第二方向上排列的多个极性相同的细栅电连接,位于背接触电池在沿第一方向上两侧边...
  • 本发明公开了一种异质结电池、其制备方法及光伏组件,所述制备方法包括:提供硅片;在所述硅片表面依次形成本征层、掺杂层及透明导电层;在所述透明导电层上形成介质层;制备电极,所述电极贯穿所述介质层并与所述透明导电层相接触,且所述电极突出于介质层并...
  • 本发明公开了一种异质结电池及光伏组件,所述异质结电池包括硅片及依次层叠于所述硅片正面或背面上的本征层、掺杂层及透明导电层,所述异质结电池还包括层叠于所述透明导电层上的介质层及与所述透明导电层相接触的电极,所述电极包括沿硅片厚度方向延伸至所述...
  • 本申请关于一种光伏电池片及光伏组件,涉及光伏技术领域。光伏电池片包括硅基底和隧穿钝化接触结构,硅基底设置有收集区和无收集区,收集区和无收集区之间存在沿光伏电池片厚度方向的间隔距离,在收集区上沉积有隧穿钝化接触结构。隧穿钝化接触结构不容易接触...
  • 本申请实施例提供了一种光伏电池以及光伏组件。所述光伏电池包括:硅基底,硅基底包括第一面和第二面,第二面上具有沿第二方向交替设置的第一区域,沿第二方向相邻的第一区域之间设有隔离槽,第一区域和隔离槽皆沿第三方向延伸;掺杂层,掺杂层设置于第一区域...
  • 本发明提供一种提升单光子雪崩二极管光子探测效率的基于多孔洞型扩散的二极管结构及其制备方法。该二极管为光电二极管,该二极管PN结为基于平面结的扩散结构;该扩散结构位于单光子雪崩二极管的帽层,帽层上部中心位置设置有一个由两次扩散生成的P型掺杂区...
  • 本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括硅基底,硅基底的背光面具有第一区域,第一区域包括平坦区域和具有若干凸起的起伏区域,起伏区域内的相对高度差值大于平坦区域内的相对高度差值。本申请能够有效降低光的损失,提升太阳电池整...
  • 本申请提供了一种梯度掺杂铁电薄膜器件及其制备方法,涉及光电子器件技术领域。该梯度掺杂铁电薄膜器件包括:自下而上依次层叠的衬底、埋氧层、缓冲层、铁电薄膜材料层;铁电薄膜材料层中掺杂有杂质离子,杂质离子的掺杂浓度自下而上依次增加。本申请通过采用...
  • 本发明涉及一种光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器包括从下而上叠设的基底、隔热层和光敏层,以及包括第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极通过所述光敏层连接。本发明的光电探测器以二维过渡金属硫族化合物作为光敏层,同时引入非晶氧化镓为...
  • 本发明公开了一种叠层隧穿层的Topcon太阳能电池制备方法,属于太阳能电池技术领域中的一种制备方法,其技术方案为如下步骤:S1、对进行碱抛后的硅片进行置放;S2、对石英管内部进行抽真空和检漏后升温至410‑420℃;S3、在石英管内通入N2...
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