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最新专利技术
  • 包括半导体发光器件的显示装置以及其的制造方法
    包括半导体发光器件的显示装置以及其的制造方法_LG电子株式会社_202380097613.9
    实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：第一显示模块、第二显示模块，各自均包括配置在基板上的复数个半导体发光器件组件，相邻配置；树脂层，配置在所述第一显示模块和所述第二显示模块之间的下侧；透明树脂层，配置在所述树脂层上，配置在所述第一...
    2025-12-28
  • 金属衬底结构及用于制造用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法和半导体功率模块
    金属衬底结构及用于制造用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法和半导体功率模块_日立能源有限公司_202480023440.0
    一种用于半导体功率模块的金属衬底结构(10)包括电路金属化层(11)、与电路金属化层(11)联接的金属底层(13)，以及隔离介电层(12)，该隔离介电层(12)相对于堆叠方向(A)与电路金属化层(11)和金属底层(13)联接并被布置在电路金...
    2025-12-28
  • 采用具有将管芯热耦接至中介层基板的金属互连的金属块以耗散该管芯热能的集成电路(IC)封装以及相关制造方法
    采用具有将管芯热耦接至中介层基板的金属互连的金属块以耗散该管芯热能的集成电路(IC)封装以及相关制造方法_高通股份有限公司_202480035208.9
    详细描述所公开的各个方面包括一种集成电路(IC)封装，该IC封装采用具有金属互连的金属块，该金属互连将半导体管芯(“管芯”)热耦接至中介层基板以耗散该管芯中的热能。该管芯被耦接至封装基板，以提供到该管芯的信号布线路径。为了促成将附加管芯堆叠...
    2025-12-28
  • 针对非均匀热图的微流体冷却
    针对非均匀热图的微流体冷却_国际商业机器公司_202480035381.9
    本发明构思提供了一种针对非均匀热图的用于微流体冷却方法。该方法包括标识微电子器件的多个区域。获得针对微电子器件的多个区域中的一个或多个区域的局部温度测量。基于所获得的局部温度测量，将电压施加至一个或多个区域的至少一部分中的微流体。
    2025-12-28
  • 重布层之间具有通孔的半导体装置
    重布层之间具有通孔的半导体装置_美光科技公司_202480034137.0
    公开一种在重布层之间具有通孔的半导体装置。所述半导体装置包含与第一重布层上的第一接触垫耦合的半导体裸片堆叠。所述第一重布层进一步包含定位于所述裸片堆叠的覆盖区外部的第二接触垫及将所述第二接触垫耦合到所述第一接触垫的电路系统。间隙填充物是安置...
    2025-12-28
  • 用于源极/漏极区域的背面接触
    用于源极/漏极区域的背面接触_国际商业机器公司_202480029216.2
    一种半导体结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一输入源极/漏极区域和第一输出源极/漏极区域，并且第二晶体管包括第二输入源极/漏极区域和第二输出源极/漏极区域。第一输入源极/漏极区域和第二输入源极/漏极区域连接到第一源极/漏极接触...
    2025-12-28
  • 用于半导体制造装置的边缘环及其制造方法
    用于半导体制造装置的边缘环及其制造方法_韩国东海炭素株式会社_202480035313.2
    本发明提供一种用于半导体制造装置的边缘环及其制造方法。所述边缘环包括：上部层，其具有高硬度；以及下部层，其位于所述上部层的下方，且其硬度低于所述上部层，其中所述下部层与等离子体蚀刻装置的内部部件接触。
    2025-12-28
  • 使用无机介电键合的基板支撑装置的制造
    使用无机介电键合的基板支撑装置的制造_应用材料公司_202480034587.X
    一种装置包括第一板、第二板、及无机介电键合件，此第一板包括第一介电材料并且具有嵌入此第一板中的第一组电极，此第二板包括第二介电材料并且具有嵌入此第二板中的第二组电极，此无机介电键合件包括无机介电材料且设置在此第一板和此第二板之间。此第一板与...
    2025-12-28
  • 基板分离装置
    基板分离装置_芝浦机械电子株式会社_202480035710.X
    本发明在于提供一种可抑制液体侵入吸盘与基板之间的基板分离装置。实施方式的基板分离装置包括：第一吸盘，对一对基板贴合而成的贴合基板的其中一个面进行吸附保持；第二吸盘，对所述贴合基板的另一个面进行保持；排气部，与所述第一吸盘连接；驱动部，使所述...
    2025-12-28
  • 静电吸盘及相关方法
    静电吸盘及相关方法_恩特格里斯公司_202480032592.7
    一种装置可包含增材制造的整块结构，所述整块结构包含绝缘主体及定位于所述绝缘主体中的至少一个导电区。所述增材制造的整块结构不包含所述绝缘主体与所述至少一个导电元件之间的接合组件。所述增材制造的整块结构可进一步包含不含任何材料的至少一个导管。所...
    2025-12-28
  • 将气体分配到容器中的方法及装置
    将气体分配到容器中的方法及装置_恩特格里斯公司_202480034858.1
    提供一种用于控制冲洗气体的流到衬底容器中的方法及冲洗流分配模块。所述冲洗流分配模块包含：冲洗模块，其包括用于接收冲洗气体的流的入口、用于调节所述冲洗气体的流动方向的止回阀及用于供应所述冲洗气体的出口；及腔室，其包围所述冲洗模块的至少出口。所...
    2025-12-28
  • 基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法
    基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法_RNR实验室公司_202480034166.7
    公开基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法。所公开的基板结构体的激光热处理方法通过向能够划分为多个单位区域的基板结构体的一面部照射激光束来执行对所述基板结构体的热处理，所述激光热处理方法可包括如下步骤：执行对所述基板结构体的第...
    2025-12-28
  • 用于控制微电子设备的处理的系统
    用于控制微电子设备的处理的系统_诺瓦测量仪器有限公司_202480030935.6
    公开了用于监测和控制微电子衬底的处理的系统和设备。设备的一个方面包括：具有密封门的一个或多个集群。每个密封门在前侧上包括湿零件柜，每个湿零件柜被划分成多个集群并占据一个或多个化学工作站，化学工作站执行分析应用。密封门在后侧上包括电气柜，其用...
    2025-12-28
  • 装置、电气装置、基板和装置的制造方法
    装置、电气装置、基板和装置的制造方法_京瓷株式会社_202480033661.6
    本发明即使经过回流接合等高温工艺等，也能在焊接部分中确保充分的界面强度。装置具有：基体，该基体具有第一面；电极，该电极位于所述基体的所述第一面；以及接合部，该接合部位于所述电极上。所述接合部从所述电极侧依次包括第一层、第二层以及第三层，所述...
    2025-12-28
  • 用于压缩成形的密封树脂以及其形成方法及形成装置
    用于压缩成形的密封树脂以及其形成方法及形成装置_山田尖端科技株式会社_202380098752.3
    本发明的课题提供一种密封树脂以及其形成方法及形成装置，所述密封树脂可实现能够防止产生成形不良的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段，本发明的密封树脂的形成方法是形成用于工件(W)的压缩成形的密封树脂(R)的形成方法，所述工件(W)具有在...
    2025-12-28
  • 激光退火方法及应用其的半导体器件制备方法
    激光退火方法及应用其的半导体器件制备方法_RNR实验室公司_202480034164.8
    公开激光退火方法及应用其的半导体器件制备方法。所公开的激光退火方法针对包括晶体管的半导体器件部执行，激光退火方法可包括如下步骤：准备设置有晶体管的半导体器件部，所述晶体管包括半导体及与所述半导体形成接合界面的电介质；以及为了至少钝化(pas...
    2025-12-28
  • 半导体装置的制造方法及切割晶粒接合一体型膜
    半导体装置的制造方法及切割晶粒接合一体型膜_株式会社力森诺科_202380097623.2
    半导体装置的制造方法包括如下工序：在加热条件下将切割晶粒接合一体型膜的膜B贴附于将半导体晶圆单片化而得的多个半导体芯片，所述切割晶粒接合一体型膜具备：切割膜(膜A)，其具有基材膜及设置于基材膜上的压敏胶黏剂层、及晶粒接合膜(膜B)，其设置于...
    2025-12-28
  • 氮化物半导体基板的制造方法、混合集成电路的制造方法及氮化物半导体基板
    氮化物半导体基板的制造方法、混合集成电路的制造方法及氮化物半导体基板_信越半导体株式会社_202480035387.6
    本发明提供一种氮化物半导体基板的制造方法，所述氮化物半导体基板在硅基板上具备包含III族氮化物基底层与氮化镓外延层的III族氮化物层，所述制造方法使用Si{110}基板，所述制造方法包含下述工序：预通气工序，其向已加热至1000℃以上的Si...
    2025-12-28
  • 显影方法和基片处理系统
    显影方法和基片处理系统_东京毅力科创株式会社_202480032725.0
    本发明提供一种进行基片的显影处理的显影方法，其特征在于，包括：对所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤，其中，所述基片具有被曝光成规定的图案的含金属涂敷膜；和对被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的第一清洗液的步骤，所述含金属涂敷膜...
    2025-12-28
  • 用于产生等离子体的电源组件以及等离子体处理系统
    用于产生等离子体的电源组件以及等离子体处理系统_通快霍廷格两合公司_202480034904.8
    本发明涉及电源组件(1)，该电源组件具有：a)多个微波电源(2a，2b，2c，2d，……2n)，多个微波电源中的每个微波电源被设计成生成具有输出≥100 W和≥频率300 MHz的微波功率信号，以在等离子体处理室(6)中产生等离子体(7)，...
    2025-12-28
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