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  • 本发明属于电网设备技术领域,提供了一种基于智能电网用箱式变电站,包括壳体,壳体一侧铰接有柜门,壳体内固定安装有设备主体,所述壳体侧壁上开设有多组间隔分布的线槽,壳体外侧面固定安装有与对应线槽连通的防护槽,防护槽远离壳体的一端固定安装有基板,...
  • 本发明提出了一种带有冗余电源的陆用分离机电气控制箱及控制方法,涉及分离机电气控制箱领域。本发明包括电气控制箱组件;用于进风的散热组件;用于承接雨水的储水组件;所述电气控制箱组件包括:铝合金壳体;以及焊接于所述铝合金壳体顶部的顶罩;所述散热组...
  • 本申请涉及配电柜技术领域,尤其是一种防水配电柜及配电柜的防水方法,包括配电柜本体,配电柜本体内部设置有用于实时监测配电柜本体内部以及外部环境温度参数的感知单元,配电柜本体内设置有用于配电柜本体内部除湿的执行单元,配电柜本体内设置有分别与感知...
  • 本发明提供用于稳定配电的配电箱,在监测布斯瓦接点过热状态的配电箱中,安装在所述配电箱内形成的一个或多个布斯瓦接点上,当该布斯瓦接点的温度上升到规定温度以上时,一个或多个温度上升感应器会反应并改变其状态;在每个预设的收集周期内,监测信息收集部...
  • 本发明公开一种用于农村区域的配电箱及电表箱一体化装置,属于电力设备技术领域,包括:一体化箱体内设置配电箱功能区和电表箱功能区,配电箱功能区包括:电表箱门,电表箱门的内侧安装有刀闸、塑壳断路器开关、零线排和用于隔离带电部件的绝缘挡片;配电箱功...
  • 本发明公开了一种插拔防护式电表箱,属于电表箱技术领域。一种插拔防护式电表箱,包括电表箱,所述电表箱的前侧通过合页连接有箱门,所述电表箱的顶部设置有前沿挡板,所述电表箱的后侧四角均设置有安装孔,所述电表箱的内部四角固定连接有固定钉,所述固定钉...
  • 本发明提供配电电缆动作指示器,安装在配电盘的门上,用于显示配电盘内部配电电缆动作状态的配电电缆动作指示器,对应于通过展位栏连接的一条或多条配电电缆,在门关闭时,一个以上的温度感应器检测对应配电电缆的温度;与温度检测部件相对应的每个部件,配备...
  • 本发明公开了一种小型化、便携式电晕放电针装置,包括:底板、支撑板以及放电针;其中,所述底板上固定有支撑板,两个放电针分别从支撑板的顶端穿入,从底板的底部穿出;所述放电针采用直径0.02mm‑0.03mm的金属丝。本发明提供的一种小型化、便携...
  • 本申请涉及一种垂直腔面发射激光器及激光雷达。垂直腔面发射激光器包括衬底及发光单元,多个发光单元沿X轴方向及Y轴方向呈阵列排布于衬底上而构成发光阵列;发光阵列包括多个发光行及多个发光列,发光行具有沿X轴方向排列的多个发光单元,多个发光行沿Y轴...
  • 本发明涉及一种单片串联连接的激光二极管阵列及其形成方法,其中所述阵列形成在包含多个离散导电区的非传导衬底上。所述阵列中的每一激光二极管安置在不同传导区上使得每一激光二极管的激光腔与其相应传导区光学隔离,借此避免所述激光腔中由于与高度掺杂传导...
  • 本发明提供了一种大尺寸InP基半导体激光器外延结构及其制备方法,所述外延结构包括InP衬底,以及依次设置于InP衬底上的复合缓冲层、下限制层、有源层、上限制层和欧姆接触层;其中,所述复合缓冲层包括沿远离所述InP衬底的方向依次设置的第一无故...
  • 本发明涉及一种改善量子阱铟组分均匀性的氮化镓基半导体激光器外延结构及制备方法,属于半导体激光器技术领域。由下到上依次包括衬底、第一限制层,第一波导层、有源区、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层和接触层。本发明的有源区在生长高铟组分量子阱时通...
  • 本发明涉及激光元件技术领域,公开了一种具有激发转移发射机制的激光元件,包括:自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层;在有源层与上波导层之间以及有源层与下波层之间设置的俄歇辅助光发射层;其中,俄歇辅助...
  • 本发明提出了一种图案化光子晶体激光器及其制备方法,激光器包括衬底,以及依次沉积在衬底上的第一掩膜层、光子晶体层和第二掩膜层,第二掩膜层的中心区域刻蚀有光出射区,第二掩膜层表面以及光出射区均沉积透明导电层;位于第二掩膜层上的透明导电层表面设有...
  • 本发明公开了一种电泵浦的复耦合分布反馈激光谐振腔及激光器,激光谐振腔包括增益物质层;第一掺杂包覆缓冲层设置于增益物质层的上方,第一掺杂包覆缓冲层通过刻蚀形成中间隆起的波导脊,波导脊两侧的刻蚀剩余区域的表层设有电介质隔离层,电介质隔离层的顶面...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种设有自旋轨道耦合层的半导体激光元件及制备方法,其元件包括:衬底层,由蓝宝石/SiO2/SiNx复合结构构成;下限制层,为n型AlGaN层;下波导层,为非掺杂GaN层;自旋轨道耦合层;有源层,为量子阱...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括:在衬底层的一侧表面形成外延结构,包括缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层和欧姆接触层;对外延结构进行刻蚀形成至少包括欧姆接触层、第二...
  • 本发明公开了一种SMT激光二极管,其包括基板、上覆铜层、下覆铜层、铜柱、共晶焊料、管帽、反射镜和准直透镜,所述基板为陶瓷材料制成,所述上覆铜层包括上负极焊盘、上导热焊盘和上正极焊盘,所述下覆铜层包括下负极焊盘、下导热焊盘、下正极焊盘和回流焊...
  • 本发明的量子级联激光装置具备QCL元件和封装件。在封装件的侧壁,设置有使从QCL元件出射的激光通过的光出射窗。光出射窗由小径孔、比小径孔大的大径孔、连接小径孔与大径孔的环状的沉孔面、和配置在大径孔的内侧的窗构件构成。窗构件的入射面具有:设置...
  • 本申请涉及一种使用超构透镜的一字线激光器装置,属于激光器领域,其包括VCSEL光源和超构透镜;所述超构透镜包括结构区域和设于所述结构区域周围的保护区域,所述结构区域由多个超构透镜单元构成,所述超构透镜单元由基底和设于所述基底上的微纳结构层构...
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