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  • 本发明公开了一种单芯片白光LED的制备方法,属于LED制造技术领域。该方法包括以下步骤:通过设计掩膜结构,采用纳米压印技术,通过含条形图案的印模压印,在蓝宝石衬底上形成具有至少三种及以上不同第一夹角排列的条形图案,不同条形图案的斜面对应蓝宝...
  • 本公开提供了一种改善裂片的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括:控制反应室内的生长温度为第一温度,在衬底上生长n型层;向所述反应室内通入氮气和氢气并停止通入MO源,控制所述反应室的生长温度从所述第一温度...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法、叠层电池和光伏组件,太阳能电池包括:基底,第二表面上包括交替设置的第一区域和第二区域;第一隧穿层,位于第二表面的一侧、且至少位于第一区域;第一掺杂导电层,仅位于第一区域,且位于第一隧穿层远离基底的一侧;...
  • 本发明公开了一种半刚性基板、半刚性太阳电池阵及其制备方法,属于航天能源技术领域。本发明提供的半刚性基板,包括自下而上依次由保护膜、承力层、绝缘膜构成的叠层结构;所述承力层包括玻璃纤维层、碳纤维层中的至少一种;所述玻璃纤维层的材质包括一层或多...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其光伏组件,该太阳电池包括硅基底、以及设置于硅基底表面的功能膜层,硅基底包括受光面、位于受光面相对侧的背光面、以及设置于受光面和背光面之间的侧表面;侧表面包括靠近受光面的第一区域和靠近背光面的第二区域,其中,受光面...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括:硅基底,硅基底包括相背设置的受光面和背光面,背光面的表面包括第一区域和第二区域,第一区域与电极区的位置对应,第二区域与非电极区的位置对应;图形化的第一半导体层,第...
  • 本发明公开了一种快装式CHP柔性光伏组件,包括从上到下依次设置的ETFE膜、上部EVA层、电池片层、下部EVA层、导热背板和柔性导热管组;导热背板包括柔性导热层和用于支撑柔性导热层及固定柔性导热管组的支撑连接件;柔性导热管组包括交替排列的柔...
  • 本发明公开了一种聚光电池模组及其制备方法,包括聚光砷化镓太阳能电池、缓冲层、第一镀银金层、正面铜箔、基板、背面铜箔、镀镍层、镀钯层和镀金层,正面铜箔和背面铜箔分别设置于基板的正面和背面,背面铜箔的背面依次镀覆有镀镍层、镀钯层和镀金层,正面铜...
  • 本发明公开了一种光导开光的散热结构,包括光导开关、金刚石载板和散热基板,所述金刚石载板设置在所述光导开光的下方,且所述金刚石载板上表面与所述光导开关底部通过热压键合的方式键合为一体;所述散热基板设置在所述金刚石载板下方,所述散热基板内设有微...
  • 本申请涉及一种太阳能电池浆料、太阳能电池、光伏组件及故障监测方法。上述太阳能电池浆料包括基础浆料和光转换剂,光转换剂在太阳能电池浆料中的质量百分比为0.1%~0.5%。上述太阳能电池浆料通过加入一定量的光转换剂,应用在太阳能电池的栅线电极中...
  • 本发明属于太阳能光伏技术领域,特别涉及一种硅基太阳能电池的边缘钝化层、符合边缘钝化结构及其相应的制备方法与应用。在硅基太阳能电池新切割的边缘部位制备氧化钛、氧化锌、氧化铝层作为第一边缘钝化层,在硅基太阳能电池非新切割的边缘部位以及第一边缘钝...
  • 本申请提供了一种钝化接触太阳电池及光伏组件,其中钝化接触太阳电池包括硅基底,硅基底的背光面包括间隔排列的第一区域和第二区域,第一区域包括第一子区域和第二子区域,在第一子区域,硅基底的背光面设置有介质层,介质层的表面分布有岛状凸起结构,多个岛...
  • 本发明涉及太阳电池的技术领域,具体公开了一种太阳电池,该太阳电池包括:硅基底,硅基底的受光面设置有复合钝化层,复合钝化层包括层叠设置的第一非晶态层、第一晶态层和第二非晶态层,其中,第一晶态层位于第一非晶态层和第二非晶态层之间;第一晶态层的材...
  • 本发明涉及太阳电池的技术领域,具体公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括:硅基底、设置在硅基底表面的钝化层,硅基底和/或钝化层具有Si‑H键;其中,钝化层中掺杂有C元素和F元素,C元素和F元素形成C‑F键。本发明可以增强在...
  • 本申请公开了一种太阳电池,包括硅基底、第一膜层结构、第二膜层结构、正极电极以及负极电极。硅基底具有正面以及背面,第一膜层结构与第二膜层结构分别设于正面与背面。正极电极设于第一膜层结构,负极电极设于第二膜层结构。第一膜层结构包括依次叠设的第一...
  • 本申请提供了一种BC太阳电池分片及BC光伏组件,BC太阳电池分片包括晶体硅衬底,晶体硅衬底的正面包括第一钝化层、第一减反射层和绝缘保护结构,晶体硅衬底的背面的P型掺杂区对应P型掺杂层,N型掺杂区对应N型掺杂层,P型掺杂层和N型掺杂层的表面设...
  • 本发明涉及太阳电池领域,具体公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括:硅基底;介质层,叠层设置于硅基底上;掺杂多晶硅层,叠层设置于介质层背离硅基底一侧;第一氮化硅层,叠层设置于掺杂多晶硅层背离硅基底一侧;氧化硅层,叠层设置于...
  • 本发明属于太阳电池的技术领域,具体公开了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件,该钝化接触结构包括:介质层;掺杂多晶硅层,掺杂多晶硅层与介质层叠层设置,掺杂多晶硅层的厚度为20nm~45nm,掺杂多晶硅层中含有X原子和H原子,其中...
  • 本申请提供了一种太阳电池制备方法、太阳电池及光伏组件,其中制备方法包括:提供太阳电池半成品,太阳电池半成品的正面包括第一功能层,第一功能层的材料包括氧化铝;对第一功能层进行第一等离子体轰击处理,用于形成等离子体的气体的通入流量为5000sc...
  • 本申请提供了一种晶体硅太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中太阳电池包括硅基底,硅基底的正面依次包括层叠设置的第一掺杂层、钝化层、抗UV衰减层和第一功能层;抗UV衰减层中包括晶态氧化铝。本申请提升了晶体硅太阳电池的抗紫外线衰减性能,因而能够降...
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