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最新专利技术
  • 一种栅控结型场效应晶体管
    一种栅控结型场效应晶体管_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511160745.9
    本申请提供了一种栅控结型场效应晶体管，包括：衬底、形成在所述衬底之上的外延层；第二掺杂类型的沟道区，自所述外延层的顶面向下形成；第一掺杂类型的栅极，形成在所述沟道区之上；浮空的极板金属，形成在所述栅极之上；栅介质层，形成在所述极板金属之上；...
    2026-01-03
  • 包括沟槽结构中的硅层的晶体管
    包括沟槽结构中的硅层的晶体管_英飞凌科技奥地利有限公司_202510789552.3
    本公开涉及包括沟槽结构中的硅层的晶体管。提出垂直结型场效应晶体管VJFET。该VJFET包括沿第一横向方向横向布置在台面区域之间的沟槽结构。沟槽结构从半导体本体的第一表面延伸到半导体本体中。每个台面区域包括第一导电类型的台面沟道区域。VJF...
    2026-01-03
  • 一种具有铁磁性源漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管及其应用
    一种具有铁磁性源漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管及其应用_华南理工大学_202511314495.X
    一种具有铁磁性源漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管及其应用，其中具有铁磁性源漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管，包括栅极、沟道层、栅绝缘层、源极和漏极，所述源极和所述漏极均为铁磁性电极，所述沟道层为氧化物半导体；所述源极和所述漏极利用自旋极化电子注...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511201469.6
    提供了半导体器件，该半导体器件包括第一外延源极/漏极部件、第二外延源极/漏极部件、电连接至第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件的两个或多个半导体层、背侧源极/漏极接触件和底部介电层。背侧源极/漏极接触件设置在第一外延源极/漏极部件...
    2026-01-03
  • 一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备
    一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备_华为技术有限公司_202410788776.8
    本申请实施例公开了本申请实施例提供一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备，该晶体管包括源极、漏极、栅极、栅氧介质层、沟道和插入层，栅氧介质层设置于栅极与沟道之间；插入层设置于以下位置中的至少一处：源极和沟道之间、漏极和沟道之间或栅极与栅氧介...
    2026-01-03
  • 一种超结MOS晶体管及其制备方法
    一种超结MOS晶体管及其制备方法_江西萨瑞半导体技术有限公司_202511714344.3
    本发明提供一种超结MOS晶体管及其制备方法，通过设置衬底以及沉积在衬底上的N型外延层，N型外延层的两侧开设有第一沟槽，第一沟槽内填充有P型外延层，N型外延层中部开设有第二沟槽，第二沟槽内有呈左右结构设置的处于隔离状态的N+多晶硅和P+多晶硅...
    2026-01-03
  • 一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片
    一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511691838.4
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，通过将器件内部的P型阱区离散为掺杂浓度不同的第一P型阱区和第二P型阱区，在器件阻断状态下，主要由第一P型阱区发挥耐压结的作用，第一P型阱区的高掺杂可以确保器件的...
    2026-01-03
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511253250.0
    本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，通过使半导体结构包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、沟槽、第一绝缘层、屏蔽栅极、第二绝缘层、控制栅极、第二导电类型掺杂区以及连接结构；其中，第一绝缘...
    2026-01-03
  • 碳化硅半导体结构、其制造方法及使用其的半导体工作器件的制造方法
    碳化硅半导体结构、其制造方法及使用其的半导体工作器件的制造方法_瑞砻科技股份有限公司_202410760597.3
    一种碳化硅半导体结构，其III‑V族基层与支持基板可以作为供碳化硅外延层或碳化硅外延掺杂层生长成完美单晶的基础生长界面，支持基板例如为蓝宝石基板、氮化铝基板或碳化硅基板，如果支持基板是氮化铝基板，则可以直接生长碳化硅外延层或碳化硅外延掺杂层...
    2026-01-03
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511653535.3
    本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，采用间隔设置的多个STI结构作为场板，可调整漂移区的表面电场，增加电场峰值点的数量，避免单一高电场点，实现“电场阶梯化”，可提升LDMOS器件的击穿电压，且可不改变电流的流动路径及导通电阻。进一步的...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511608005.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；漂移区，位于衬底上，且漂移区中掺杂有第一型离子；体区，位于漂移区侧部的衬底上，体区与漂移区相接触，且体区环绕漂移区，体区中掺杂有第二型离子，第一型离子与第二型离子的离子类型不同；反型层，间隔分布于...
    2026-01-03
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202511498735.6
    本申请涉及一种半导体功率器件及其制备方法。该半导体功率器件包括：衬底、外延层、第一栅极、第二栅极、第一介质层、第二介质层、多晶硅区与源极，衬底的材料包括碳化硅；外延层包括漂移区、阱层、第一沟槽、源区与源极接触区；第一沟槽自外延层远离衬底的表...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427928.2
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，设置为第一导电类型，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区、第一区域、第二区域和第三区域；第一表面设置有至少一个栅极沟槽，每一栅极沟...
    2026-01-03
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427926.3
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：终端区、过渡区和元胞区；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面设置有位于过渡区的第一沟槽、位于终端区的第二沟槽和位于元胞区的第三沟槽，第一沟...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511424579.9
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体还包括阱区、第一区域、第二区域、第三区域和至少一个第四区域；第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面设置有至少一个栅极沟槽，...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345283.8
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345269.8
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体的第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁连接；半导体本体还包括阱区和第一...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345258.X
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345253.7
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁...
    2026-01-03
  • 垂直功率器件及其制造方法
    垂直功率器件及其制造方法_苏州纳维科技有限公司_202511172942.2
    本发明提供了一种垂直功率器件及其制造方法，垂直功率器件包括：具漏极的复合衬底，设置于复合衬底上的具有鳍部的有源层；形成于鳍部的上表面上方的源极；围绕鳍部的鳍侧壁并延伸至栅极沟槽的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上方并位于源极两侧且相互隔离的第一...
    2026-01-03
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