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最新专利技术
  • 显示面板和显示面板的制备方法
    显示面板和显示面板的制备方法_海信视像科技股份有限公司_202511179902.0
    本申请公开一种显示面板和显示面板的制备方法，涉及显示的技术领域。显示面板包括衬底、发光单元、量子点单元和驱动背板。发光单元间隔设置于衬底的第二表面，第一发光单元用于发蓝光和绿光中的至少一种，第二发光单元用于发蓝光和绿光。量子点单元设置于衬底...
    2025-12-30
  • Micro-LED器件及其制备方法
    Micro-LED器件及其制备方法_武汉市精微科技有限公司_202511172875.4
    本公开提供了一种Micro‑LED器件及其制备方法，属于半导体芯片技术领域。该Micro‑LED器件包括Micro‑LED芯片、驱动基板、键合结构和反射散热结构，Micro‑LED芯片具有从第二半导体层的表面延伸至第一半导体层内且间隔设置的...
    2025-12-30
  • 显示装置及其制造方法
    显示装置及其制造方法_乐金显示有限公司_202510778176.8
    本公开的实施例涉及一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基板，所述基板包括显示区域和非显示区域；位于显示区域中的驱动器；连接到驱动器的多个像素，所述多个像素中的每一者包括多个子像素；位于子像素中的发光元件；被配置为将发光元件连接到驱动器...
    2025-12-30
  • 一种抬头显示器及汽车
    一种抬头显示器及汽车_深圳市帝显电子有限公司_202511681678.5
    本发明涉及车载设备的技术领域，公开了一种抬头显示器及汽车，包括：自发光显示模组，包括印制电路板、设于印制电路板正面呈阵列排布的若干LED芯片、填充于LED芯片之间的黑色绝缘层、以及覆盖于LED芯片上的透明封装层，LED芯片为无封装外壳的裸芯...
    2025-12-30
  • 半导体集成光源器件和发光装置
    半导体集成光源器件和发光装置_深圳循光科技有限公司_202511610706.4
    本申请公开了一种半导体集成光源器件和发光装置，所述半导体集成光源器件包括基座、多个发光芯片以及透镜。所述基座具有凹槽，所述多个发光芯片设于所述凹槽内，且发光颜色不同。所述透镜设于所述基座上，密封所述凹槽，对应所述多个发光芯片设置，且与所述多...
    2025-12-30
  • 一种耐高温阻燃的LED显示模组及其制备方法与显示屏
    一种耐高温阻燃的LED显示模组及其制备方法与显示屏_深圳市洲明科技股份有限公司_202511214238.9
    本发明属于LED显示屏技术领域，尤其涉及一种耐高温阻燃的LED显示模组及其制备方法与显示屏。与现有技术相比，本发明提供的耐高温阻燃的LED显示模组设置有阻燃封装胶层与耐高温层，从而使LED显示模组的耐热性和阻燃性得以显著提升，能够使其达到U...
    2025-12-30
  • 发光二极管芯片
    发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202511677393.4
    本发明提供一种发光二极管芯片，其包括衬底、多个发光二极管、第一电极和第二电极，第二电极至少部分地嵌入衬底，从而使得第二电极的底端低于多个发光二极管的底端。在本发明中，由于第二电极至少部分地嵌入该芯片的衬底，使得第二电极占用的相邻发光二极管之...
    2025-12-30
  • 一种无偏光LED显示设备及其制造方法
    一种无偏光LED显示设备及其制造方法_北京三弟奥科技术开发有限公司_202511264763.1
    本发明公开了一种无偏光LED显示设备及其制造方法，通过定向发光LED阵列、微透镜阵列、图案化光吸收屏障与反射增强层的协同设计，消除了传统偏光片的依赖。设备具有亮度高(≥1250nits)、视角广(160°内亮度衰减＜30％)、反射低(＜1％...
    2025-12-30
  • 全彩Micro LED微显示模组巨量转移修复方法及设备
    全彩Micro LED微显示模组巨量转移修复方法及设备_广东金鼎科技有限公司_202511260763.4
    本发明涉及微显示模组技术领域，公开了一种全彩Micro LED微显示模组巨量转移修复方法及设备，其中，该方法包括：对全彩Micro LED微显示模组进行三色通道光学扫描，得到全彩微显示模组光学数据；对全彩微显示模组光学数据进行多光谱特征分析...
    2025-12-30
  • 玻璃基全彩Micro LED显示器件及其制备方法
    玻璃基全彩Micro LED显示器件及其制备方法_河南省科学院新型显示技术研究所_202511312403.4
    本申请涉及玻璃基全彩Micro LED显示器件制备方法及器件。制备时，在第一玻璃基底上直接制作薄膜晶体管阵列；在第二玻璃基底通过光刻和干法蚀刻制作槽孔，用喷墨打印技术填充颜色转换量子点形成色彩转换层；用MOCVD技术制作含相同发光波长LED...
    2025-12-30
  • 一种LED器件
    一种LED器件_广东晶科电子股份有限公司_202511332230.2
    本发明涉及一种LED器件，涉及LED封装领域技术领域。该LED器件包括基板、封装发光组件，封装发光组件安装于基板；封装发光组件包括：发光部件、覆盖部件、光转换部件，光转换部件包括入光面、出光面、侧面，侧面包括辅助出光面，发光部件位于光转换部...
    2025-12-30
  • 一种用于光电编码器模块的半导体封装结构
    一种用于光电编码器模块的半导体封装结构_上海欣磁电子科技有限公司_202511226010.1
    本发明涉及一种用于光电编码器模块的半导体封装结构，开设有用于容纳编码光栅的凹槽的光电编码器模块，分隔为第一容纳腔室和第二容纳腔室，用于容纳光电接收芯片和通过模具一体化集成封装的一体式集成菲涅尔透镜的半导体发光二极管部件；所述一体式集成菲涅尔...
    2025-12-30
  • 一种LED支架及LED封装结构
    一种LED支架及LED封装结构_广东晶科电子股份有限公司_202511243274.8
    本发明属于芯片封装技术领域，提供一种LED支架及LED封装结构，其中的LED支架包括电镀片和塑封体；所述电镀片上设有金属连筋；所述塑封体包括底层和多个侧壁；所述底层填充在所述电镀片上并覆盖所述电镀片的部分上表面，所述电镀片中未被覆盖的金属连...
    2025-12-30
  • 一种半导体封装结构、制作方法及半导体器件
    一种半导体封装结构、制作方法及半导体器件_朗明纳斯光电(厦门)有限公司_202511075935.0
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体封装结构、制作方法及半导体器件，包括第一基板、绝缘层、导电部和芯片，第一基板包括基板主体和散热层，散热层连接至基板主体的第二表面，且接触面积小于第二表面的面积，使散热层的侧面与基板主体之间形成第二...
    2025-12-30
  • 薄膜垂直结构红光Micro-LED制备与显示技术
    薄膜垂直结构红光Micro-LED制备与显示技术_武汉大学_202511162085.8
    本发明公开了一种薄膜垂直结构红光Micro‑LED制备与显示技术，属于Micro‑LED显示技术领域，所属IPC分类号为H01L33。本发明提供了一种薄膜垂直结构红光Micro‑LED以及基于该薄膜垂直结构红光Micro‑LED的显示模块，...
    2025-12-30
  • 一种LED芯片及半导体发光装置
    一种LED芯片及半导体发光装置_天津三安光电有限公司_202511120012.2
    本发明提供一种LED芯片及半导体发光装置，LED芯片在半导体外延叠层的背面形成有介质层、反射层及金属层，该反射层包括布拉格反射层和界面层，所述布拉格反射层包括交替叠置高折射率材料层和低折射率材料层，所述界面层的折射率高于所述布拉格反射层中的...
    2025-12-30
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511321496.7
    本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括：衬底；N型GaN层，位于衬底上；第一外延结构，位于N型GaN层上，所述第一外延结构包括有源层，所述第一外延结构的侧壁为GaN晶体的M面；第二外延结构，位于第一外延结构上，所述第二外...
    2025-12-30
  • 基于AlInN空穴注入隧道结层的外延结构和深紫外光电器件
    基于AlInN空穴注入隧道结层的外延结构和深紫外光电器件_厦门大学_202511311853.1
    本申请涉及半导体领域，公开了一种基于AlInN空穴注入隧道结层的外延结构和深紫外光电器件，包括衬底，位于衬底的上表面并在远离衬底方向上依次层叠的缓冲层、超晶格层、n型半导体层、多量子阱层和隧道结层，隧道结层包括重掺杂的p型AlInN空穴注入...
    2025-12-30
  • 一种双异质结远UVC外延结构及其制备方法
    一种双异质结远UVC外延结构及其制备方法_武汉大学_202511162081.X
    本发明公开了一种双异质结远UVC外延结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明的外延结构由下至上依次包括：蓝宝石衬底、PVD AlN层、高温AlN层、AlN/AlGaN超晶格过渡层、Si掺杂的n型AlGaN层、双异质结AlGaN量子阱...
    2025-12-30
  • 一种阶梯量子阱硅基绿光LED外延薄膜及其生长方法
    一种阶梯量子阱硅基绿光LED外延薄膜及其生长方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202511278283.0
    本发明公开了一种阶梯量子阱硅基绿光LED外延薄膜及其生长方法，所述外延薄膜包括渐变In组分多量子预阱层和渐变In组分多量子阱有源层，渐变In组分多量子预阱层包括第一GaN垒层、多组低In组分InGaN外延对，渐变In组分多量子阱有源层包括多...
    2025-12-30
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