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最新专利技术
  • 背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件
    背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511536594.2
    本申请涉及光伏领域，提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件，背接触电池的本体的背光面设置有细栅、边缘焊盘和边缘连接线；细栅包括第一细栅和第二细栅；边缘焊盘位于本体沿第二方向的两端，第一细栅与边缘焊盘相连接，边缘焊盘沿第一方向的两侧分...
    2025-11-30
  • 背接触电池组件及光伏系统
    背接触电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511525372.0
    本发明公开了一种背接触电池组件及光伏系统，涉及太阳能电池技术领域。所述背接触电池组件包括：电池串层，所述电池串层包括电池串和中间汇流条；其中，所述电池串包括沿第一方向排布的多个电池片，多个所述电池片相互串联；所述中间汇流条沿第二方向设于所述...
    2025-11-30
  • 电池串、光伏组件、电池串的制备方法
    电池串、光伏组件、电池串的制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511516340.4
    本申请属于光伏技术领域，涉及一种电池串、光伏组件、电池串的制备方法，能够避免焊带移位虚焊，其中所述电池串由至少两个光伏电池片通过焊带串联而成，所述光伏电池片的焊接面的端部设置有透明胶层，所述焊带位于所述透明胶层上方，所述透明胶层位于所述焊带...
    2025-11-30
  • 光伏组件及光伏组件制备方法
    光伏组件及光伏组件制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511366436.7
    本公开涉及一种光伏组件及光伏组件制备方法，光伏组件包括：多个电池串(1)，每个所述电池串(1)包括多个沿第一方向(X)排布并通过焊带(11)连接的电池片(12)；多个第一汇流条(21)，沿垂直于所述第一方向(X)的第二方向(Y)延伸，分别在...
    2025-11-30
  • 导电背板、背接触太阳能电池组件和光伏设备
    导电背板、背接触太阳能电池组件和光伏设备_比亚迪股份有限公司_202511015919.2
    本申请提供了导电背板、背接触太阳能电池组件和光伏设备。该导电背板的导电背板单元包括：光伏背板、两条边缘导电主干线、多条中间导电主干线和多条导电支干线，两条边缘导电主干线分别设置在光伏背板相对的两侧边；多条中间导电主干线间隔分布在两边缘导电主...
    2025-11-30
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511521789.X
    本申请涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件。光伏组件包括电池串和胶膜，胶膜覆盖电池串。胶膜设置有第一区和第二区，沿电池串的长度方向，胶膜至少设置有两个第一区，且至少两个第一区之间间隔有第二区。沿光伏组件的厚度方向，第一区的厚度小于第二...
    2025-11-30
  • 一种光伏组件封装结构及其保护层制备方法
    一种光伏组件封装结构及其保护层制备方法_江苏汉可智能装备有限公司_202511520887.1
    本发明公开了一种光伏组件封装结构及其保护层制备方法，包括：光伏组件，所述光伏组件所需表面包覆保护层，保护层为无机物膜层或有机聚合物膜层或无机/有机聚合物混合膜层，无机物膜层由氮化硅或氮氧化硅或二者组合。本发明利用HoFCVD镀膜技术，可以在...
    2025-11-30
  • 背接触电池组件和光伏系统
    背接触电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511503068.6
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件和光伏系统，在背接触电池组件的在电池串中，彼此相邻的两个背接触电中的其中一个朝向第一边缘的一端与另一个朝向第二边缘的一端部分重叠以形成重叠区域。重叠区域覆盖相邻的两个背接触电池中的其中...
    2025-11-30
  • 彩色光伏组件及其制备方法
    彩色光伏组件及其制备方法_浙江金贝能源科技有限公司_202511143086.8
    本发明的实施例提出一种彩色光伏组件及其制备方法。该彩色光伏组件包括依次层叠设置的前板玻璃层、第一胶膜层、光伏电池串、第二胶膜层和背板层。其中，所述前板玻璃层包括依次设置的透明基板层、彩釉层和波长转换层，所述波长转换层为固化层，所述波长转换层...
    2025-11-30
  • 具有隧穿结结构的背接触太阳能电池及其制备方法
    具有隧穿结结构的背接触太阳能电池及其制备方法_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511148675.5
    本发明提供了一种具有隧穿结结构的背接触太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。所述具有隧穿结结构的背接触太阳能电池硅基底，所述硅基底的背面包括交替排列的第一载流子选择性区域和第二载流子选择性区域；其中，所述第一载流子选择性区域包括第...
    2025-11-30
  • 一种ESD器件的制备方法和ESD器件
    一种ESD器件的制备方法和ESD器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511528626.4
    本发明提供一种ESD器件的制备方法和ESD器件。ESD器件的制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底和形成于衬底上的高压P阱区和深N阱区，以及覆盖于高压P阱区和深N阱区表面的第一氧化层，高压P阱区和深N阱区沿平行于衬底的第一方向排列；在...
    2025-11-30
  • 应用于多电压域的NMOSFET结构复合管快速触发SCR静电防护器件
    应用于多电压域的NMOSFET结构复合管快速触发SCR静电防护器件_华北水利水电大学_202511204299.7
    本发明提供了一种应用于多电压域的NMOSFET结构复合管快速触发SCR静电防护器件，涉及静电防护器件技术领域，包括：P衬底；位于所述P衬底上的P阱一、N阱一和P阱二；多个注入区；多个沟槽；栅氧区；N+注入区四作为漏极、栅氧区一作为栅极、N+...
    2025-11-30
  • 阵列基板及其制作方法、显示装置
    阵列基板及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410620148.9
    本公开提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，阵列基板包括衬底基板，以及设置于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，至少一个所述薄膜晶体管包括：有源层，包括第一区以及位于所述第一区的相对两侧的第二区；在所述第一区背离所述衬底基板的一侧依次层叠第...
    2025-11-30
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_云谷(固安)科技有限公司_202511135045.4
    本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括衬底和设置于衬底一侧的多个像素电路，像素电路包括：第一晶体管，包括第一栅极和第一沟道区；以及，第一电容，第一电容的第一极板设置于第一晶体管的一侧、并与第一晶体管的第一极电连接，第一栅...
    2025-11-30
  • 半导体结构、超薄半导体的制作方法及超薄半导体
    半导体结构、超薄半导体的制作方法及超薄半导体_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202511472601.7
    本发明公开了一种半导体结构，适用于腐蚀减薄工艺来实现超薄半导体；半导体结构包括依次层叠的衬底、腐蚀阻挡层和半导体层；半导体层包括缓冲层和器件层；缓冲层用于防止器件层在衬底腐蚀减薄去除前后功函数变化影响；腐蚀阻挡层用于在腐蚀减薄工艺中阻挡腐蚀...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411837991.9
    提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体图案，在与基底的顶表面垂直的方向上突出，并且具有在与基底的顶表面平行的第一方向上相对立的内表面和外表面；栅极介电层，覆盖半导体图案的内表面和外表面，并且在半导体图案的顶表面上延伸；栅电极，在栅...
    2025-11-30
  • 带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管
    带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511325603.3
    本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管，包括衬底，所述衬底的上部设置有浅槽隔离区，所述浅槽隔离区将衬底上划分为第一有源区和第二有源区；所述第一有源区的衬底中注入形成有埋层和深N阱；所述埋层位于深N阱的正上方；所述深N阱正上...
    2025-11-30
  • 一种双极型互补反相器器件及其制造方法
    一种双极型互补反相器器件及其制造方法_重庆长安汽车股份有限公司_202410604340.9
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种双极型互补反相器器件及其制造方法。本发明的双极型互补反相器器件包括：衬底层，表面设置有NPN双极晶体管结构和PNP双极晶体管结构；NPN双极晶体管结构的载流子传输方向垂直于衬底层的延伸方向；双极晶体...
    2025-11-30
  • 形成集成电路的方法
    形成集成电路的方法_艾普诺瓦泰克公司_202511023299.7
    本公开涉及形成集成电路的方法。具体地，提供了一种用于形成包括硅基器件和基于氮化镓的器件的集成电路的方法，所述方法包括：提供覆盖有氮化镓层结构的硅衬底；从所述氮化镓层结构中刻蚀出氮化镓结构；在所述硅衬底中形成硅基器件；在所述氮化镓结构中形成基...
    2025-11-30
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511511971.7
    本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，可以降低共享接触孔内的断路风险。方法包括：提供半导体初始结构，包括绝缘层以及间隔设置的栅极初始结构，绝缘层包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，第一绝缘结构位于栅极初始结构的...
    2025-11-30
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