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最新专利技术
  • 半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件
    半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410621853.0
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件。半导体结构的形成方法通过先形成具有不同深宽比的沟槽结构的初始半导体结构，后续先对高宽深比的沟槽结构进行填充，以在高宽深比的沟槽结构内填充满所述第一隔离材料，在...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410635217.3
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：多个存储单元阵列，分布于不同层、沿垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布；存储单元阵列包括位于同一层、在沿平行于衬底的行方向和列方向阵列分布的多个存储单元；其中，存储单元包...
    2025-11-30
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202511416037.7
    本披露涉及半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成，具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部，且包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串...
    2025-11-30
  • 基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器
    基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器_东莞理工学院_202510928362.5
    本发明涉及一种基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器，主要用于高效存储与信息处理。该存储器包括最下层为衬底；选择二维钙钛矿纳米片作为光敏浮栅层放置在衬底的上表面；设有电介质层部分置于光敏浮栅层上，充当电荷保护层；选择具有半导体性质的材料放置在...
    2025-11-30
  • 闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法
    闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410607277.4
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法，该闪存存储器包括：衬底；位于所述衬底上的浮栅氧化层；位于所述浮栅氧化层的内部和表面上的浮栅；所述浮栅包括上端部分和下端部分，所述上端部分位于所述浮栅氧化...
    2025-11-30
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202510824378.1
    本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括一位元线，沿着一第一方向延伸，以及一氧化物膜，沿着一第二方向延伸且设置在该位元线之上。此半导体元件还包括多个接触垫，沿着该氧化物膜排列。
    2025-11-30
  • 用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法
    用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法_北京超弦存储器研究院_202510781361.2
    本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括：在电路基板上依次形成多个堆叠子阵列和多个第二隔离层，形成堆叠子阵列包括：交替堆叠第一隔离层和叠层，每个叠层包括第一导电层、牺牲层和第二导电层；形成贯穿第一隔离层和叠层的位线孔，...
    2025-11-30
  • 用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法
    用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法_北京超弦存储器研究院_202510781338.3
    本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括：在电路基板上交替堆叠第一隔离层和叠层，每个叠层依次包括第一导电层、第二隔离层、公共电极层、第二隔离层和第二导电层；形成贯穿第一隔离层和叠层并延伸至电路基板的位线孔，每个位线孔在...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510653846.3
    一种半导体装置，可包括：位线，其在第一方向上延伸；栅极结构，其包括位于位线上并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅电极和位于栅电极在第一方向上的侧壁上的栅极绝缘图案；沟道，其位于位线上，沟道在栅极结构在第一方向上的侧壁上在垂直于由第一方向和...
    2025-11-30
  • 半导体动态随机存取存储器装置
    半导体动态随机存取存储器装置_三星电子株式会社_202510650924.4
    一种半导体装置，包括：晶体管，其包括位于包括第一半导体材料的第一衬底上的第一栅极结构，以及位于第一衬底的在第一栅极结构下方的部分处的第一沟道；位线结构，其位于晶体管上并且在基本上平行于第一衬底的上表面的第一方向上延伸；第二沟道，其包括具有相...
    2025-11-30
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510643659.7
    本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。可以通过以下步骤来提供半导体器件结构：形成存储器阵列的外围电路和晶体管；形成在下层级介电材料层内形成的下层级金属互连结构；沉积包括存储器区开口阵列和至少一个外围区开口的介电盖层；在介电盖层上方...
    2025-11-30
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510632250.5
    本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括晶体管，其个别地包括一个及另一源极/漏极区、其间的沟道区，以及可操作地靠近沟道区的栅极。导电通路个别地位于所述另一源极/漏极区中的个别者正上方且电耦合到所述另一源极/...
    2025-11-30
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202411361177.4
    本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括一位元线，沿着一第一方向延伸，以及一氧化物膜，沿着一第二方向延伸且设置在该位元线之上。此半导体元件还包括多个接触垫，沿着该氧化物膜排列。
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410635077.X
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法、器件结构及电子设备，属于半导体技术领域。本申请实施例提供的方法，能够制备一个具有多个存储单元的半导体器件，每个存储单元包括读晶体管与写晶体管，其中，该读晶体管中具有双栅结构，该读晶体管的一个栅极与写晶体...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410634631.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。该半导体器件包括晶体管层，包括晶体管；至少一个第一介质层，沿第一方向位于所述晶体管层的一侧；以及电容器，包括电极芯，所述电极芯的一端与所述晶体管连接，另一端沿所述第一方向贯穿并突出于最远离所...
    2025-11-30
  • 管理半导体装置中的连接结构
    管理半导体装置中的连接结构_长江存储科技有限责任公司_202410627887.0
    提供了用于管理半导体装置中的连接结构的系统、装置和方法。在一个方面中，一种半导体装置包括晶体管。所述晶体管包括具有掺杂的第一端和第二端的半导体主体。连接结构包括第一端和第二端。所述连接结构的第一端是包括没有空气隙的导电材料的无缝导电部分。所...
    2025-11-30
  • 存储单元、存储器及其制备方法、电子设备
    存储单元、存储器及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410627844.2
    一种存储单元，包括：沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅极、第二栅极和第一半导体层；第一栅极沿垂直于衬底的第二方向延伸，第二栅极和第一半导体层沿第一方向延伸，第一栅极环绕第一半导体层，第一半导体层环绕第...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410612467.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决第一连接结构与其相邻的导电结构易产生漏电流的问题。本公开提供的提供一种半导体结构，包括：第一晶体管、第一连接结构、第一隔离结构和第一介质层。...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410612446.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在增大半导体结构中的气隙结构沿第一方向的尺寸，使得相邻的两个导电结构之间的寄生电容的电容值减小，相邻的两个导电结构之间的电容耦合降低，避免由于相邻的两...
    2025-11-30
  • 用于制造集成电路结构的方法、以及半导体结构
    用于制造集成电路结构的方法、以及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511035051.2
    提供了IC结构及其形成方法。在实施例中，形成IC结构的示例方法包括：形成沿第一方向纵向延伸的高k金属栅极结构；形成沟槽以将高k金属栅极结构分隔成两部分；共形沉积第一介电层以基本填充沟槽；在共形沉积第一介电层之后，在高k金属栅极结构上方形成图...
    2025-11-30
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