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最新专利技术
  • 一种双层独立双通道冷板
    一种双层独立双通道冷板_北京航空航天大学_202510920001.6
    本发明涉及一种双层独立双通道冷板，属于热管理技术领域，解决了现有散热冷板的换热性能不足、安全稳定性等影响整个散热系统的正常运行的技术问题。本发明的双层独立双通道冷板包括盖板、第一层冷板、第二层冷板、第一层进液管、第一层出液管、第二层进液管和...
    2025-12-03
  • 一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法
    一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法_纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司_202511478383.8
    本发明提供一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法，包括：金属层，设有凹槽；凹槽底部设通孔；芯片设于凹槽中；第一烧结金属层，芯片下电极与凹槽通过第一烧结金属层连接；树脂层，填充于凹槽中；上电极铜嵌件，与芯片上电极连接；绝缘导热层，设于通孔中；...
    2025-12-03
  • 覆晶薄膜和显示装置
    覆晶薄膜和显示装置_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202511071992.1
    本申请涉及显示领域，具体公开了一种覆晶薄膜和显示装置，所述覆晶薄膜，包括基材层、第一金属层以及驱动芯片，所述第一金属层设置在所述基材层上方，所述第一金属层远离所述基材层的一侧通过连接线与所述驱动芯片连接；所述覆晶薄膜还包括第二金属层，所述第...
    2025-12-03
  • 一种MOS管固定工装
    一种MOS管固定工装_北京大华无线电仪器有限责任公司_202511306795.3
    本发明公开了一种MOS管固定工装，包括底座、限位板、右侧板、左侧板、导轨；底座左右两侧各设有挡板一，挡板一上有一矩形槽，槽内安装汝铁硼磁铁；底座后侧设有一个安装板，安装板后设有支撑板，安装板上设有两个定位销，限位板的一端装于定位销上；右侧板...
    2025-12-03
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铨心半导体异质整合股份有限公司_202510594470.3
    本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括笼状件、半导体芯片、封装体及第一重布层。笼状件具有第一笼状件表面、与第一笼状件表面相对的第二笼状件表面以及从第一笼状件表面向第二笼状件表面的空腔。半导体芯片配置在空腔中。封装体覆盖半导体芯...
    2025-12-03
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510574546.6
    电子装置及制造电子装置的方法。一种电子装置包含嵌入式模块，所述嵌入式模块包含模块组件，所述模块组件包括第一端子和第二端子。第一模块衬底通过第一接合层耦合到所述第一端子，并且第二模块衬底通过第二接合层耦合到所述第二组件端子。模块包封物覆盖所述...
    2025-12-03
  • 功率半导体装置以及功率半导体装置的制造方法
    功率半导体装置以及功率半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510476069.X
    本发明的目的在于提供一种能够利用密封部件提高配线导线的机械强度的技术。功率半导体装置具备：多个配线导线，连接半导体元件彼此之间、金属电路图案彼此之间、以及半导体元件与金属电路图案之间中的至少任一者，并相互沿着彼此设置；和第一密封部件，以比半...
    2025-12-03
  • 包含有异质接触的半导体结构以及其制作方法
    包含有异质接触的半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410653746.6
    本发明公开一种包含有异质接触的半导体结构以及其制作方法，其中包含有异质接触(hybrid bond contact)的半导体结构包含一第一异质接触，位于一介电层中，其中第一异质接触由铜所构成，一第一顶导电层，位于介电层中并且位于第一异质接触...
    2025-12-03
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410585135.2
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：斜切角衬底，斜切角衬底包括相对的上表面和下表面，多个凹槽开设于上表面，凹槽包括底壁端，以及位于底壁端两侧、并相对的第一侧壁和第二侧壁，底壁端和第一侧壁构成的第一夹角为锐角，在外...
    2025-12-03
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410584935.2
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：斜切角衬底和位于斜切角衬底一侧的掩膜层，掩膜层包括贯穿掩膜层的通孔，至少部分外延层位于通孔内，外延层自通孔暴露的斜切角衬底上外延生长，外延层中的部分位错偏离通孔的延伸方向，终止...
    2025-12-03
  • 功率模组及功率变换装置
    功率模组及功率变换装置_华为数字能源技术有限公司_202410560779.6
    功率模组及功率变换装置，功率模组包括：导热底板、连接层、陶瓷基板和芯片依次层叠设置，塑封体包裹陶瓷基板和芯片。陶瓷基板包括绝缘层和第一金属层，第一金属层设于绝缘层和连接层之间。导热底板朝向陶瓷基板的一侧形成有加强结构。在垂直导热底板和连接层...
    2025-12-03
  • 功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法
    功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法_广东芯聚能半导体有限公司_202511462033.2
    本申请实施例提供了一种功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法，属于半导体技术领域。该封装结构包括外壳、基板、功率模块芯片和NTC热敏电阻，其中，外壳通过螺栓与基板固定连接，功率模块芯片和NTC热敏电阻安装于基板上；外壳上开设有观...
    2025-12-03
  • 导电通道的形成方法
    导电通道的形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511481306.8
    本申请提供了一种导电通道的形成方法，涉及半导体技术领域，包括：在导电层上形成绝缘叠层；在绝缘叠层中形成沟槽/通孔；以及在沟槽/通孔中填充导电材料，用于形成与导电层接触的导电通道，其中，在形成沟槽/通孔的过程中，对绝缘叠层中的多个绝缘层进行湿...
    2025-12-03
  • 半导体封装结构的形成方法
    半导体封装结构的形成方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511455321.5
    本申请公开了一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，包括相对的第一表面和第二表面，半导体基底中具有若干分立的通孔互连结构；平坦化半导体基底的第二表面，直至露出通孔互连结构的远离半导体基底第一表面的一端表面；在半导体基底的第一表面...
    2025-12-03
  • 优化阻挡层沉积的方法
    优化阻挡层沉积的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063695.2
    本申请公开了一种优化阻挡层沉积的方法，本方法包括：在基底凹陷形貌内沉积阻挡层结构后，首先采用氩气等离子体对该阻挡层结构执行第一重溅射处理，利用氩气的高效溅射能力将沉积在底部的阻挡层材料溅射至侧壁，以增强侧壁覆盖；接着，采用氦气等离子体对该阻...
    2025-12-03
  • 用于改善半导体器件中通孔阵列区域铜损耗的后刻蚀处理方法
    用于改善半导体器件中通孔阵列区域铜损耗的后刻蚀处理方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063018.0
    本申请公开了一种用于改善半导体器件中通孔阵列区域铜损耗的后刻蚀处理方法，尤其适用于后段金属互连双大马士革工艺。为解决一体化刻蚀后、湿法剥离前，因常规后刻蚀处理不足导致的通孔底部铜损耗问题，本方法在一体化刻蚀形成暴露下层铜金属的通孔结构后、湿...
    2025-12-03
  • 优化硅通孔研磨的方法
    优化硅通孔研磨的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510969206.3
    本发明公开了一种优化硅通孔研磨的方法。该方法包括：在硅衬底中形成硅通孔；在硅通孔底部预先填充一层介质层；随后在其中填充导电材料；最后对硅衬底背面进行减薄处理。在减薄过程中，该介质层作为研磨辅助层，用于调和导电材料与硅衬底间的研磨速率差异，并...
    2025-12-03
  • 一种混合键合封装结构及其制作方法
    一种混合键合封装结构及其制作方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410579078.7
    本发明提供一种混合键合封装结构及其制作方法，该混合键合封装结构的制作方法包括以下步骤：提供一包括多个第一封装体的晶圆，第一封装体上表层设有第一电极层；于晶圆的上表面介质层及位于介质层上且与第一电极层电连接的布线层；于布线层上表面形成第二介电...
    2025-12-03
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410573351.5
    一种半导体结构的形成方法，包括：形成抗粘附层后，在开口的侧壁上选择性沉积浸润阻挡层；形成浸润阻挡层后，去除抗粘附层，使开口底部的第一互连结构被暴露；去除抗粘附层后，在开口中形成第二互连结构，第二互连结构与对应的第一互连结构直接接触。由于开口...
    2025-12-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410565215.1
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括若干交替分布的第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有有源区，所述第二区域的半导体衬底表面形成有第一介质层，所述第一介质层的顶面低于所述有源区...
    2025-12-03
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