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最新专利技术
  • 测试方法、测试设备和计算机可读存储介质
    测试方法、测试设备和计算机可读存储介质_深圳市时创意电子股份有限公司_202510913523.3
    本申请公开了一种测试方法、测试设备和计算机可读存储介质，涉及存储技术领域；测试方法包括步骤：生成测试文件；拷贝测试文件至存储设备；计算拷贝测试文件至存储设备时的写入速度；重复拷贝测试文件至存储设备，并计算重复拷贝测试文件至存储设备的写入速度...
    2025-12-03
  • 具有改进的擦除管理的存储器子系统
    具有改进的擦除管理的存储器子系统_美光科技公司_202510587969.1
    本申请涉及具有改进的擦除管理的存储器子系统。一种系统包含：多个存储器组件；及处理装置，其可操作地与所述多个存储器组件耦合，所述处理装置用以执行包含以下的操作：从主机系统接收读取存储在所述多个存储器组件上的数据的请求；确定所述数据含有多个错误...
    2025-12-03
  • 存储装置的测试方法、电子设备以及存储介质
    存储装置的测试方法、电子设备以及存储介质_上海江波龙数字技术有限公司_202410587954.0
    本申请公开了一种存储装置的测试方法、电子设备以及存储介质。所述存储装置的测试方法包括：分别确定存储装置中各目标存储块的第一错误值；对各目标存储块内的目标存储页分别进行预设读取，并确定各目标存储块在预设读取后的第二错误值；基于各目标存储块的第...
    2025-12-03
  • 内存的故障监测装置和故障监测方法以及电子设备
    内存的故障监测装置和故障监测方法以及电子设备_联芸科技(杭州)股份有限公司_202410581580.1
    提供一种内存的故障监测装置和故障监测方法以及电子设备。该故障监测装置包括故障监测单元和故障处理单元，所述故障监测单元在每个监测时间窗口内，将所述内存的第一类错误的第一计数值、第二类错误的第二计数值和正常内存访问的第三计数值，分别与第一阈值、...
    2025-12-03
  • 一种自测试控制方法、装置、设备及介质
    一种自测试控制方法、装置、设备及介质_无锡有容微电子有限公司_202511074943.3
    本申请公开了一种自测试控制方法、装置、设备及介质，应用于闪存控制器领域。其中，自测试控制方法包括：将待测数据写入对应的存储器设备内，以构成存储数据；其中待测数据为预设算法生成的数据或者待存储的目标数据；读取存储器设备内的存储数据；判断存储数...
    2025-12-03
  • 失效芯片的筛选方法
    失效芯片的筛选方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046974.8
    本发明提供了一种失效芯片的筛选方法，包括：提供待测试的芯片，芯片包括浮栅、ONO层和控制栅依次位于部分栅氧化层的表面，浮栅、ONO层和控制栅内形成有字线栅，字线栅通过第一侧墙与浮栅的侧壁以及与ONO层的侧壁隔开，字线栅还通过第一侧墙以及第二...
    2025-12-03
  • 存储芯片测试方法、装置及电子设备
    存储芯片测试方法、装置及电子设备_成都佰维存储科技有限公司_202510834167.6
    本发明公开了存储芯片测试方法、装置以及电子设备，搭建预设测试环境；在单次测试中，控制目标芯片在预设测试环境下执行垃圾回收策略，解析目标芯片的预设性能数据在垃圾回收策略执行前至执行期间的数据波动情况；替换不同类型的目标芯片或垃圾回收策略，重新...
    2025-12-03
  • 存储器管理方法及存储装置
    存储器管理方法及存储装置_合肥开梦科技有限责任公司_202511461658.7
    本发明提供一种存储器管理方法及存储装置。所述方法包括：检测目标操作事件，其中目标操作事件指示对目标字线执行目标操作；响应于目标操作事件，确定目标字线位于多个管理区中的目标管理区，其中所述多个管理区根据各自的电气特性垂直分布于存储器模块中；从...
    2025-12-03
  • 存储数据恢复方法、装置、闪存设备和存储介质
    存储数据恢复方法、装置、闪存设备和存储介质_深圳市时创意电子股份有限公司_202510901963.7
    本申请公开了一种存储数据恢复方法、装置、闪存设备和存储介质，以提高数据读取性能和读取成功率。所述存储数据恢复方法包括步骤：读取闪存中的当前阈值电压；分析当前阈值电压对应的当前判决线；根据默认判决线和当前判决线计算判决线偏移量；根据所述判决线...
    2025-12-03
  • 一种存储器装置的操作方法、存储器装置及存储器系统
    一种存储器装置的操作方法、存储器装置及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410571409.2
    本申请实施例公开一种存储器装置的操作方法、存储器装置及存储器系统。其中，该操作方法包括：对与选定字线耦接的存储单元执行第一编程循环，包括：对选定字线施加第一编程脉冲；执行第一失败位计数VFC操作得到第一失败位数量；所述第一失败位数量用于指示...
    2025-12-03
  • 存储器、数据读取方法及数据编程方法
    存储器、数据读取方法及数据编程方法_北京大学_202511039090.X
    本公开涉及一种存储器、数据读取方法及数据编程方法。该存储器包括存储单元串。存储单元串包括：沿垂直衬底方向依序串联的权重单元串和掩码单元串。其中，权重单元串用于存储权重向量。掩码单元串用于存储掩码向量，所述掩码向量为预编程的用于定义存储单元串...
    2025-12-03
  • 存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备
    存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410565037.2
    本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备。该存储器包括：存储单元阵列、以及通过字线和位线耦接于存储单元阵列的外围电路，外围电路被配置为：向选中字线施加第一读取电压；对选中字线耦接的存储单元对应的感测节点充电；将选中字线...
    2025-12-03
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410565172.7
    本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，该存储器装置包括存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；所述存储单元阵列包括至少一个第一存储块和多个第二存储块，所述多个第二存储块中的部分存储块作为采样存储块；所述外围电路...
    2025-12-03
  • 存储器装置及其擦除操作
    存储器装置及其擦除操作_长江存储科技有限责任公司_202410564764.7
    在某些方面中，一种存储器装置包括至少一块存储器单元以及耦接至存储器单元的所述块的外围电路。所述外围电路被配置为在擦除周期的第一集合中分别施加擦除脉冲的第一集合以擦除存储器单元的所述块。所述擦除脉冲的第一集合包括具有变化电压值的一个或多个第一...
    2025-12-03
  • 闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备
    闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备_苏州元脑智能科技有限公司_202511468490.2
    本申请涉及固态硬盘技术领域，特别涉及一种闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备，方法包括：根据目标存储块的当前位错误率确定数据保留触发阈值，且根据当前读操作频率确定读干扰触发阈值；基于当前擦写次数、擦写次数触发阈值、当前数据保留时长、数据...
    2025-12-03
  • 管理存储器系统中的擦除操作
    管理存储器系统中的擦除操作_长江存储科技有限责任公司_202410571247.2
    本公开内容涉及管理存储器系统中的擦除操作。描述了用于在存储器系统中执行擦除操作的方法、系统和设备。示例系统包括存储器装置和存储器控制器。存储器装置包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元阵列的外围电路。在将擦除脉冲施加到耦合到存储器单元阵列的源...
    2025-12-03
  • 用于操作存储器装置的方法和设备
    用于操作存储器装置的方法和设备_长江存储科技有限责任公司_202410578455.5
    本公开涉及用于操作存储器装置的方法和装置。在一个示例中，存储器装置包括存储器阵列以及耦合到存储器阵列的外围电路，该存储器阵列包括存储器单元。外围电路包括微控制器单元(MCU)和由MCU控制的多个电路。MCU被配置为在耦合到多个电路中的第一电...
    2025-12-03
  • 用于选择门阈值电压调谐的沟道衬垫
    用于选择门阈值电压调谐的沟道衬垫_美光科技公司_202510594815.5
    本申请涉及用于选择门阈值电压调谐的沟道衬垫。各种应用可包含具有存储器单元串的存储器装置，其中存储器单元串耦合到漏极侧选择门SGD晶体管的堆叠。所述SGD晶体管的阈值电压可通过邻近于并接触所述堆叠的选定的一或多个SGD晶体管的高k介电衬垫调谐...
    2025-12-03
  • 信息载体、配置方法和存储装置
    信息载体、配置方法和存储装置_苏州山河光电科技有限公司_202511449467.9
    本申请揭示了一种信息载体、配置方法和存储装置，配置方法包括：获得目标信息，基于还原信息和目标信息确定损失值，所述还原信息根据信息载体响应于目标入射光的调制输出经过算法模型处理而确定，所述目标入射光与所述目标信息对应，基于所述损失值，以信息载...
    2025-12-03
  • 用于读取非易失性两端存储器的方法及相关产品
    用于读取非易失性两端存储器的方法及相关产品_昕原半导体(上海)有限公司_202511075668.7
    本发明公开了一种用于读取非易失性两端存储器的方法及相关产品，非易失性两端存储器包括至少一个非易失性两端存储单元；用于读取非易失性两端存储器的电路包括参考模块、比较模块以及预充电模块；参考模块包括参考电阻；比较模块包括：由第一反相器和第二反相...
    2025-12-03
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