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最新专利技术
  • 一种可滤除杂散光的光电四象限探测器及其降噪方法
    一种可滤除杂散光的光电四象限探测器及其降噪方法_成都晟佳芯光电科技合伙企业(有限合伙)_202510394421.5
    本发明涉及光电四象限探测器技术领域，尤其涉及一种可滤除杂散光的光电四象限探测器，包括四个呈象限分布的第一光电单元，四个所述第一光电单元的外部固定安装有非感光单元，所述非感光单元外侧固定安装有第二光电单元。第二光电单元设计在光路之外，第一光电...
    2025-12-04
  • 一种太赫兹自驱动探测器
    一种太赫兹自驱动探测器_中国科学院上海技术物理研究所_202510398247.1
    本发明公开了一种太赫兹自驱动探测器，涉及太赫兹探测技术领域，包括高阻硅衬底；氧化层固定设于所述高阻硅衬底上表面；PN异质结固定设于所述氧化层远离所述高阻硅衬底的一侧；正电极位于所述氧化层上，且其与所述PN异质结一端接触；负电极位于所述氧化层...
    2025-12-04
  • 阵列基板、制备方法及显示装置
    阵列基板、制备方法及显示装置_惠科股份有限公司_202510401064.0
    本申请公开了一种阵列基板、制备方法及显示装置，涉及显示技术领域，包括：驱动布线结构设置在阵列基板的显示区周边，位于阵列基板的非显示区中，驱动布线结构包括接地走线和公共电极走线，接地走线和公共电极走线分别为不同的金属层，延阵列基板的厚度方向交...
    2025-12-04
  • 一种阵列基板、显示设备和传感器
    一种阵列基板、显示设备和传感器_京东方科技集团股份有限公司_202510398715.5
    本发明公开了一种阵列基板、显示设备和传感器，包括：衬底；静电防护层，位于衬底之上，包括多个静电环；像素层，位于静电防护层背离衬底的一侧，包括设有像素单元的像素区；静电环在衬底上的正投影位于像素区在衬底上的正投影内。如此，通过将静电环在衬底上...
    2025-12-04
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510397021.X
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底包括衬底、位于衬底表面的第一栅氧化材料层以及位于第一栅氧化层表面的第一多晶硅材料层；干法刻蚀第一多晶硅材料层，以露出第一栅氧化材料层的表面；湿法刻蚀第一栅氧化材料层，以露...
    2025-12-04
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510397008.4
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，在衬底的表面依次形成栅氧化层和具有开口的多晶硅材料层，开口内露出部分栅氧化层的表面；在多晶硅材料层的表面形成氮氧化硅材料层，氮氧化硅材料层覆盖多晶硅材料层的表面、开口的侧壁以及开口内露出...
    2025-12-04
  • 半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法
    半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510394644.1
    本发明公开了一种半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法，其中，半导体器件包括：半导体本体，包括阱区、第一区域和第二区域，第一区域设置于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面设置有栅极沟槽和第一沟槽；第...
    2025-12-04
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510396993.7
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供衬底，在衬底表面形成第一氧化层和硬掩膜层，刻蚀形成若干第一沟槽；采用各向同性湿法刻蚀硬掩膜层，相邻两个第一沟槽之间的硬掩膜层的两侧侧壁被刻蚀相同的宽度，以形成中间硬掩膜层。栅极材料层覆盖中间硬...
    2025-12-04
  • 半导体器件的背面工艺制造方法及半导体器件
    半导体器件的背面工艺制造方法及半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202510401438.9
    本申请提供了一种半导体器件的背面工艺制造方法及半导体器件，所述方法包括：对晶圆背面进行处理，其中，晶圆背面包括具有金字塔形状的第一背面结构；对所述第一背面结构进行处理，得到第二背面结构；其中，对所述第一背面结构进行处理，包括：对所述第一背面...
    2025-12-04
  • HBT晶体管、射频功率放大器及HBT晶体管的制备方法
    HBT晶体管、射频功率放大器及HBT晶体管的制备方法_烟台睿创微纳技术股份有限公司_202510393311.7
    本申请提供一种HBT晶体管、射频功率放大器及HBT晶体管的制备方法，所述HBT晶体管包括衬底和多个管芯，多个所述管芯并联于所述衬底上；每一所述管芯分别包括依次叠加设置的集电极主体、基极主体和发射极主体，所述集电极主体上设有集电极引脚，所述基...
    2025-12-04
  • 一种阶梯状双层异质结二极管及其制备方法和应用
    一种阶梯状双层异质结二极管及其制备方法和应用_南方科技大学_202510389528.0
    本发明公开了一种阶梯状双层异质结二极管，所述阶梯状双层异质结二极管从上至下包括如下结构：多层结构、衬底、阴极；其中，所述多层结构自上而下依次包括直径逐级递增的阳极、第二Cu2O层、第一Cu2O层、...
    2025-12-04
  • 一种基于POP和SIP的呈3D结构的UFS封装结构及封装工艺
    一种基于POP和SIP的呈3D结构的UFS封装结构及封装工艺_华天科技(南京)有限公司_202510399584.2
    本发明涉及UFS产品设计技术领域，具体为一种基于POP和SIP的呈3D结构的UFS封装结构及封装工艺，该UFS封装设计为Nand Flash芯片和倒置的BGA颗粒芯片以上下层叠方式结合的封装设计，可以减少取消dummy芯片，降低成本，解决了...
    2025-12-04
  • 半导体器件的下电极结构的制备方法及半导体器件
    半导体器件的下电极结构的制备方法及半导体器件_昕原半导体(上海)有限公司_202510397439.0
    本披露公开了一种半导体器件的下电极结构的制备方法及半导体器件，其特征在于，包括：提供具有导电部的第一介电层；在所述导电部上形成停止层；在所述停止层上形成第二介电层；在所述第二介电层中刻蚀所述下电极通孔，其中，所述刻蚀停止于所述停止层；在所述...
    2025-12-04
  • SONOS存储器及其形成方法
    SONOS存储器及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510397041.7
    本发明提供一种SONOS存储器及其形成方法，在侧墙刻蚀后，利用原位水汽氧化工艺氧化衬底和残留的氮化硅，形成的氧化层可充当第一阻挡层，在第二阻挡层刻蚀图形化后，暴露的第一阻挡层又可通过湿法刻蚀安全去除。通过优化阻挡层形成工艺，在不损伤硅衬底的...
    2025-12-04
  • 闪存及其制作方法
    闪存及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510396999.4
    本发明提供一种闪存及其制作方法，第一侧墙包括依次形成于开口两侧的第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层。湿法工艺去除图形化的硬掩膜层，湿法工艺对图形化的硬掩膜层和第一侧墙的氮化硅层高选择比，氮化硅层基本不被湿法刻蚀，确保第一侧墙的宽度，第一侧墙的...
    2025-12-04
  • 形成存储器装置的方法
    形成存储器装置的方法_南亚科技股份有限公司_202510392019.3
    一种方法包括以下步骤：在基板上方形成堆叠，堆叠包括第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层及第二支撑层；形成第一及第二沟槽；在第一及第二沟槽中形成底部电极；在堆叠上方形成图案化遮罩，其中图案化遮罩具有曝露堆叠的开口；经由图案化遮罩的开口对堆叠执行...
    2025-12-04
  • 一种高精高速贴片机
    一种高精高速贴片机_中山市思格自动化科技有限公司_202510394896.4
    本发明公开一种高精高速贴片机，属电子设备制造领域。其由机架、自动上料、下料、基板输送、点胶蘸胶一体化等模组构成，配备视觉模组。直线模组采用直线马达驱动，响应高速、定位精确。通过双载物台交替、多吸嘴并行，实现高速生产；凭借视觉模组闭环检测，保...
    2025-12-04
  • 基于交换站的贴片机吸嘴分配方法、装置和存储介质
    基于交换站的贴片机吸嘴分配方法、装置和存储介质_深圳市路远智能装备有限公司_202510396002.5
    本申请涉及电气工程技术领域，具体涉及一种基于交换站的贴片机吸嘴分配方法、装置和存储介质，本方案包括：获取目标PCB板上的至少一个元件类型及所述至少一个元件类型中每个元件类型对应的元件数量；根据所述至少一个元件类型及所述每个元件类型对应的元件...
    2025-12-04
  • 一种电子元器件加工用贴片机
    一种电子元器件加工用贴片机_潍坊百金机械科技有限公司_202510390614.3
    本发明公开了一种电子元器件加工用贴片机，属于电子元件贴片机领域。一种电子元器件加工用贴片机，包括加工台，还包括沿着加工台表面移动的定位块，所述定位块底部固定连接有第一电机，所述第一电机的转轴底端固定连接有旋转盘，所述旋转盘上设置有贴片机构，...
    2025-12-04
  • 一种Ti3AlC2-MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法
    一种Ti<Sub>3</Sub>AlC<Sub>2</Sub>-MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法_电子科技大学_202510386605.7
    本发明属于太赫兹吸波技术领域，涉及太赫兹波吸波材料，具体提供一种Ti3AlC2‑MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法，为太赫兹频段提供一种宽频带吸收特性、耐高温特性以及抗氧化特性的一体...
    2025-12-04
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