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最新专利技术
  • 掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法和应用
    掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法和应用_华中科技大学_202610103958.6
    本发明属于陶瓷材料制备技术领域，具体为一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法和应用，其化学通式为：Ca1‑X(MaCebNdc)XBi2Nb1.96W0.04O9，其中，0.005≤x≤0.04，M代表碱金属元素，0
    2026-04-29
  • 一种Ca2V2O7基微波介质陶瓷及其制备方法
    一种Ca2V2O7基微波介质陶瓷及其制备方法_宁夏大学_202610125281.6
    本发明公开了一种Ca2V2O7基微波介质陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域，本发明以Ni2+对Ca2V2O7基的A位进行掺杂改性，从晶体结构与物相组成层面同步优化其烧结特性与介电损耗，通过精准的离子取代实现陶瓷烧结温度的有效降低与品质因...
    2026-04-29
  • 一种GeTe基热电材料的致密化方法
    一种GeTe基热电材料的致密化方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202411479899.X
    本发明涉及一种GeTe基热电材料的致密化方法。所述致密化方法包括：先将GeTe基热电材料的粉体进行冷压成型，然后在氩气气氛下进行常压烧结，制备得到致密的GeTe基热电材料。本发明提供的致密化方法具有操作简易、效率高的优势，简化了GeTe基热...
    2026-04-29
  • 一种GeTe基热电材料及其制备方法、热电臂、热电制冷器件
    一种GeTe基热电材料及其制备方法、热电臂、热电制冷器件_南方科技大学_202511808795.3
    本申请公开了一种GeTe基热电材料及其制备方法、热电臂、热电制冷器件，属于热电材料领域，其中，所述GeTe基热电材料的化学通式为Ge1‑x‑y‑zAgxSbyBizTe；其中，0 < x ≤ 0.25, 0 < y ≤ 0.25, 0 < ...
    2026-04-29
  • 高热电性能的Bi2Te3基材料及其制备方法
    高热电性能的Bi2Te3基材料及其制备方法_南京理工大学_202510767121.7
    本发明公开了一种高热电性能的Bi2Te3基材料及其制备方法。所述方法先采用水热法合成Bi2Te3基纳米晶粉末，再将具有高离子导性电性和纳米多孔结构的X型沸石分子筛均匀的引入到Bi2Te3基粉末中，利用放电等离子烧结技术使粉末快速烧结致密从而...
    2026-04-29
  • 一种碳化硅包壳及其制备方法和应用
    一种碳化硅包壳及其制备方法和应用_中广核研究院有限公司_202511803797.3
    本发明公开了一种碳化硅包壳及其制备方法和应用，涉及碳化硅包壳技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：在芯模表面进行纤维预制体织造和纤维肋编织，得到带肋预制体；所述带肋预制体经过界面层制备、碳化硅填充和碳化硅沉积后，得到所述碳化硅包壳。本发明...
    2026-04-29
  • 一种碳化硅包壳及其制备方法和应用
    一种碳化硅包壳及其制备方法和应用_中广核研究院有限公司_202511816655.0
    本发明公开了一种碳化硅包壳及其制备方法和应用，涉及碳化硅包壳制备技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：在无肋碳化硅包壳外侧织造纤维肋；对所述纤维肋进行固定、成型，在无肋碳化硅包壳的端塞部位进行致密化处理、碳化硅沉积，得到所述碳化硅包壳；所...
    2026-04-29
  • 一种L型碳化硅横梁制造方法
    一种L型碳化硅横梁制造方法_长春长光精瓷复合材料有限公司_202610116662.8
    本发明公开一种L型碳化硅横梁制造方法，涉及碳化硅陶瓷技术领域。该方法包括浆料制备与脱气、坯体成型与干燥、支撑托架制备、反应烧结、精密加工步骤。通过粗细配比碳化硅粉搭配反应烧结工艺，结合真空‑超声协同脱气、精准控温干燥及与坯体热膨胀匹配的支撑...
    2026-04-29
  • 基于聚碳硅烷改性的高钙灰光固化增韧SiC陶瓷及制备方法
    基于聚碳硅烷改性的高钙灰光固化增韧SiC陶瓷及制备方法_华能沁北发电有限责任公司_202610017683.4
    本公开提出一种基于聚碳硅烷改性的高钙灰光固化增韧SiC陶瓷及其制备方法。制备方法包括：将低碱度高钙灰与PCS球磨复合处理，同时加入催化剂，使PCS均匀包裹低碱度高钙灰颗粒，得到PCS封装改性的高钙灰复合粉体；将高钙灰复合粉体和SiC粉末混合...
    2026-04-29
  • 一种无结合剂多晶立方氮化硼烧结体及其制备方法
    一种无结合剂多晶立方氮化硼烧结体及其制备方法_郑州中南杰特超硬材料有限公司_202512022458.8
    本发明公开了一种无结合剂多晶立方氮化硼烧结体的制备方法，其通过PEG/PVA对微米cBN表面改性，促使hBN均匀包覆其上，形成核壳结构前驱体；经真空脱除有机物后，在7–10 GPa、1600–2000℃下烧结，hBN原位转化为纳米cBN并与...
    2026-04-29
  • 一种高极性体系纳米氮化硅光敏陶瓷膏料及制备方法
    一种高极性体系纳米氮化硅光敏陶瓷膏料及制备方法_哈尔滨工业大学_202610141581.3
    本发明涉及光固化陶瓷增材制造技术领域，更具体的说是一种高极性体系纳米氮化硅光敏陶瓷膏料及制备方法，按体积分数计，所述膏料包括35～55 vol%的陶瓷粉体和余量体积分数的光敏有机相；所述陶瓷粉体包括为0.3～1.0 μm的氮化硅粉体并可包含...
    2026-04-29
  • 一种氮化硅陶瓷配方及其配套的轴承滚子的制备工艺
    一种氮化硅陶瓷配方及其配套的轴承滚子的制备工艺_湖北中瓷新材料有限公司_202610388083.9
    本发明公开了一种氮化硅陶瓷配方及其配套的轴承滚子的制备工艺，属于陶瓷材料技术领域，旨在解决现有氮化硅轴承滚子在高速重载工况下因断裂韧性不足和微观裂纹扩展导致的滚动接触疲劳失效问题。本发明的核心配方包含α‑Si3N4基体、复合稀土助剂、纳米T...
    2026-04-29
  • 一种以锰为稳定离子的阿尔法赛隆陶瓷及其制备方法
    一种以锰为稳定离子的阿尔法赛隆陶瓷及其制备方法_清华大学_202610069584.0
    本发明涉及一种以锰为稳定离子的阿尔法赛隆陶瓷及其制备方法。本发明的以锰为稳定离子的α‑SiAlON陶瓷由通式Mnm/2Si12‑m‑nAlm+nOnN16‑n表示，其中m取值为1‑3.6，n取值为0‑3。本发明的新型α‑SiAlON陶瓷采用...
    2026-04-29
  • 一种陶瓷粉末和其制备方法及其用途
    一种陶瓷粉末和其制备方法及其用途_山东大学_202511928773.0
    本发明涉及陶瓷材料技术领域，公开了一种陶瓷粉末的制备方法，其包括以下步骤：S1、将有机粘结剂溶于无水脂肪族一元醇中，配制粘结剂溶液；S2、将步骤S1配制的粘结剂溶液与碳化硼粉体混合，进行球磨处理，得到浆料；S3、将步骤S2得到的浆料进行喷雾...
    2026-04-29
  • 一种复相氮化物陶瓷模具板及其制备方法
    一种复相氮化物陶瓷模具板及其制备方法_智合(深圳)新材科技有限公司_202512044825.4
    说明书摘要本发明属于陶瓷模具材料技术领域，具体涉及一种复相氮化物陶瓷模具板及其制备方法，以六方氮化硼、氮化铝、β‑氮化硅为主要物相，辅以氧化锆、氧化铝及烧结助剂；按重量份计，各原料组成为：六方氮化硼7～35份、氮化铝30～40份、β‑氮化硅...
    2026-04-29
  • 一种高热导率氮化硼承烧板及其制备方法
    一种高热导率氮化硼承烧板及其制备方法_山东晶亿新材料有限公司_202610120117.6
    本发明涉及氮化硼承烧板技术领域，具体为一种高热导率氮化硼承烧板及其制备方法，包括以下步骤：S1：基料准备，S2：氮化硼组合粉体制备，S3：粉料A制备，S4：粉料B制备，S5：粉料C制备，S6：成品制备。本发明中，通过氮化硼组合粉体中多粒径组...
    2026-04-29
  • 一种氮化硅结合碳化硅浇注成型用消失模涂料及制备方法
    一种氮化硅结合碳化硅浇注成型用消失模涂料及制备方法_江苏宝碳特种陶瓷科技有限公司_202610149474.5
    本发明公开了一种氮化硅结合碳化硅浇注成型用消失模涂料及制备方法，属于特种陶瓷成型技术领域。该涂料由粉体组分、结合剂组分和水经特定工艺制成，粉体组分包括锆英粉、碳化硅粉、石膏粉、金属硅粉、滑石粉和莫来粉；结合剂组分包括硅溶胶、阿拉伯树胶、润湿...
    2026-04-29
  • 一种耐高温低形变氮化硅多元复相陶瓷弹簧及制备方法
    一种耐高温低形变氮化硅多元复相陶瓷弹簧及制备方法_山东工业陶瓷研究设计院有限公司_202411435242.3
    本发明公开了一种耐高温低形变氮化硅多元复相陶瓷弹簧及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将所述第一陶瓷泥料、第二陶瓷泥料、第三陶瓷泥料同时连续挤出混合泥条，所述混合泥料围绕螺杆模具缠绕得到陶瓷弹簧坯体；所述混合泥料从中心轴向由内向外包括内层...
    2026-04-29
  • 一种异形碳/碳材料快速沉积碳毡的制备方法
    一种异形碳/碳材料快速沉积碳毡的制备方法_山西华月沁谷高新材料科技有限责任公司_202610104719.2
    本发明涉及一种异形碳/碳材料快速沉积碳毡的制备方法，包括：获取所需要的异形碳/碳材料的二维投影面积及数量，并利用二维投影面积及数量获取用于裁剪异形碳/碳材料的圆筒母胚的尺寸，所述圆筒母胚的尺寸包括圆筒内径、外径及高度；按照确定出圆筒母胚的尺...
    2026-04-29
  • 一种改性多孔SiC陶瓷与2507双相不锈钢的钎焊方法
    一种改性多孔SiC陶瓷与2507双相不锈钢的钎焊方法_武汉工程大学_202512041873.8
    本申请提供了一种改性多孔SiC陶瓷与2507双相不锈钢的钎焊方法，属于焊接技术领域，包括如下步骤：制备碳化硅悬浮浆料；将碳化硅悬浮浆料附着在多孔SiC陶瓷表面，干燥排胶后烧结，得到改性多孔SiC陶瓷；将预处理多孔SiC陶瓷表面打磨后，由上至...
    2026-04-29
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